EPCは、耐圧40 V、オン抵抗1.6 mΩのeGaN® FETであるEPC2069 を製品化し、高性能が要求され、スペースに制約のあるアプリケーション向けに、現在利用可能なデバイスよりも小型、高効率で信頼性の高いデバイスを設計者に提供します。
エンハンスメント・モードの窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN）のパワーFETとICの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は9月21日、eGaN FETの「EPC2069」（標準値1.6 mΩ、40 V）を製品化し、既製品の低耐圧窒化ガリウム・トランジスタの性能を高めたと発表しました。
EPC2069は、48 V〜54 V入力のサーバーなど、高電力密度への厳しい要件のあるアプリケーションに最適です。ゲート電荷が小さく、逆回復損失がゼロなので、最先端の電力密度のための10.6 mm2 と超小型の実装面積で、1 MHz以上の高周波動作が高効率で可能になります。EPC2069は、500 W～2 kWの範囲の48 V入力、12 V出力のDC-DCソリューションをサポートし、98％を超える効率が実現できます。4000 W / 立方インチ（1インチは2.54 cm）以上の最大電力密度を実現するには、1次側と2次側の両方にeGaNデバイスを使う必要があります。
「EPC2069は、40 V～ 60 V入力、12 V出力のLLC DC-DCコンバータの2次側向けに最適な設計です。この製品は、AI（人工知能）やゲームなどの高密度コンピューティングのアプリケーションに必要な新しい48 V～ 54 V入力のサーバーで非常に一般的になりつつあります。この40 Vのデバイスは、前世代の40 VのGaN FETと比べて、サイズが小さく、寄生成分が少ないことに加えて、低コストです。したがって、設計者に性能の向上とコストの削減の両方を提供します」と共同創立者でCEO（最高経営責任者）のAlex Lidow（アレックス・リドウ）は、語っています。
開発基板
開発基板のEPC90139は、最大デバイス電圧40 V、最大出力電流40 A、ゲート駆動回路を備えたハーフブリッジ構成で、eGaN FETのEPC2069を搭載しています。この面積2インチ✕ 2インチ（50.8 mm✕50.8 mm）の基板は、最適なスイッチング特性を実現するように設計されており、EPC2069を簡単に評価するためのすべての重要な部品を搭載しています。EPC2069とEPC90139は、いずれも米Digi-Key社から入手できます。
米国での参考価格と入手方法
eGaN FETのEPC2069の単価は、2500個 /リールのとき2.73米ドルです。
開発基板EPC90139の単価は123.75ドルです。
EPC2069とEPC90139はいずれも、米Digi-Key社のウエブサイト（https://www.digikey.com/en/supplier-centers/epc）から入手でき、即座に配送されます。
EPCについて
EPCは、エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN®）に基づいたパワー・マネージメント（電源管理）・デバイスのリーダーです。eGaN FETと集積回路は、DC-DCコンバータ、リモート・センシング技術（Lidar）、イーモビリティ向けモーター駆動モーター駆動 、ロボット、ドローン、低価格衛星などの用途で、最高のパワーMOSFETよりも何倍も高性能です。
報道関係の問い合わせ先
Efficient Power Conversion：
Renee Yawger 電話：1.908.475.5702、電子メール：[email protected]