EPC社のAlex Lidow（アレックス・リドウ）は、APEC2015でGaNが可能にした最新のワイヤレス・パワー技術を紹介します。

米Power Systems Design誌
2015年3月19日
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先週、米国カリフォルニア州エルセグンドに本拠を置くEfficient Power Conversion社は、窒化ガリウムで作ったパワー・トランジスタ2品種を製品化し、シリコンの対応品よりも安価であると発表しました。「シリコンに比べて、本当に高性能で低コストなデバイスは、これが初めてです」とCEO（最高経営責任者）のAlex Lidow（アレックス・リドウ）は述べています。さらに、「窒化ガリウムは、聖火を受け取り、今、それを持って走っています」とも語りました

IEEE Spectrum誌
May 8, 2015
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EPC社の共同創立者でCEO（最高経営責任者）のAlex Lidowが、優れた性能、小型化、高い信頼性、低価格であるeGaN FETの新しいファミリーについて、米Power Systems Design誌のAlix Palutre氏に語りました。この内容は、シリコンMOSFETの代替品として、GaNトランジスタが普及するための最後の壁が崩壊していることます。

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米Power Systems Design誌
2015年4月29日

Efficient Power Conversion社CEO（最高経営責任者）のAlex Lidow（アレックス・リドウ）は、ムーアの法則の寿命を延ばすために、ライフワークとなる仕事をしています。どうして？　米インテル社などが見つけたように、かなり天井に近づいてきているシリコンに依存している伝統的なチップ技術では、誰かが、その材料が許す限り安価で強力なシリコン・チップを作ろうとしています。Lidowは、多くの方法でシリコンよりも優れている半導体材料を見つけたと語っています。それが窒化ガリウム（GaN）です。実験室でも、実用でも、GaNチップは、利用した多くの事例でシリコンを上回り、製造もより安価で、より弾力性があり、より少ない保護要素で済むと同時に、シリコン・チップを作るために必要なインフラで形成できます。

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米PandoDaily誌
2015年4月21日

ムーアの予測は、自己達成的予言となりました。チップの計算能力は、24カ月ごとに2倍になっただけでなく、24カ月ごとに2倍にならなければならなくなり、ハイテク産業、そして経済全体は、悲惨な結末に苦しみ、イノベーションと経済の発展を抑圧しています。

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米re/code誌
Alex Lidow
2015年4月17日

米VentureBeat誌のDean Takahashi氏がAlex Lidow（アレックス・リドウ）を紹介：シリコン・チップは、現代のエレクトロニクスの基盤として数10年の長きにわたって利用されています。しかし、化合物材料の窒化ガリウム（GaN）に基づく新しい種類のチップは、高性能、低消費電力、低コストなので、シリコンの座を奪うとみられています。

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米VentureBeat誌
2015年4月2日

エンハンスメント・モード窒化ガリウム（GaN）トランジスタは、5年以上も前から市販されています。市販のGaN FETは、最先端のシリコン・ベースのパワーMOSFETよりも、より高性能でより低コストになるように設計されています。この成果は、あらゆる技術が、性能とコストの両方に関してシリコンと対抗してきた60年の歴史で初めてのことであり、これは、尊敬に値するが成熟しているパワーMOSFETの究極の置き換えとなる兆しです。

米EDN誌
Alex Lidow
2015年2月18日

EPC社の共同創立者でCEO（最高経営責任者）のAlex Lidow（アレックス・リドウ）は、シリコンに対する超高効率な代替品の開発に自身のキャリアの大半を費やしてきました。ブルームバーグTVのインタビューを聞く。

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米ブルームバーグTV
2015年2月17日

金融情報サービス大手の米ブルームバーグ・ビジネスのAshlee Vance氏がEPC社を分析。シリコンは、いくつかの大きな耐久力を享受してきました。60年にわたって、トランジスタ、すなわち、情報化時代を駆動した小さなスイッチの心臓部で選ばれてきた半導体でした。バレーは、それにちなんで命名されました。数10億ドル規模の大国は、そこから作り出されています。そして今、向うを見ると、シリコンは、最終的に置き換えられる瀬戸際にきているかもしれません。

