EPC91120 參考設計結合了功率、感測和控制於超緊湊的格式中，適用於機器人關節和無人機。

EL SEGUNDO, Calif.— 2025年11月 — 高效功率轉換公司 (EPC)，全球增強模式氮化鎵 (eGaN^®) 功率元件的領導者，宣布推出 EPC91120，這是一款高性能的三相無刷直流 (BLDC) 馬達驅動變流器，專為仿人機器人關節優化。配備了 EPC 的 EPC23102 ePower™ Stage IC，EPC91120 在一個僅 32 毫米直徑的足跡中提供卓越的效率、高功率密度和精確的運動控制，旨在直接整合於機器人馬達組件內。

EPC的5千瓦GaN模組設計為AI伺服器和OCP ORv3機架提供動力

加州艾爾塞貢多— 2025年10月 — 高效能功率轉換公司（EPC），作為增強模式氮化鎵（eGaN^®）功率器件的世界領導者，宣布推出一款高效率、高功率密度的5千瓦交流至48伏直流參考設計，展示了氮化鎵（GaN）技術在下一代伺服器和AI電源架構中的全部潛力。

這個完整系統—包括EPC91107KIT 4級圖騰柱功率因數校正器和EPC91110KIT 輸入串聯輸出並聯（ISOP）LLC轉換器—達到高達96.5%的系統效率，並且整體功率密度為116 W/in³。為滿足開放機架V3（OCP ORv3）尺寸要求，這種模組化解決方案提供了卓越的性能，與相同硅實現方案相比，具有顯著更小的尺寸和更低的成本。

在最近舉行的 PCIM Asia 展會上，EETimes China 採訪了 EPC 執行長 Alex Lidow，他展示了將用於高密度伺服器與仿人機器人的 GaN 產品與技術。

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EL SEGUNDO, Calif. — October 2025 — EPC, the world’s leader in enhancement-mode gallium nitride (GaN)-based power solutions, develops innovative power converter to accelerate the adoption of 800 V_DC distribution systems for the next generation of AI data centers.

Future AI factory data centers will require megawatt-scale rack power delivery systems. To address this challenge, EPC has developed a low-cost, low-profile GaN-based, 6 kW 800 V-to-12.5 V converter based on an Input Series Output Parallel (ISOP) topology.

在Electronic Product Design & Test (EPDT) 的獨家視頻訪談中，EPC 的首席執行官兼共同創辦人 Dr. Alex Lidow 討論了GaN技術如何改變功率電子行業的格局。

他強調了AI伺服器、機器人技術和太空應用的迅猛增長，其中GaN的卓越效率、功率密度和緊湊尺寸正在使全新的系統架構成為可能。Lidow博士還分享了他對EPC專注於高性能市場的戰略重點，公司的無晶圓廠創新模式，以及持續向集成GaN IC轉變的趨勢，這將定義下一個十年的功率轉換。

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隨著下一代GaN晶體管在40伏至15伏範圍內的操作，R_DS(on)規格已達到數百微歐姆的驚人水平，顯著超越了同等尺寸的功率MOSFET。為了充分利用這些超低阻抗FET的優勢，精心的PCB布局至關重要，以防止任何可能削弱其性能的額外阻抗。本文將研究GaN FET的各種布局策略，分析不同PCB配置對每種設計增加的阻抗如何影響。

Bodo的電力系統
2025年10月
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我們三部分系列的最後一部分探討了伺服器電源供應中的隔離 DC-DC 階段。該設計具有四個 LLC 模組，採用輸入串聯、輸出並聯（ISOP）配置，能夠在 400 VDC 總線和 50 VDC 輸出之間處理高達 5.5 kW 的功率。這種固定比例轉換器為先進的伺服器電源架構提供了電氣隔離和高性能。

Bodo’s Power Systems
2025年9月
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EL SEGUNDO，加州 — 2025年9月 — 作為全球領先的增強模式氮化鎵（GaN）電源解決方案的領導者，EPC很高興確認將參加2025年在中國上海舉行的PCIM Asia展會，展會日期為9月24日至26日。歡迎參觀者蒞臨N5展廳，E12展位參觀EPC，您將有機會探索業界最全面的GaN產品組合並與公司的技術專家進行交流

探索GaN的未來

El Segundo, CA – 2025年8月 – 高效能功率轉換公司（EPC）今日宣布，北京知識產權法院已駁回由創芯科技（蘇州）有限公司（Innoscience）提出的上訴，從而再次確認EPC的中國專利號ZL201080015425.X的有效性，該專利名為“補償閘極MISFET及其製造方法”（補償閘極專利）。北京知識產權法院的這一最新判決進一步加強了EPC寶貴的知識產權組合，並鞏固了其作為增強型氮化鎵半導體裝置的先驅者的地位。

EPC的兩項涵蓋增強型氮化鎵場效應晶體管（FETs）及其製造的專利曾在中國遭到創芯科技（蘇州）的挑戰。中國國家知識產權局（CNIPA）先前已在2024年4月和5月驗證了這兩項專利的有效性，但創芯科技要求重新審查補償閘極專利的決定（案號：（2024）京73 行初15061 号 ((2024) Jing73XingChu NO.15061)）。

在接受《功率电子新闻》的采访时，EPC的电机驱动系统及应用部门主管马可·帕尔马指出，EPC91118支持每相最高15 Arms的三相BLDC电机，输入电压从15伏至55伏直流。值得注意的是，完整的功率级、传感、控制和通信功能都集成在直径为32毫米的电路板上，为电机控制的微型化设定了新的标准。

