新聞

客戶可以在我們的網頁 註冊 ,定期收取最新消息包括全新產品發佈、應用文章及更多其它資訊。如果你錯過了已發佈的消息,你可瀏覽以下的文檔。

美國國際貿易委員會(ITC)確認 Innoscience 在總統審查期後侵權

美國國際貿易委員會(ITC)確認 Innoscience 在總統審查期後侵權

ITC 對 Innoscience 產品的進口和銷售禁令現已生效

加州埃爾塞貢多 – 2025 年 1 月 7 日 – Efficient Power Conversion (EPC) 今日宣布,美國國際貿易委員會(ITC)對其最終裁定的總統審查期已結束,該裁定確認 Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd. 及其關聯公司(以下簡稱 Innoscience)侵犯了 EPC 關於 GaN 技術的基礎專利。ITC 的裁定現已生效,對未經 EPC 授權的 Innoscience 產品在美國實施進口和銷售禁令。

閱讀全文

EPC Space 獲得 GaN JANS MIL-PRF-19500 認證

EPC Space 獲得 GaN JANS MIL-PRF-19500 認證

馬薩諸塞州安多弗和加利福尼亞州埃爾塞貢多 – 2024年12月 – EPC Space 作為輻射加固 (Rad Hard) GaN-on-silicon 電晶體與 IC 的領導者,欣然宣布其位於馬薩諸塞州安多弗的設施以及台灣的晶圓製造廠均已通過 JANS MIL-PRF-19500 標準認證。

此項認證標誌著一個重要的里程碑,突顯了 EPC Space 對卓越品質的承諾以及作為關鍵空間應用高端半導體解決方案領導者的地位。由美國國防部管理的 MIL-PRF-19500 認證,設定了半導體元件在可靠性、性能及環境耐受力方面的標準。EPC Space 獲得這項認證,成為首家通過該標準的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率電晶體 (HEMT) 的供應商。

閱讀全文

設計高效能太陽能優化器,採用GaN FET技術

設計高效能太陽能優化器,採用GaN FET技術

透過緊湊、可靠且具成本效益的GaN技術提升光伏系統效能

加州艾爾塞貢多 — 2024年12月 — 高效能電力轉換公司 (EPC),全球增強型氮化鎵 (eGaN®) 功率器件領導者,驕傲地宣布推出最新的EPC9178參考設計,用於光伏(PV)優化器。EPC9178旨在提供高可靠性,同時解決能源效率和成本效益方面的關鍵挑戰,藉由減少太陽能系統中的被動元件,展示了GaN技術在可再生能源解決方案中的變革潛力。

閱讀全文

GaN 與無繫繩機器人的未來

GaN 與無繫繩機器人的未來

在 2024 年 electronica 展會上,DigiKey 展位上的 Caitlin Gittins 與 EPC 的首席執行官 Alex Lidow 進行了關於 GaN 和無繫繩機器人未來的對話。Caitlin 首先介紹了 EPC 並解釋了 GaN 相較於傳統基於矽的半導體的獨特優勢,接著討論了 EPC 的特定 GaN 解決方案及其在機器人領域的應用。討論觸及了人形機器人的概念,將其與傳統機械臂進行對比,並探討了 EPC 對機器人未來的展望。此對話深入分析了 GaN 如何通過增強自主性和效率推動機器人行業的發展,並分享了 EPC 對於開發者在設計中採用 GaN 的建議。最後,對話總結了 EPC 如何定位自身以滿足不斷演變的機器人和 AI 驅動的人形機器人需求。

Electronic Specifier
2024 年 11 月
觀看訪談

閱讀全文

宜普電源轉換公司勝訴,美國國際貿易委員會終裁確認英諾賽科侵權

宜普電源轉換公司勝訴,美國國際貿易委員會終裁確認英諾賽科侵權

委員會下令禁止英諾賽科産品進口和銷售至美國

埃爾塞貢多,加利福尼亞州 – 2024年11月[6日] – 宜普電源轉換公司(Efficient Power Conversion Corporation, EPC, 以下簡稱宜普公司)今日宣布美國國際貿易委員會(U.S. International Trade Commission, ITC)全體委員會維持此前的初步裁定,確認英諾賽科侵犯了宜普公司的核心氮化镓技術專利。該相關專利對人工智能、衛星、快速充電器、仿人機器人、自動駕駛以及其他許多技術的發展均至關重要。美國國際貿易委員會決定禁止英諾賽科(珠海)科技有限公司(Innoscience (Zhuhai) Technology Company Co., Ltd.)和其子公司(以下簡稱英諾賽科)在未獲宜普公司授權的情況下將相關氮化镓産品進口至美國。

閱讀全文

EPC 將於 2024 年 PCIM Asia 展示先進的氮化鎵 (GaN) 電源解決方案

EPC 將於 2024 年 PCIM Asia 展示先進的氮化鎵 (GaN) 電源解決方案

EPC 的 GaN 專家將在亞洲國際電力電子展期間參加展覽,展示最新一代的 GaN FET 和 IC,應用於各種實際案例,包括 AI 伺服器、機器人等。

加州埃爾塞貢多 — 2024 年 8 月 — EPC 是全球增強型氮化鎵 (GaN) FET 和 IC 的領導者,很高興宣布參加2024 年亞洲國際電力電子展。本次展會將於 8 月 28-30 日在中國深圳舉行。歡迎參觀者前往 11 號展館,F01 展位,探索業界最全面的 GaN 功率轉換解決方案。

