EPC2307：200 V、130 A 的增強型氮化鎵功率電晶體

VDS, 200 V
RDS(on), 10 mΩ
ID, 48 A
脉衝 ID, 130 A

EPC2307 Enhancement Mode GaN Power Transistor
封裝尺寸：3 mm x 5 mm

應用

  • 同步整流
  • AC/DC 充電器、SMPS、適配器
  • 高頻DC-DC電源轉換
  • D類音頻放大器
  • 無線電源傳送
  • 高功率光達和dToF應用

優勢

  • 效率更高
    • 更低的传导损耗
    • 更低的開關損耗
    • 零反向恢復損耗
  • 超小佔板面積
  • 超小佔板面積
產品狀況:工程產品
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