Industry Keynote Highlights AI-Driven Power Trends, 800 VDC Architectures, and GaN Innovation

EL SEGUNDO, Calif. - July 14, 2026, – Efficient Power Conversion (EPC), the world’s leader in enhancement-mode gallium nitride (GaN)–based power solutions, will participate in Tech Taipei Power 2026, one of Taiwan's premier power electronics conferences, bringing together industry experts to discuss the latest advances in power conversion technologies for AI infrastructure, industrial systems, automotive, robotics, and next-generation energy applications.

直径23 mmのGaNインバータは、48 V、PWM（パルス幅変調）周波数100 kHzで連続電流11 A（実効値）を実現します

エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN^®）のパワー・デバイスの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は6月9日、GaN搭載の3相モジュールEPC33110をベースとした小型3相BLDCモータ駆動用インバータのリファレンス・デザイン「EPC91132」を製品化したと発表しました。

超低オン抵抗と高速スイッチングを組み合わせた小型な電源設計が可能に

エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN^®）のパワー・デバイスの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は6月8日、耐圧25 VのeGaNパワー・トランジスタの新製品「EPC2378」が量産体制に入ったと発表しました。これによって、高密度パワー・システム設計者は、要求の厳しいDC-DC変換用途において、より高い効率、より高速なスイッチング、より高い電力密度を実現できます。EPC2378は、48 V入力、8 Vまたは5 V出力の LLCコンバータの2次側における同期整流器用途に最適化しています。オン抵抗R_DS(on)が最高クラスの410 μΩ（標準値）で、業界トップ・クラスの低い性能指数（R_DS(on)×ゲート電荷Q_G）によって、より高い周波数とより高い効率での動作が可能になります。これらの能力は、AI（人工知能）インフラ、データセンター、通信システム、産業システム、高度なコンピューティング・プラットフォームなどの急成長市場において特に有益です。

EPC91128～EPC91131の基板は、最大29 A_RMSの相電流を供給するBLDCインバータの迅速な開発を可能にします。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN^®）のパワー・デバイスの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は6月4日、GaN技術を使った次世代モーター制御システムの開発を加速するために設計した小型で高性能な3相BLDCモーター駆動用インバータのプラットフォームである4種の評価基板「EPC91128」、「EPC91129」、「EPC91130」、「EPC91131」を製品化したと発表しました。

GaNベースの設計によって、次世代AI（人工知能）電源向けに97%の全負荷効率を実現

エルセグンド（米カリフォルニア州）– 2026年6月1日 – EPC（Efficient Power Conversion Corporation）は、次世代 AI（人工知能） データセンターの電源アーキテクチャをサポートするために設計した直流800 V入力、直流12.5 V出力の 6 kW 絶縁型コンバータである評価基板「EPC91123」に関する詳細情報を追加したと発表しました。米NVIDIA（エヌビディア）のリファレンス・アーキテクチャ MGX™ AI ファクトリーのエコシステムへの貢献企業として、当社は、次世代 AI インフラ向けに、より高い電力密度、より高い効率、拡張可能なラック・レベルの電力供給が得られる新たに登場した直流800 Vのサーバー・アーキテクチャをサポートできるように設計した高度な GaN ベースの電力変換ソリューションを提供します。

マウザー・エレクトロニクス、高効率パワー設計向けのEPCの最新GaNデバイスを販売へ

15 Vから350 VまでのGaNデバイスを提供するエンハンスメント・モード窒化ガリウム（GaN®）に基づくパワー・マネージメント（電源管理）・ソリューションの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は5月18日、最新の半導体や電子部品を取り扱う正規の世界的な販売代理店である米マウザー・エレクトロニクスとの世界的な販売代理店契約をしたと発表しました。この新たな提携によって、マウザー・エレクトロニクスは、EPCのeGaN® FETとICの全製品のポートフォリオを販売することになります。

小型のモーター駆動やコンバータは、人型ロボット、ドローン、バッテリー駆動工具に貢献します。800 V入力から、負荷点POL（point-of-load）出力までの高電力密度DC-DCコンバータには、EPCの最新世代GaNデバイスが使えます。

カリフォルニア州エルセグンド – 2026年5月13日 — エンハンスメント・モード窒化ガリウム（GaN）に基づくパワー・ソリューションの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は5月13日、2026年6月9日から11日にドイツのニュルンベルクで開催されるパワー・エレクトロニクスの世界的な展示会PCIM Europe 2026に出展し（ホール9、スタンド304）、人型ロボット、ドローン、小型電動モーター・システム向けの最新世代のGaN技術を展示すると発表しました。この展示会でデモを実施し、当社の第7世代GaNプラットフォームが、次世代インテリジェント・モーター・システムやAI（人工知能）の電力供給向けの小型で量産対応のパワー・アーキテクチャをどのように実現するかを示します。これらのデバイスは、より高いスイッチング周波数、より低い損失、より密なレイアウトを可能にし、ロボットのモーター制御における効率と統合性を向上させます。

