EPC90138：40 V、40Aの開発基板
EPC90138は、ゲート駆動回路を備えたハーフブリッジ開発基板で、定格40 VのGaN電界効果トランジスタ（FET）であるEPC2067を搭載しています。この開発基板の目的は、既存のコンバータ構成の大部分に簡単に接続できる単一基板に、すべての重要な部品を搭載することによって、EPC2067の評価プロセスを簡素化することです。
開発基板EPC90138の面積は2インチ✕2インチ（1インチは2.54cm）で、ハーフブリッジ構成の2個のGaN FET（EPC2067）と、ブートストラップ電源を増強するために使われる1個のGaN FET （EPC2038）が搭載されています。EPC90139は、台湾uPI Semiconductorのゲート・ドライバuP1966Eを使っています。この基板には、すべての重要な部品が含まれており、このレイアウトは最適なスイッチング特性をサポートします。簡単な波形測定と効率計算を容易にするために、さまざまなプローブ・ポイントを備えています。