EPC2366: 40 V，88 A增强型幷採用半橋拓撲的氮化鎵功率電晶體

VDS, 40 V
典型 RDS(on), 0.84 mΩ
ID, 88 A
脈衝 ID, 360 A

EPC2366 GaN PowerIC
封裝尺寸: 3.3 x 2.6 mm

應用領域

  • 高性能、高功率密度DC-DC轉換
  • 高頻 DC-DC 轉換
  • 同步整流
  • 馬達驅動器

優勢

  • 超低總柵電荷（G），適用於高頻應用
  • 業界領先的導通電阻與總柵電荷乘積性能指標（12.6 mΩ·nC）
  • 帶背面散熱焊盤的PQFN封裝
  • 沒有反向恢復
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