Efficient Power Conversion（EPC）は、GaNの信頼性とミッションの耐久性に関する広範な知識ベースに、新たに分かったことを加えたフェーズ16の信頼性レポートを公開します。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は3月12日、フェーズ16の信頼性レポートを公表したと発表しました。このレポートでは、故障するまでのテスト手法を使った継続的な作業を文書化し、過電圧仕様や熱機械的信頼性の向上に関する具体的なガイドラインを追加しています。

EPCのCEO（最高経営責任者）のAlex Lidow（アレックス・リドウ）を招いたPowerUP のこのエピソードでは、特にモーター制御とLidar（光による検出と距離の測定）の各システムに焦点を当て、広範なアプリケーションにわたるGaN技術の革命的な影響について詳しく調べます。

米Power Electronics News誌
2024年2月
ポッドキャストを聞く

Efficient Power Conversion（EPC）は、電力変換ソリューション向けの放射線耐性のある（耐放射線）窒化ガリウム（GaN）製品のファミリーを拡張し、定格62 Aおよび 250 Aの 2種の新しい耐圧40 Vのデバイスを製品化しました。宇宙およびその他の高信頼性の厳しい用途に対応します。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は7月18日、定格40 Vの耐放射線（Rad Hard）GaN FET を2品種製品化したと発表しました。「EPC7001」は、実装面積が7 mm²と小さく、耐圧40 V、オン抵抗4 mΩ、パルス電流250 Aの耐放射線GaN FETです。「EPC7002」は、40 V、14.5 mΩ、パルス電流62 Aの耐放射線GaN FETで、実装面積は1.87 mm²と非常に小型です。いずれのデバイスも、ドレイン-ソース間電圧VDSが最大ブレークダウン定格の100%のとき、総線量定格は1000K Rad(Si) 以上で、LET（線エネルギー付与）に対するSEE（シングル・イベント効果）耐性は 83.7 MeV/mg/cm²です。これらの新しいデバイスは、他の耐放射線ファミリーと同様に、チップスケール・パッケージで提供されます。パッケージ版は、米EPC Space.から入手できます。

Efficient Power Conversion（EPC）は、定格100 Vと200 Vの 2種の新しいデバイスを製品化しました。これによって、電力変換ソリューション向けの耐放射線（Rad-hard）窒化ガリウム（GaN）製品のファミリーを拡張したので、多数の過酷な宇宙用途や、その他の高信頼性用途に対応できます。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は4月11日、2種の新しい耐放射線GaN FETを製品化したと発表しました。１つは「EPC7020」で、定格200 V、オン抵抗11 mΩ、パルス電流170 Aの耐放射線GaN FETであり、面積が12 mm2と小型です。もう1つの「EPC7003」は、100 V、30 mΩ、パルス電流42 Aの耐放射線GaN FETで、面積は1.87 mm2と超小型です。いずれのデバイスも、総線量の定格が1000K Rad(Si)以上で、定格ブレークダウンの最大100%のドレイン-ソース間電圧VDSで 83.7 MeV/mg/cm²の LET（Linear Energy Transfer）に対するSEE（シングル・イベント効果）耐性があります。これらの新しいデバイスは、このほかの耐放射線（Rad Hard）ファミリーのEPC7019, EPC7014、EPC7004、EPC7018、EPC7007と共に、商用eGaN^® FETとICのファミリーと同じチップスケール・パッケージで提供されます。パッケージ版はEPC Spaceから入手できます。

Efficient Power Conversion（EPC）は、フェーズ15の信頼性レポートを公開し、GaNの信頼性とミッションの耐久性に関する広範な知識ベースを追加します。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は4月4日、フェーズ 15の信頼性レポートを公開したと発表しました。これは、故障するまでテストするという方法論を使った継続的な作業を文書化し、太陽光発電のオプティマイザ、Lidar（光による検出と距離の測定）用センサー、DC-DCコンバータなどの実際のアプリケーションに対する特定の信頼性の指標と予測を追加しました。

