EPC90142：ePower™ Stageチップ・セットのEPC23101とEPC2302を使った100 V、65 Aのハーフブリッジ開発基板
開発基板のEPC90142は、最大デバイス電圧100 V、最大出力電流65 Aで、統合ePower™ StageのEPC23101とeGaN® FETのEPC2302を搭載したハーフブリッジです。この開発基板の目的は、既存のコンバータ構成の大部分に簡単に接続できる単一基板にすべての重要な部品を搭載することによって、EPC23101とEPC2302の評価プロセスを単純化することです。
開発基板EPC90142の面積は2インチ×2インチ（1インチは2.54 cm）で、1個のeGaN FET（EPC2302）と共にハーフブリッジ構成にした統合ePower™ StageのEPC23101を1個搭載しています。この基板には、すべての重要な部品も含まれており、レイアウトは、最適なスイッチング特性をサポートしています。簡単な波形測定と効率計算を容易にするために、さまざまなプローブ・ポイントも備えています。