功率电子新闻
2025年7月
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安多佛, MA – 2025年7月 – EPC Space，一家在抗辐射（RH）氮化镓（GaN）电力器件领域的领导者，宣布推出EPC7C021，这是一款高性能的三相电机演示板，配备了抗辐射EPC7011L7C eGaN® 集成电路。EPC7C021旨在方便评估和系统集成，提供一个用户友好的灵活平台，用于开发如反应和动量轮、离子推进器、机器人及其他在苛刻辐射环境中的自动化电机驱动应用。

尺寸仅为6.50” x 5.22”的EPC7C021是一个功能齐全的评估板，可以作为独立的三相电机驱动器使用，或者与EPC9147A控制器子卡配合使用，实现闭环电机控制。该板包括死区生成电路、电流和电压监控，以及可选的正弦波近似滤波器——非常适合工程师评估GaN在太空和辐射关键应用中的性能。

GaN FET 正在徹底改變電力電子技術 —— 比矽 MOSFET 更快、更小、更便宜。在 2025 年歐洲 PCIM 展會的影片中，EPC 執行長 Alex Lidow 解釋為什麼 GaN 技術如今被用於 AI 伺服器、衛星與機器人。了解寬能隙半導體如何實現比矽高出 10 倍的效能、為什麼在 100-200V 電壓範圍內 GaN 實際上更便宜，以及第七代新器件如何比前幾代小三倍。

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GaN（氮化鎵）FET 正以優異的可靠性徹底改變電力電子技術，優於傳統矽半導體。在 2025 年歐洲 PCIM 展會的影片中，EPC 執行長 Alex Lidow 解釋 GaN 技術在電源轉換應用中的根本優勢。了解為什麼 GaN 器件能在 300°C 高溫下運作，而矽會失效；認識 GaN FET 中不存在 Spirito 效應的原因；並發掘這些寬能隙半導體如何實現太空應用中的抗輻射能力。

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EPC91118 參考設計結合了功率、感測和控制，為機器人關節和無人機提供一種超緊湊的格式。

加州艾爾塞貢多— 2025年7月 — 高效能功率轉換公司（EPC），增強模式氮化鎵（eGaN^®）功率元件的全球領導者，推出了EPC91118，這是首個商業上可獲得的參考設計，整合氮化鎵（GaN）IC技術，用於仿人機器人馬達關節。EPC91118專為空間受限和重量敏感的應用如仿人肢體和緊湊型無人機推進系統而優化，能夠從 15 V 至 55 V DC 輸入，每相提供高達 15 A_RMS，並具有超緊湊的圓形尺寸。

隨著氮化鎵(GaN)技術的不斷成熟，其應用範圍正在擴展到低壓領域——這一領域傳統上由矽MOSFETs主導。在這篇深度文章中，探索GaN在提高效率、減少開關損耗和緊湊型外形方面的優勢，以及它是如何在消費電子、汽車系統和邊緣計算中轉變電力轉換，並開創低壓電力設計創新的新時代。

電子元件
2025年6月
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In this op-ed, Alfred Vollmer explores the accelerating shift from traditional silicon MOSFETs to wide bandgap (WBG) semiconductors—particularly gallium nitride (GaN) and silicon carbide (SiC). GaN devices are conquering more and more terrain that was formerly a pure domain of Silicon MOSFETs.

Bodo’s Power Systems
June 2025
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安多佛, MA – 2025年6月 – EPC Space，一家射线硬化（RH）氮化镓（GaN）功率器件的领导者，宣布推出EPC7030MSH，一款射线硬化（RH）300伏氮化镓（GaN）FET，为高电压、高功率的太空应用提供无与伦比的性能，包括下一代卫星发电站和电推进系统。

随着卫星平台对支持日益增长的功率需求和先进太阳能阵列技术的高电压总线的需求，EPC7030MSH 解决了高效、紧凑和强大前端电力转换的关键需求。

不需散熱片的緊湊型180 W GaN降壓轉換器—適用於USB PD、筆記型電腦和便攜式電源應用。

加州艾爾塞貢多— 2025年6月 — 高效能電源轉換公司（EPC），增強型氮化鎵（eGaN^®）功率器件的世界領導者，宣布推出 EPC91109，這是一款高性能評估板，旨在展示eGaN FETs在一個緊湊、熱效能高效的雙相同步降壓轉換器中的優勢。針對USB電源交付（USB-PD 3.1）應用，功率高達180 W，EPC91109專為空間和功率受限的設計優化，如筆記型電腦、便攜式設備和電池供電系統。

現代電力系統要求更高的效率、增加的功率密度，以及降低電磁干擾（EMI）——同時還需遵守日益縮小的尺寸限制。在解決這些挑戰的轉換器拓撲中，飛行電容多級（FCML）轉換器因其獨特的優勢而脫穎而出。當與氮化鎵（GaN）功率晶體管結合使用時，FCML轉換器提供了前所未有的性能水平，特別是在中壓應用領域，如48伏數據中心電力傳輸、電池管理系統和高效率功率因數校正（PFC）電路中表現出色。

電力系統設計
2025年6月
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EPC9196 是一款針對 96–150 V 電池應用優化的 25 A_RMS、三相 BLDC 馬達驅動變流器

加州艾爾塞貢多 — 2025年1月 — 高效能功率轉換公司 (EPC)，增強模式氮化鎵 (eGaN^®) 功率元件的世界領導者，宣布推出 EPC9196，這是一款高性能的 25 A_RMS、三相 BLDC 馬達驅動變流器參考設計，由 EPC2304 eGaN FET 驅動。EPC9196 專為中壓 (96 V – 150 V) 電池供電的馬達驅動應用而設計，包括自動導引車 (AGVs) 的轉向系統、緊湊型自動車輛的牽引馬達，以及機器人的精密馬達接頭。