EPCのGaN FETは、米アナログ・デバイセズのドライバとコントローラを活用して、GaNの設計を簡素化し、効率を向上させ、冷却コストを削減し、コンピューティング、産業、民生の各用途向けのDC-DCコンバータの最高の電力密度の実現に貢献します。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は2月13日、当社のGaN FETと米アナログ・デバイセズ（ADI）のコントローラを搭載したリファレンス・デザインの製品化を発表しました。

EPCと米アナログ・デバイセズは、EPCのGaN FETを駆動するために完全に最適化された新しいアナログ・コントローラを使ったリファレンス・デザインを発表し、効率96.5%以上を達成しました。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は5月2日、デュアル出力の同期整流型バック（降圧型）・コンバータのリファレンス・デザイン基板「EPC9158」を製品化したと発表しました。この基板は、スイッチング周波数500 kHzで動作し、48 V～54 Vの入力電圧を、安定化された12 V出力に変換し、1相当たり最大25 A、または、合計連続電流50 Aを供給できます。EPCの超効率GaN FETと、米アナログ・デバイセズの新しい同期整流型GaNバック・コントローラLTC7890との組み合わせによって、高電力密度用途向けの小さなフットプリントで、非常に高効率なソリューションを構成できます。このソリューションは、48 V入力、12 V出力、連続電流50 Aで、効率96.5%を達成しています。

11月15日～18日に、electronica 2022では、ドイツのミュンヘンの展示会場で国際的なエレクトロニクス産業を一堂に会します。ワイド・バンドギャップ半導体、再生可能エネルギー、スマート・グリッド、およびエネルギー貯蔵は、electronica 2022のパワー・エレクトロニクス・フォーラムで取り上げられる主要なトピックです。このポッドキャストでは、米オン・セミコンダクターの社長兼CEO（最高経営責任者）のHassane El-Khoury、米Silanna Semiconductor North AmericaのCEOのMark Drucker、Efficient Power Conversion（EPC）のCEOのAlex Lidow（アレックス・リドウ）が、パワー・エレクトロニクス・フォーラムについて紹介します。Alex Lidowへのインタビュは31:55から始まります。

米EETimes誌
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Efficient Power Conversion（EPC）は、ユーザーが拡大しているモーター駆動用途にGaNの力を活用できるよう支援するために、イタリアのトリノにモーター駆動の新しいセンター ・オブ ・エクセレンス（CoE）・デザイン・センターを開設しました。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は9月14日、イタリアのトリノ近郊に、イーモビリティ、ロボット、ドローン、および産業オートメーションの市場におけるGaN技術に基づくモーター駆動用途の拡大に焦点を当てた新しいデザイン・アプリケーション・センターを開設したと発表しました。このスペシャリスト・チームは、ユーザーの設計サイクルの加速をサポートし、400 W～数10 kWまでの用途をテストするための最先端の機器を使って、パワー・マネージメント（電源管理）用の将来の集積回路の設計に貢献します。

エピソード5では、ホストのDr. Sanjay Guptaと、ゲストのEfficient Power Conversion（EPC）のCEO（最高経営責任者）であるAlex Lidow（アレックス・リドウ）が対談し、GaNが無線充電の未来をどのように前進させているかを探ります。ワイヤレス・パワーの成熟と採用が進むにつれて、この業界は、性能、効率、ユーザー体験を向上させるソリューションを必要としています。窒化ガリウムは、従来のシリコンで実現できるよりも大電力のアプリケーションを可能にするために不可欠であり、ラップトップ、ドローン、ロボット、電動工具、電動自転車、産業機器など、複数の機器やより多様な機器を充電するための扉を開きます。GaNトランジスタを採用した無線充電回路も、同じ電力レベルを処理できるシリコン・デバイスよりも1/5〜1/10へと小型になっています。

ワイヤレス・パワー技術推進団体AirFuelアライアンス
2022年5月
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Sensitronは、Efficient Power Conversion（EPC）の350 VのeGaN^® FETであるEPC2050を使ったGaNハーフブリッジ・モジュールSPG025N035P1Bを製品化しました。

EPC（Efficient Power Conversion Corporation、本社：カリフォルニア州エルセグンド）は5月17日、米Sensitron Semiconductorが、従来のシリコンFETをEPCの350 VのGaN FET （EPC2050）に置き換えることで、ソリューションのサイズを60％小型化し、モジュールの接合部からパッケージへのすでに優れていた熱伝導も一段と改善することができたと発表しました。サイズとコストの削減は、最新世代のGaNパワー・モジュールを設計する際のSensitronの重要な関心事でした。同社のSPG025N035P1Bは、ゲート駆動回路を搭載した350 V、20 Aの高電力密度GaNハーフブリッジであり、浮遊インダクタンスと500 kHzでのスイッチング特性が最適化されています。この定格20 Aのモジュールは、3 kW以上の制御に使えます。超小型軽量の高電力密度パッケージ（1.10インチ×0.70インチ×0.14インチ、1インチは2.54 cm）での同社独自の上面冷却技術によって、最適な熱特性が得られています。SPG025N035P1Bは、商業、産業、航空宇宙用のアプリケーション向けに設計されました。