氮化鎵技術的價值
電力成本是推動社會經濟持續健康發展的主要動力，因為提高成本效益使我們享有更佳的生活質素並推動全新應用和產業的發展。 由於矽技術已經達到了它的性能極限，因此它不再是前沿技術以滿足社會對越來越高效的電力的需求。為了重拾技術發展的勢頭並成就創新動力，我們需要一種全新的半導體材料。
EPC的eGaN技術 - 推動全新龐大的市場發展及佔據傳統的矽元件市場的顛覆性技術
創建宜普電源轉換公司
宜普電源轉換公司於2007年11月由三位資深工程師共同創建，他們合共擁有六十年與先進功率管理技術相關的經驗。宜普電源轉換公司的首席執行官Alex Lidow是1970年代矽功率MOSFET的共同發明者。他在國際整流器公司曾擔任管理研發及製造職位外，期間更有長達十二年擔任該公司的首席執行長。其後半導體技術的發展進程讓宜普公司的所有創辦人清楚知道矽技術已經達到它的性能極限及其發展步伐已經不可以像從前那樣為業界推動創新、再創高峰。
創建宜普電源轉換公司是基於對氮化鎵技術可以在電源轉換領域替代矽技術的信念， 這是由於氮化鎵技術具備無敵的速度、效率及低成本的優勢。其實氮化鎵技術是一種具備優越的晶體特性的使能技術，它可以實現的性能與矽技術相比較是1000 ：1 的比值。
氮化鎵電晶體面市
宜普公司於2009年6月推出第一款商用增強型氮化鎵（eGaN®)電晶體。這些全新的元件在臺灣晶圓代工廠製造，該廠製造標準矽IC，是一個成熟、高效及低成本的供應鏈，使得氮化鎵電晶體格外的可靠及並不昂貴。目前宜普公司提供超過100 種產品，面向全球130億美元的市場。
氮化鎵技術將擊敗矽技術
60年以來氮化鎵元件是第一種具備更高性能及更低成本的元件並可以替代矽元件。目前宜普公司與全球多家領先行業的公司攜手利用氮化鎵使能技術推動它們的新一代技術的發展。使用氮化鎵產品的公司可以避免因為使用舊有矽元件而落後、推動公司業務增長及提升終端用户價值。
EPC CEO Alex Lidow talks to Embedded Computing Design's Alix Paultre at the APEC exhibition in Anaheim, California. The various design-ins shown underscore the advantages GaN-based devices can provide a power system.