評価プラットフォームのEPC9186HC2とEPC9186HC3は、eGaN^® FET技術のEPC2361を使って、最大150 A（実効値）の大電流BLDC制御を可能にします。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN^®）のパワー・デバイスの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は4月14日、ロボット、産業自動化、小型電気自動車、電動自転車、フォークリフト、農業機械、バッテリー駆動モビリティ・システム、高出力ドローンなどの用途向けに設計した高性能3相BLDCモーター駆動用インバータのプラットフォームの評価基板２品種（「EPC9186HC2」と「EPC9186HC3」）を製品化したと発表しました。最大5 kWのモーター駆動システムに対応するこれらの基板によって、耐圧100 VのeGaN^® FET技術のEPC2361に基づいた小型で高効率なインバータ・アーキテクチャを評価できます。

ePower™ Stage ICは、故障時の高速シャットダウンを実現し、デューティ比100%の連続動作に対応し、シングル入力ピンのPWMオプションによって多軸設計を容易にします。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN^®）のパワー・デバイスの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は4月2日、人型ロボット、ドローン、その他の小型のバッテリー駆動プラットフォームなどの高性能モーター・システムやパワー・システム向けに改善した新世代の100 Vの集積化したGaNパワー段ICの「EPC23108」、「EPC23109」、「EPC23110」、「EPC23111」を発表しました。これらのデバイスは、集積化したGaN技術特有の高効率と高電力密度の利点を維持すると同時に、実装の単純化と、実環境における動作の耐久性の向上を実現できるように設計しています。

EPCのAPECブースで展示した第7世代eGaN^®パワー・トランジスタのEPC2366を搭載した50 A_RMSの3相インバータ・プラットフォーム>

エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN^®）のパワー・デバイスの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は3月23日、米国テキサス州サンアントニオで開催されているパワー半導体のイベントAPEC 2026において、耐圧40 Vの第7世代eGaN^®パワー・トランジスタEPC2366を中心に構築したモーター駆動用インバータ評価基板「EPC91121」を製品化し、同社のブース（番号1935）でそのプラットフォームを展示したと発表しました。

実験室で実施した信頼性試験と実際のミッション・プロファイルとの間のギャップを埋める

エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN^®）のパワー・デバイスの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は3月19日、eGaNデバイスの信頼性に関する新たな知見を提供するフェーズ18の信頼性レポートを公表したと発表しました。このレポートは、実験室で実施した信頼性試験と実際のミッション・プロファイルにおけるデバイス性能とのギャップを埋めることで、これまでの調査をさらに発展させたものです。ユーザーとの緊密な連携を通じて策定され、評価された研究論文や国際会議での発表によって裏付けられたアプリケーション固有のストレス条件下におけるデバイス寿命をより正確に予測するための新しい手法を紹介しています。

100 VのGaNベース・インバータのリファレンス・デザイン。相電流50 ARMS、検出回路搭載で、最高150 kHzのPWM（パルス幅変調）動作を実現。

カリフォルニア州エルセグンド – 2026年3月12日 – エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN^®）のパワー・デバイスの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は3月12日、ロボット、イーモビリティ、ドローン、産業自動化、バッテリー駆動システムにおける高効率モーター駆動用途の開発を加速するために設計した完全な3相BLDCモーター駆動用インバータの評価基板「EPC91202」を製品化したと発表しました。

AIコンピューティングと次世代ロボットのためのスケーラブルなパワーを実現

エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN^®）のパワー・デバイスの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2月26日、パワー半導体の展示会APEC（Applied Power Electronics Conference）2026で、AI（人工知能）インフラやロボット向けの最新世代GaN技術を展示すると発表しました。このイベント期間中、当社は、ブース番号1935において、第7世代GaNと高度に集積化したGaN ICが、高密度コンピューティングや次世代ロボット・システムへのスケーラブルな導入を可能にし、デモ用プラットフォームから量産対応のパワー・アーキテクチャへと進化していく過程を紹介します。このブースでは、当社の技術者が、システム・アーキテクチャ、信頼性評価手法、アプリケーションへの実装に関する一連の技術プレゼンテーションを実施します。

