EPC90137: 80 V、25 Aの開発基板
開発基板EPC90137は、最大デバイス電圧80 V、最大出力電流25 Aで、ハーフブリッジ構成のGaN電界効果トランジスタ（FET）のEPC2065を搭載しています。この開発基板の目的は、ほとんどの既存のコンバータ構成に簡単に接続できる単一の基板にすべての重要な部品を搭載することによって、EPC2065の評価プロセスを簡素化することです。
この開発基板EPC90137の面積は2インチ×2インチ（1インチは2.54 cm）で、GaN FETの2個のEPC2065と1個のEPC2038をハーフブリッジ構成にし、ゲート・ドライバuP1966Eを備えています。この基板には、すべての重要な部品も搭載されており、レイアウトは、最適なスイッチング特性をサポートしています。簡単な波形測定と効率計算を容易にするために、さまざまなプローブ・ポイントも備えています。