EPCは、車載品質の規格AEC-Q101認定のGaN FETである耐圧80 VのEPC2252を発売し、車載品質のLidar（光による検出と距離の測定）、48 V入力、12 V出力のDC-DC変換、および低インダクタンスのモーター駆動に向けたシリコン MOSFETよりも大幅に小型で高効率なソリューションを設計者に提供します。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN^®）のFETとICの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は1月24日、実装面積1.5 mm×1.5 mmで、パルス電流75 A、耐圧80 V、オン抵抗1.1 mΩの「EPC2252」を発売し、市販の車載用窒化ガリウム・トランジスタの選択肢を広げたと発表しました。自動運転や、その他のADAS（先進運転支援システム）の用途、48 V入力、12 V出力のDC-DC変換、低インダクタンス・モーターの駆動に使う車載品質のLidar（光による検出と距離の測定）用シリコン MOSFETよりも大幅に小型で高効率なデバイスをパワー・システム設計者に提供します。

Efficient Power Conversion（EPC）は、掃除機、ロボット、3次元セキュリティ・カメラ、3次元センシングなどの飛行時間（ToF）型 Lidar用途向けに、15 Aのパルス電流能力を備えた80 Vのレーザー・ドライバICの EPC21701を製品化しました。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は1月17日、ロボット、監視システム、掃除機で使われる飛行時間（ToF：time-of-flight）型Lidar（光による検出と距離の測定）システム向けに、ゲート・ドライバや3.3 Vの論理レベル入力を備えた80 V、40 AのFETをワン・チップにモノリシック化したレーザー・ドライバ「EPC21701」を製品化したと発表しました。これは、ジェスチャ認識、飛行時間 （ToF）測定、ロボット・ビジョン、産業用の安全確保のためのLidarシステムに合わせて設計されています。

電力変換技術は、バイポーラからMOSへの移行以来、最初の地殻変動を経験しています。もちろん、その変化は、ワイド・バンドギャップのパワー・デバイスの急速な普及によるものです。現時点では、GaNは単なる特殊技術ではありません；これは、数10億米ドル規模の市場である30 Vから650 Vまでの範囲の用途において、シリコンMOSFETの広範な代替品です。

米Power Electronics News誌
2022年12月
記事を読む

EPCは、80 Vの車載品質AEC-Q101認定の新しい GaN FETを2品種発売し、自動車の48 V入力、12 V出力のDC-DC変換、インフォテインメント、自動運転用Lidar向けのシリコンMOSFETよりも大幅に小型で高効率なソリューションを設計者に提供します。

エンハンスメント・モード窒化ガリウム（eGaN^®）のFETとICの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は12月8日、面積が2.5 mm×1.5 mmでパルス電流125 Aを供給できる耐圧80 V、オン抵抗6 mΩの「EPC2204A」、および 面積3.5 mm×1.95 mmでパルス電流231 Aを供給する80 V、3.2 mΩ の「EPC2218A」を発売し、市販の車載用窒化ガリウム・トランジスタの選択肢を拡大したと発表しました。48 Vと12 Vの間の変換用の車載用DC-DC、インフォテインメント、自動運転用Lidar（光による検出と距離の測定）向けのシリコン MOSFETよりも大幅に小型で高効率なデバイスを設計者に提供します。

Efficient Power Conversion（EPC）は、厳しい宇宙搭載環境やその他の高信頼性が要求される環境での電力変換ソリューション向けの耐放射線（rad-hard）窒化ガリウム（GaN）製品のファミリーを拡張し、この製品ファミリーに5番目の耐放射線デバイスを追加します。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は6月30日、耐放射線特性を強化したGaN FET「EPC7004」を製品化すると発表しました。EPC7004は、耐圧100 V、オン抵抗7 mΩ、パルス電流160 A_Pulsedの耐放射線GaN FETで、実装面積は6.56 mm²と小型です。EPC7004の総線量の定格は1 Mrad以上で、85 MeV/(mg/cm²)のLETに対するSEE耐性があります。EPC7004、および、この他の耐放射線ファミリーであるEPC7014、EPC7007、EPC7019、EPC7018は、市販のeGaN® FETとICのファミリーと同じチップスケール・パッケージで提供されます。パッケージ封止のバージョンは米EPC Spaceから入手できます。