制御、検出、通信の機能を備えた統合型 GaNパワー段は、スペースが限られたロボット用途向けに直径32 mmの円形設計で最大電流20 ARMSを供給できます。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN^®）のパワー・デバイスの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2月23日、人型ロボットの関節用途向けに特別に設計した3相BLDCモーター駆動用の高性能インバータ評価基板「EPC91122」を製品化したと発表しました。EPCの高度に統合した3相ePower™ StageモジュールEPC33110を搭載したEPC91122は、スペースが限られたロボットの関節向けに最適化した超小型形状で、最大20 A_RMS（28 A_peak）の相電流を供給できます。マイコン、モーター軸角度センサー、ハウスキーピング電源、高精度の電圧・電流検出など、完全なモーター駆動用インバータの主要機能をすべて統合しています。

EPCの GaN技術により、ルネサスは民生用および AI電源市場での競争力を強化

エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN^®）のパワー・デバイスの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2月10日、先進的な半導体ソリューションと高電圧GaNトランジスタの世界的大手サプライヤであるルネサス エレクトロニクスとの包括的なライセンス契約を発表しました。

EPCの第7世代eGaN^®デバイスの量産が始まり、このデバイスは、シリコンMOSFETよりも最大3倍の性能向上を実現します

エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN）のパワー・デバイスの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2月2日、第7世代（Gen7）のeGaNパワー・トランジスタ・ファミリーの最初の製品「EPC2366」の量産を開始したと発表しました。この第7世代プラットフォームは、トランジスタ性能において新たな最先端技術を提供します。EPC2366は、同等のシリコンMOSFETに比べて最大3倍の性能向上を実現します。オン抵抗R_DS(on)は標準値で 0.84 mΩ、高度に最適化したR_DS(on)×ゲート電荷 Q_Gの性能指数（FoM：figure of merit）12.6 mΩ・nC未満であり、導通損失とスイッチング損失を同時に低減し、熱特性も改善します。高効率、高密度のパワー・システム向けに設計したこのデバイスは、同期整流、高密度DC-DC変換、AI（人口知能）サーバーの電源、高度なモーター駆動に優れています。

耐圧40 VのeGaN^® FETである EPC2366は、次世代パワー・エレクトロニクスの性能、効率、電力密度において新たなベンチマークを確立します。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2026年1月13日、エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN^®）の耐圧40 Vのパワー・トランジスタ「EPC2366」が、EPDTの 2025年のパワー・トランジスタ部門で年間最優秀製品賞を受賞したと発表しました。この受賞は、データセンター、ロボット、AI（人口知能）インフラといったアプリケーションにおいて、より高い効率と性能を実現する最先端のGaN技術の提供におけるEPCのリーダーシップを改めて示すものです。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は12月8日、グローバル・マーケティング・コミュニケーションズ部門ディレクタにMaurizio Di Paolo Emilioを任命したと発表しました。同氏は、パワー半導体分野で豊富な経験があり、ワイド・バンドギャップ（WBG）技術の専門知識を持っています。

次世代電源ソリューションの推進に尽力してきた同氏は、初期構想から最終製品の発表に至るまで、最先端半導体製品の評価に携わってきました。この分野に関する多数の論文を発表したほか、複数の書籍の執筆・編集も手掛ました。同氏の技術的洞察力、業界知識、そしてイノベーションへのコミットメントは、当社のリーダーシップ・チームにとって貴重な存在となります。

リファレンス・デザインのEPC91120は、ロボットの関節や UAV（無人航空機）向けに、超小型で電力、検出、制御を統合しています。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN^®）のパワー・デバイスの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は11月5日、人型ロボットの関節向けに最適化した高性能3相ブラシレスDC（BLDC）モーター駆動用インバータ「EPC91120」を発売したと発表しました。EPC91120には、当社のePower™ Stage ICのEPC23102を搭載し、ロボットのモーター・アセンブリ内に直接組み込める直径32 mmの小さな面積で、優れた効率、高い電力密度、高精度なモーター制御を実現します。

EPCのモジュール型5 kWのGaN設計がAI（人工知能）サーバーとOCP ORv3ラックに電力を供給

エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN^®）のパワー・デバイスの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は10月22日、次世代サーバーや AI（人工知能）の電源アーキテクチャ向けの窒化ガリウム（GaN）技術の可能性を最大限に発揮する交流（AC）入力、直流48 V出力の高効率、高電力密度の5 kWリファレンス・デザインの提供を開始したと発表しました。

4レベル・トーテムポールPFC（EPC91107KIT）と入力直列出力並列（ISOP：Input-Series Output-Parallel）LLCコンバータ（EPC91110KIT）で構成されるこの完全なシステムは、最大96.5%のシステム効率と116 W/立方インチ（1インチは2.54 cm）の総合電力密度を実現します。Open Rack V3（OCP ORv3）のサイズ要件を満たすように設計したこのモジュール型ソリューションは、同等のシリコン実装と比べて、大幅に小型化され、低コストでありながら優れた性能を実現します。