EPC2206:面向車載應用的80 V、390 A 增強型氮化鎵功率電晶體

VDS, 80 V
最大值 RDS(on), 2.2 mΩ
ID, 90 A
脈衝電流 ID, 390 A
AEC-Q101認證

EPC2206 Enhancement Mode GaN Power Transistor
晶片尺寸: 6.05 mm x 2.3 mm

應用

  • 48 V配電系統
  • 開放式服務器機架
  • 具高保真度的資訊娛樂設備
  • 高強度的頭燈
  • 隔離型電源供電
  • 低電感馬達驅動器

優勢

  • 開關頻率更快 – 更低開關損耗及更低驅動功率
  • 效率更高 - 更低傳導及開關損耗、零反向恢復損耗
  • 占板面積更小 – 實現更高功率密度的電源轉換
產品狀況:投產
立即購買
購買 eGaN FET及積體電路

Ask and EPC Engineer a Question FAQ

對EPC公司的
eGaN FET及集成电路
有任何問题嗎?
向GaN技術專家請教