低電圧GaN：高電圧アプリケーションへの電力供給

より小さく、よりクールに、よりスマートに。

デモ・ボードのEPC91110とEPC91107で、超高効率で小型なAC/DC電力変換を実現します。低電圧GaN FETを設計に採用したこれらのソリューションは、シリコンよりも高い電力密度と低い損失を提供し、データセンターの電力をより小型、軽量、そしてより高効率にします。

AC/DCに低電圧GaNを使うのはなぜか？

  • 高効率化：スイッチング損失と導通損失を低減し、より低温で動作します。
  • 小型化：高周波動作によって、磁気部品と全体的な実装面積を小型化できます。
  • 低コスト化

ソリューションの特徴

完全な5 kWシステム
240 VAC_RMS 入力、最大 25 ARMS連続）、
50 VDC 出力、100 A
電力密度＝107 W/立方インチ（1インチは2.54 cm）

EPC91107 Evaluation Board

EPC91107KIT：5 kW、4レベルのトーテムポールPFC
VIN: 200～277 VAC_RMS
VOUT: 400 VDC
IOUT: 12.5 A

EPC91107 Evaluation Board

EPCの4レベル・フライング・コンデンサのトーテムポールPFCは、基板全体にわたって2レベル設計を上回っています：

  • 40%小さい
  • BOMコストを10%削減
  • GaNによる高効率化

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EPC91110KIT：5.5 kW、8対1の固定比、400 V入力、50 V出力の絶縁型コンバータ
VIN: 400 VDC
VOUT: 50 VDC
IOUT: 110 A

EPC91107 Evaluation Board

フルブリッジ整流器を備えた従来のハーフブリッジ２個のLLCのコストを4カスケード高電圧LLCと比較：

  • 磁気部品コストの低減
  • より単純化した変圧器と整流器
  • 全BOMコストを20%以上削減

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Low Cost and Low Profile 800 VDC to 12.5 V DC-DC Converter Using Low Voltage GaN in an ISOP Topology

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Increasing Power Density using Low Voltage eGaN FETs in High-Voltage Server Power Supplies – Part 1

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高電圧サーバー電源における低電圧eGaN FETを使った電力密度の向上 – パート3：ISOP LLCコンバータ
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