60年ぶりに出現した新しい高性能の半導体技術は、対抗するシリコンよりも安価に製造することができます。窒化ガリウム（GaN）は、トランジスタ性能の飛躍的な向上と、シリコンよりも低コストで製造できることの両方が実証されています。GaNトランジスタは、従来のいかなるトランジスタよりも、高電圧、大電流を高速にスイッチングできる能力によって、新しいアプリケーションへの束縛を解き放ちます。この並はずれた特性は、未来を変えることができる新しいアプリケーションを牽引しています。これは、ほんの始まりにすぎません。

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米EDN誌
By: Alex Lidow
2015年1月

「GaNの利用法」シリーズのこの回では、48 V入力のアプリケーションにおける第4世代eGaN FETについて議論し、チップスケール・パッケージ封止の高耐圧の横型eGaN FETの熱特性を評価します。

米EEWeb誌
By: Alex Lidow
2014年12月

DesignCon 2015の木曜日（1月29日）の基調講演者は、Efficient Power Conversion Corporation （EPC）の共同創立者でCEO（最高経営責任者）のAlex Lidow（アレックス・リドウ）博士です。Alexの経歴のほとんどは、エネルギーの生産と消費の環境への影響を低減するという望みを持って、電力変換効率を向上させることに集中してきました。米インターナショナル・レクティファイアー社で研究開発エンジニアとして、HEXFETパワーMOSFETを共同で発明しました。この発明による特許は9億米ドル以上をもたらしました。パワーMOSFETと同様にGaN FETでも、基本特許を含めてパワー半導体技術における多数の特許を取得しています。最近では、GaNトランジスタの最初の書籍である「GaN Transistors for Efficient Power Conversion」を共同執筆しました。DesignCon 2015でのAlexの基調講演は、1月29日（木）の午後12時～12時30分に開催されます。

米EDN誌
2014年12月3日
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「GaNの利用法」シリーズのこの回では、鍵となるスイッチングの性能指数FOM（figure of merit）を大幅に改善し、高周波電力変換においてパワーMOFETとの特性の差を広げることで、ムーアの法則が生き続けていることをeGaN FETの新しいファミリーで説明します。

米EEWeb誌
By: Alex Lidow
2014年10月

窒化ガリウム（GaN）は、次世代のパワー・トランジスタとして、シリコンMOSFETを十分に置き換えることができる技術の1つです。シリコンが、その性能限界に近づくと同時に、GaNデバイスは、より優れた導通特性と、より高速なスイッチング特性で注目されるでしょう。この短いポッドキャストで、Alex Lidow（アレックス・リドウ）は、GaNパワー・デバイスとシリコン・パワー・デバイスとの違いについて語っています。

米Power Electronic TIPS誌
2014年9月

この記事では、10 MHzでスイッチングするハード・スイッチングのバック（降圧型）・コンバータの結果を示し、コンバータの損失の内訳を説明します。eGaN^® FETを使って、現在利用可能な並ぶもののない高周波特性を実証し、より高いスイッチング周波数へ押し上げるための現在の制約にも焦点を当てます。

米EEWeb誌
By: Alex Lidow
2014年8月

GaNオン・シリコンFETでパワー・デバイス市場に押し寄せる意図、EPC社のAlex Lidow（アレックス・リドウ）が将来の市場機会について米Compound Semiconductor誌に語りました。

米Compound Semiconductor誌
2014年7月
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今回は、電力変換システムの設計者が窒化ガリウム・トランジスタの優れた特性を簡単に評価するための手段として設計されたeGaN® FETモジュールを取り上げます。

By: Alex Lidow
2014年6月

IEEE PELSが6月4日にウェビナ（webinar）を開催、Alex LidowとMichael de Rooijがワイヤレス・パワー伝送システムの高効率化へのeGaN®パワー・トランジスの貢献を議論

エフィシエント・パワー・コンバージョン社（EPC：Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）の窒化ガリウム・トランジスタの設計と利用のエキスパートは、6月4日の午前10時30分～午前11時30分（東部夏時間）に、IEEE Power Electronics Society（PELS）が主催する1時間のウェビナを実施します。

EPCのCEO（最高経営責任者）であるAlex Lidowは、EPCのeGaN FET向けの新奇なアプリケーションに関して、米Electronic Design誌エディタのDon Tuite氏のインタビューを受けました。

Electronic Design誌
2014年3月
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この回では、ハード・スイッチング・コンバータに戻りますが、シリコン技術の現実的な限界を越えて、より高い周波数へ押し上げます。

EEWeb
Alex Lidow
2013年12月