EPC90133：EPC2302を搭載した100 V、40 Aのハーフブリッジ開発基板
開発基板のEPC90133は、最大デバイス電圧100 V、最大出力電流40 Aで、eGaN® FET のEPC2302を備えたハーフブリッジです。この開発基板の目的は、ほとんどの既存のコンバータ構成に簡単に接続できる単一基板に、すべての重要な部品を搭載することによって、EPC2302の評価プロセスを単純化することです。
開発基板EPC90133の面積は2インチ×2インチ（1インチは2.54 cm）で、ブートストラップ電源を増強するために使われるGaN FET のEPC2302を2個とEPC2038を１個搭載しています。EPC90133は、台湾のuPI Semiconductorのゲート・ドライバuP1966Eを備えています。この基板には、すべての重要な部品が搭載されており、レイアウトは最適なスイッチング特性サポートします。簡単な波形測定と効率計算を容易にするために、さまざまなプローブ・ポイントも備えています。