閱讀全文

美國國際貿易委員會確認宜普電源轉換公司關鍵專利有效 並判定英諾賽科侵犯公司核心專利

美國國際貿易委員會確認宜普電源轉換公司關鍵專利有效 並判定英諾賽科侵犯公司核心專利

此裁決確認了宜普公司對其獨有開創性氮化鎵技術的專利權,該技術對推動人工智能、衛星、仿人機器人和自動駕駛等領域的快速發展至關重要

埃爾塞貢多, 加州 – 2024年7月8日 – 快速成長的創新企業宜普電源轉換公司(Efficient Power Conversion Corporation, EPC,以下簡稱宜普公司)今日宣布其革命性的氮化鎵技術專利在三個月內獲得三次認證,標誌著公司向氮化鎵功率半導體產業的卓越地位更進一步。宜普公司開發的下一代寬禁帶半導體對人工智能、衛星、快速充電器、雷射雷達、仿人機器人以及其他許多變革性技術的發展至關重要。

閱讀全文

GaN積體電路簡化了類人機器人的馬達聯合逆變器設計

GaN積體電路簡化了類人機器人的馬達聯合逆變器設計

電池供電的應用,例如新一代的機器人、無人機和電動工具,需要減少空間並簡化設計以控制電動馬達。優化尺寸和組件可以在不損失效率和性能的情況下,在小空間中包含更多功能,從而實現創新解決方案。EPC ePower™ Stage ICs 技術有助於簡化和改進先進電機控制應用中的逆變器設計。

Bodo’s Power Systems
2024年6月
閱讀文章

閱讀全文

USB電力傳輸的進步:氮化鎵技術提升效率與高功率密度

USB電力傳輸的進步:氮化鎵技術提升效率與高功率密度

第一個通用串列匯流排(USB)規範於1996年發布,旨在標準化計算和電信行業的電力供應和連接性[1]。最初支援5伏特電力匯流排,最高可達5安培電流(25瓦特)和12 Mbit/s的最大數據傳輸速率,由於電子設備的普及,USB 已顯著發展,導致對更高電力能力的需求。

Bodo’s Power Systems
2024年5月
閱讀文章

閱讀全文

使用EPC新款50V GaN FET設計更高功率密度的USB-C PD應用,尺寸僅為1.8 mm2

使用EPC新款50V GaN FET設計更高功率密度的USB-C PD應用,尺寸僅為1.8 mm2

EPC推出了50V、8.5mOhm的EPC2057 GaN FET,尺寸僅為1.5mm x 1.2mm,為USB-C PD應用提供了更高的功率密度。

加利福尼亞州埃爾塞貢多—2024年6月—EPC是增強型氮化鎵(GaN) 功率FET和IC的全球領導者,推出了50V、8.5mΩ的EPC2057。該GaN FET專為滿足高功率USB-C設備的不斷發展需求而設計,包括消費電子、車載充電和電動出行設備。

閱讀全文

EPC 展示針對汽車、機器人、電動工具、太陽能等領域的尖端電力電子解決方案於 PCIM Europe 2024

EPC 展示針對汽車、機器人、電動工具、太陽能等領域的尖端電力電子解決方案於 PCIM Europe 2024

EPC 的 GaN 專家將在 PCIM Europe 展會期間展示最新一代的 GaN FET 和 IC,應用於各種實際的應用場景。

加利福尼亞州埃爾塞貢多 — 2024 年 5 月 — 作為全球增強型氮化鎵(GaN)FET 和 IC 領導者的 EPC 很榮幸宣布參加PCIM Europe,這是一個國際領先的電力電子、智能運動、可再生能源和能源管理展覽會及會議。該活動將於 6 月 11 日至 6 月 13 日在德國紐倫堡舉行,匯集行業專家和思想領袖,共同探索電力電子和運動控制領域的最新進展。

閱讀全文

中国国家知识产权局确认宜普电源转换公司氮化镓栅极半导体技术专利有效

中国国家知识产权局确认宜普电源转换公司氮化镓栅极半导体技术专利有效

埃尔塞贡多, 加利福尼亚州 - 2024年5月6日 - 宜普电源转换公司(Efficient Power Conversion Corporation, EPC,以下简称宜普公司)于今日宣布其名为“补偿门极MISFET及其制造方法”的专利(中国专利号ZL201080015425.X)被中国国家知识产权局确认有效,该专利广泛应用于增强型氮化镓半导体器件。

该决定于2024年4月30日作出。此前,中国国家知识产权局还曾于2024年4月2日作出决定,确认宜普公司的名为“增强型氮化镓高电子迁移率晶体管器件及其制备方法”的专利(中国专利号ZL201080015388.2)的核心权利维持有效。这两项专利的无效请求人均为英诺赛科(苏州)科技有限公司(以下简称英诺赛科公司)。

閱讀全文

GaN FET讓您實現高性能D类音频放大器

GaN FET讓您實現高性能D类音频放大器

D類音頻放大器參考設計(EPC9192)讓模組化設計具有高功率和高效,從而可實現客制化、高性能的電路設計。

宜普電源轉換公司(EPC)宣布推出EPC9192參考設計,可實現優越、緊凑型和高效的D類音頻放大器,于接地參考、分離式雙電源單端(SE)設計中發揮200 V eGaN FET元件(EPC2307 )的優勢,在4Ω負載下,每聲道輸出功率達700 W。

閱讀全文
RSS
123578910Last