15 V～350 Vの範囲の窒化ガリウム（GaN）ヘテロ接合電界効果パワー・トランジスタは、電力変換、モーター駆動、Lidar（光による検出と距離の測定）用パルス光などの用途において、効率、サイズ、速度、コストで、シリコンに比べて大きな利点をもたらすことが示されています。GaNの集積化によって、多くの高周波用途に多くのシステム上の利点がもたらされます。GaNの集積化は、まだ始まったばかりですが、時間の経過と共にその利点は確実に拡大します。

独Bodo’s Power Systems
2023年6月
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モーター制御の分野では、特に低電圧用途でGaNデバイスの利用が増えています。このホワイト・ペーパーでは、モーター制御用途でのGaN FETの最適な利用に関する設計者向けのガイドラインを提供し、その利点を特定し、主な問題について説明します。

スイスのEnergiesジャーナル誌
2021年10月
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シリコン・パワーMOSFETは、効率、電力密度、小型形状などの要素がコミュニティの主な要求であるパワー・エレクトロニクス業界の革新的な変化に対応できていません。シリコンMOSFETは、パワー・エレクトロニクスの理論上の限界に達しており、基板スペースが限られているため、パワー・システムの設計者は代替品を必要としています。窒化ガリウム（GaN）は、高電子移動度トランジスタ（HEMT）半導体であり、新たに出現したアプリケーションに真の付加価値を提供しています。

米EETimes誌
2020年8月
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Efficient Power Conversion（EPC）社は、入手可能な窒化ガルウム・トランジスタのコストを削減し、チップ面積と実装面積を縮小すると同時に、性能を向上させた第5世代（Gen5）プロセスへの強化によって、シリコンMOSFETのパワー素子に一段と大きな打撃を与えました 。

EPC社のCEO（最高経営責任者）／共同設立者であるAlex Lidow（アレックス・リドウ）と彼のチームは、再度、努力して彼らの専門知識を活用し、シリコン・デバイスが実現できる以上の性能を必要とする新しい市場に向けて、ユニークなパワー・ソリューションの選択肢を提供します。このチームの技術力と深い理解度は、プロセスの量子力学にまで及び、ソリューションのサイズとコストを削減するだけでなく、より優れた性能も実現しています。

米EDN誌
2017年3月15日
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3300億米ドルのシリコン・チップ業界は、あらゆる電子機器の基盤となっています。しかし、多くの合併や買収を促している成熟の新しいレベルに達しているので減速しています。

このため、シリコンの代替材料 ―― 窒化ガリウム（GaN）の業界のパイオニアであり、主たる提唱者であるAlex Lidow（アレックス・リドウ）は、彼の時代が来たように感じています。彼の会社であるEfficient Power Conversion（EPC）社は、以前のチップの半分の面積で、大幅に高性能化したeGaNチップの新しい世代を発表しています。

米VentureBeat誌
2017年3月15日
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スイッチング速度が速いパワー・トランジスタは、電源の小型化とエネルギー伝送の高効率化を可能にします。実際、設計者は、ヒートシンクの除去によって、ワイヤレス・パワー伝送を可能にする電源などで、まったく新しい形状のパワー段やモジュールを思い浮かべることができます。シリコン基板上に形成した窒化ガリウム（GaN）・トランジスタは、電源を高効率化でき、実装面積の削減に貢献します。

米Electronic Design誌
2016年3月
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DC-DC「ブリック」・コンバータは、多くのエンジニアにはよく知られており、通信、ネットワーキング、データセンター、および、その他の多くのアプリケーションで広く使われています。これは、電源モジュールの標準化団体である米DOSA（Distributed-Power Open Standards Alliance）によって定義された共通のフットプリントが広く受け入れられているためで、一般的に入力／出力電圧範囲が採用されています。これらのコンバータは、絶縁型や降圧型であり、先進的なシステムの最適化と制御を可能にする機能によって、ますます洗練されてきています。

米EDN Networkk
2015年11月23日
By: John Glaser
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拡大する産業が活況を呈している場合、通常、買収や統合のレースは、一般的に反対側の反映です ―― 成熟における緩やかな成長期は、しばしば、いったん高度飛行の領域になります。多くの産業は、スターダムの期間を経験し、急で着実な降下へと続きます。一方で、私たちの社会経済の活力に対する中心的な基幹産業でこれが発生した場合、私たちは非常に懸念すべきです。

米フォーブス誌
2015年6月26日
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実用的なワイヤレス・パワー・システムは、このようなシステムの利便性の要素に対応する必要があります。A4WPクラス3などの規格は、利便性の要素に対応しており、アンプの特性を比較するための出発点として使うことができるように、コイルのインピーダンスを広い範囲で定義しています。WiGaNの今回の記事で、ZVSのD級アンプとE級アンプの両方がA4WPクラス3規格に対して6.78 MHzでテストされます。

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このシリーズの前の回では、eGaN® FETの利点、および、シリコンMOSFETで可能とする以上の高い効率と高いスイッチング速度が得られるこのデバイスの可能性について議論しました。この回では、eGaN FETで達成可能な特性を得るために、ドライバとレイアウトの考察について議論します。

米EEWeb誌
By: Alex Lidow
2013年8月

The recent introduction of enhancement mode GaN transistors (eGaN™) as power MOSFET/ IGBT replacements in power management applications enables many new products that promise to add great system value. In general, an eGaN transistor behaves much like a power MOSFET with a quantum leap in performance, but to extract all of the newly-available eGaN transistor performance requires designers to understand the differences in drive requirements.

By Johan Strydom and Alex Lidow
September, 2010

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