Efficient Power Conversion（EPC）は、厳しい宇宙搭載環境やその他の高信頼性が要求される環境での電力変換ソリューション向けの耐放射線（rad-hard）窒化ガリウム（GaN）製品のファミリーを拡張し、現在市場に出回っている100 Vの耐放射線トランジスタの中で最もオン抵抗が小さい100 Vのデバイスを製品化します。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は6月14日、耐放射線特性を強化したGaN FET「EPC7018」を製品化すると発表しました。EPC7018は、耐圧100 V、オン抵抗3.9 mΩ、パルス電流345 A_Pulsedの耐放射線GaN FETで、実装面積は13.9 mm²と小型です。EPC7018の総線量の定格は1 Mrad以上で、85 MeV/(mg/cm²)のLETに対するSEE耐性があります。EPC7018、および、この他の耐放射線ファミリーであるEPC7014、EPC7007、EPC7019は、市販のeGaN^® FETとICのファミリーと同じチップスケール・パッケージで提供されます。パッケージ封止のバージョンは米EPC Spaceから入手できます。

このPCIMインタビューでは、EPCのCEO（最高経営責任者）であるAlex Lidow（アレックス・リドウ）が、EPCによって開発されたGaN FETとICが、自律性やその他の視覚ベースのシステムを可能にする高解像度Lidar（光による検出と距離の測定）に必要な短いパルス幅をどのように実現するかを説明します。

米Electronic Design誌
2022年5月
インタビューを見る

Sensitronは、Efficient Power Conversion（EPC）の350 VのeGaN^® FETであるEPC2050を使ったGaNハーフブリッジ・モジュールSPG025N035P1Bを製品化しました。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は5月17日、米Sensitron Semiconductorが、従来のシリコンFETをEPCの350 VのGaN FET （EPC2050）に置き換えることで、ソリューションのサイズを60％小型化し、モジュールの接合部からパッケージへのすでに優れていた熱伝導も一段と改善することができたと発表しました。サイズとコストの削減は、最新世代のGaNパワー・モジュールを設計する際のSensitronの重要な関心事でした。同社のSPG025N035P1Bは、ゲート駆動回路を搭載した350 V、20 Aの高電力密度GaNハーフブリッジであり、浮遊インダクタンスと500 kHzでのスイッチング特性が最適化されています。この定格20 Aのモジュールは、3 kW以上の制御に使えます。超小型軽量の高電力密度パッケージ（1.10インチ×0.70インチ×0.14インチ、1インチは2.54 cm）での同社独自の上面冷却技術によって、最適な熱特性が得られています。SPG025N035P1Bは、商業、産業、航空宇宙用のアプリケーション向けに設計されました。

Efficient Power Conversion（EPC）は、耐放射線特性を強化した窒化ガリウム（GaN）製品のファミリーを拡張し、超低オン抵抗で超小型の200 Vデバイスを製品化し、厳しい宇宙搭載環境やその他の高信頼性環境での電力変換ソリューションを実現します。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は5月3日、耐放射線特性を強化したGaN FET「EPC7007」を製品化すると発表しました。EPC7007は、耐圧200 V、オン抵抗25 mΩ、パルス電流80 A_Pulsedの耐放射線GaN FETで、実装面積は5.76 mm²と小型です。EPC7007の総線量の定格は1 Mrad以上で、85 MeV/(mg/cm²)のLETに対するSEE耐性があります。これらのデバイスは、市販のeGaN FETとICのファミリーと同じチップスケール・パッケージで提供されます。パッケージ封止のバージョンは米EPC Spaceから入手できます。

