EPC90189：100 V、60 A ハーフブリッジ開発基板
EPC2375搭載
EPC90189は、100 V定格のEPC2375 eGaN® FETを搭載し、オンボード・ゲート駆動回路を備えたハーフブリッジ開発基板です。この開発基板は、必要なすべての主要部品を1枚の基板上に搭載し、既存のほとんどのコンバータ・トポロジに容易に接続できるようにすることで、EPC2375の評価プロセスを簡素化することを目的としています。
EPC90189開発基板のサイズは2.5インチ × 2.5インチで、ハーフブリッジ構成の2個のEPC2375 GaN FETを搭載しています。EPC90189はLT8418ゲート・ドライバを採用しています。基板には必要なすべての主要部品が搭載されており、最適なスイッチング性能を実現するレイアウトになっています。また、波形測定や効率計算を容易に行うための各種プローブ・ポイントも備えています。