EPC2366: 40 V，68 A增强型幷採用半橋拓撲的氮化鎵功率電晶體

VDS, 40 V
典型 RDS(on), 0.8 mΩ
ID, 68 A
脈衝 ID, 360 A

EPC2366 GaN PowerIC
封裝尺寸: 3.3 x 2.6 mm

應用領域

  • 高性能、高功率密度DC-DC轉換
  • 高頻 DC-DC 轉換
  • 同步整流

優勢

  • 超低總柵電荷（G），適用於高頻應用
  • 業界領先的導通電阻與總柵電荷乘積性能指標（優於12毫歐·納庫）
  • 帶背面散熱焊盤的PQFN封裝
  • 沒有反向恢復
狀態: 工程樣品
工程樣品，購買時帶有 ENG* 後綴，處於工程狀態，請勿用於可靠性壓力測試或其他認證測試，請聯絡您的當地應用工程師以獲取最新資訊。
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