Efficient Power Conversion（EPC）は、車載品質のトランジスタと集積回路のファミリーに最新の製品を追加し、ロボット、ドローン、3次元センシング、自動運転車などの飛行時間（ToF）型Lidar（光による検出と距離の測定）用途向けに高性能で小型のソリューションを提供します。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は4月20日、定格100 V、オン抵抗58 mΩ、パルス電流20 Aの共通ソースのデュアル窒化ガリウムFET「EPC2221」を発売したと発表しました。EPC2221は、ロボット、監視システム、ドローン、自動運転車、掃除機向けのLidar（光による検出と距離の測定）システムで使えます。

EPC2050は、パワー・システム設計者向けに、耐圧350 V、最大オン抵抗80 mΩ、ピーク電流26 Aのパワー・トランジスタを非常に小さなチップスケール・パッケージに収めています。この新しいデバイスは、マルチレベル・コンバータ、電気自動車の充電、太陽光発電用インバータ、Lidar（光による検出と距離の測定）、LED（発光ダイオード）照明に最適です。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は4月7日、最大オン抵抗が80 mΩでパルス出力電流が26 Aの耐圧350 VのGaNトランジスタ「EPC2050」を発売したと発表しました。EPC2050の面積は、わずか1.95 mm×1.95 mmです。この小さな面積によって、同等のシリコン・ソリューションの面積の1/10でパワー・ソリューションが実現できます。

2021年は、世界がGaNへの扉を開くことを決めた過渡期の年でした。CES週間中の米Power Electronics News誌とのインタビューで、GaN業界のエキスパートたちは、GaNが今、シリコンよりも優れていることを確認しました。

米Power Electronics News誌
2022年1月
記事を読む

エンハンスメント・モード窒化ガリウム・オン・シリコン（eGaN^®）のパワーFETとICの世界的リーダーであるEPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は11月5日、eToF™レーザー・ドライバICのEPC21601が権威あるWorld Electronics Achievement Awards（WEAA）のパワー半導体／ドライバICの2021年の製品賞を受賞したと発表しました。

WEAA賞は、世界中の電子産業の革新と発展に、卓越した貢献をした製品を称える賞です。米ASPENCOREのグローバル・シニア業界アナリストと世界中のオンライン・ユーザーで構成される委員会が受賞者を選出します。ASPENCOREは、米EETimes誌や米EDN誌などの雑誌を発行する世界最大の電子産業メディアであり、米SaaSグループです。

新しい窒化ガリウム（GaN）のファミリーは、自動運転車や3次元センシング向けの飛行時間（ToF）型アプリケーションを、民生部門や産業部門の全体にわたって供給することを目的としています。EPCのCEO（最高経営責任者）であるAlex Lidow（アレックス・リドウ）は、米EE Times誌とのインタビューで、LiDARシステム設計用のeToFレーザー・ドライバのファミリーを低コストで導入することが、LiDARアプリケーションに関してMosfetとどのように競合するかに焦点を当てました。

米ニュース・サイトEEWeb
2021年9月
記事を読む

窒化ガリウム（GaN）と炭化ケイ素（SiC）は、これらの材料の電子を価電子帯から伝導帯にシフトするために必要なエネルギーに基づいて、ワイド・バンドギャップ（WBG）半導体と呼ばれます。SiCは約3.2 eV、GaNは約3.4 eVですが、シリコンでは、わずか1.1 eVです。WBGの特性によって、適用可能なブレークダウン電圧が高くなり、一部のアプリケーションでは最大1700 Vに達することがあります。5月に開催された今年のデジタルのみのPCIMヨーロッパでは、いくつかの企業がGaNとSiCの最新のイノベーションを示し、WBG技術の方向性についての洞察を提供しました。

米EE Times誌の欧州版
2021年7月
記事を読む