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CNIPA Validates Key Claims of EPC’s GaN Power Technology Patent

CNIPA Validates Key Claims of EPC’s GaN Power Technology Patent

根据国家知识产权局官网20204年4月2日的消息,宜普电源转换公司(Efficient Power Conversion Corporation, EPC,以下简称宜普公司)一件名为“增强型GaN高电子迁移率晶体管器件及其制备方法”的专利(专利号ZL201080015388.2)的核心权利要求6、9、10、13、14、17、18、22-26在无效程序(案件编号:4W116775)中被维持有效。该件专利的无效请求人是英诺赛科(苏州)科技有限公司(以下简称英诺赛科公司)。

According to the information on the official website of the China National Intellectual Property Administration (CNIPA) on April 2, 2024, the key claims 6, 9, 10, 13, 14, 17, 18 and 22-26 of the Chinese patent titled “Enhancement mode GaN HEMT device and method for fabricating the same” (Patent No. ZL201080015388.2) owned by Efficient Power Conversion Corp (“EPC”) have been maintained valid during an invalidation procedure (case number: 4W116775), which was requested by the petitioner Innoscience (Suzhou) Technology Co., Ltd. (“Innoscience”).

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能量層級

能量層級

功率半導體廣泛應用於電動移動領域的各個方面,不同技術適用於車輛的不同部分,這取決於電壓和電流需求,同時新興技術正在使系統變得更小。隨著GaN和SiC技術的成熟和價格的下降,採用率正在增加,這些技術正逐漸主導電動移動動力系統和電源系統的設計和開發。

電動移動工程
2024年3月
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氮化鎵元件讓您實現具成本效益的電動自行車、無人機和機器人

氮化鎵元件讓您實現具成本效益的電動自行車、無人機和機器人

基於氮化鎵元件的逆變器參考設計(EPC9193)讓您實現具有更高性能的馬達系統,其續航里程更長、精度更高、扭矩更大,而且同時降低了系統的總成本。

宜普電源轉換公司(EPC)推出 EPC9193,它是使用EPC2619 eGaN® FET的三相BLDC馬達驅動逆變器,具有14 V~65 V的寬輸入直流電壓範圍和兩種配置,分別為標準和大電流版本:

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專家於APEC 2024評估氮化鎵(GaN)和碳化矽(SiC)

專家於APEC 2024評估氮化鎵(GaN)和碳化矽(SiC)

在這段來自《Power Electronics News》的影片中,半導體公司的一系列傑出演講者分享了在氮化鎵 (GaN) 和碳化矽 (SiC) 基礎功率裝置方面的突破性發展見解。

GaN 演講者針對兩個塑造寬禁帶未來的關鍵問題進行了討論:

  1. 基板材料選擇對於 GaN 基礎功率裝置的重要性。他們詳細說明了這一選擇如何影響裝置性能、可靠性和製造性,並探討了研究人員如何應對與基板相關的挑戰。
  2. GaN 裝置在特定市場細分中如何超越傳統的矽基解決方案,推動其採用並揭示各自公司的技術方向。演講者包括:
    • Robert Taylor,德州儀器 (Texas Instruments) 工業應用部門應用工程師/總經理
    • Michael de Rooij,EPC 應用工程副總裁
    • Balu Balakrishnan,Power Integrations 首席執行官

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EPC推出首款具有最低1mOhm導通電阻的GaN FET

EPC推出首款具有最低1mOhm導通電阻的GaN FET

EPC推出採用緊凑型QFN封裝( 3 mm x 5 mm)的100 V、1 mOhm GaN FET (EPC2361),助力DC/DC轉換、快充、馬達控制和太陽能 MPPT等應用實現更高的功率密度。

2024 年 2 月27日 — 全球增强型氮化鎵 (GaN) 功率 FET 和 IC領域的領導者宜普電源轉換公司(EPC)推出 100 V、1 mOhm (EPC2361)。 這是市場上具有最低導通電阻的 GaN FET,與 EPC 的上一代産品相比,功率密度提高了一倍。

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使用氮化鎵場效電晶體與為矽基MOSFET設計的控制器和門極驅動器

使用氮化鎵場效電晶體與為矽基MOSFET設計的控制器和門極驅動器

氮化鎵 (GaN) FET 已經革新了電力電子產業,與傳統矽 MOSFET 相比,提供了尺寸更小、切換速度更快、效率更高、成本更低等優勢。然而,GaN 技術的快速發展有時超過了專用 GaN 閘極驅動器和控制器的開發。因此,電路設計師常常求助於為矽 MOSFET 設計的通用閘極驅動器,需要仔細考慮各種因素以確保最佳性能。

Bodo’s Power Systems
2024年2月
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EPC GaN FET助力DC/DC轉換器實現高功率密度和高效率基準

EPC GaN FET助力DC/DC轉換器實現高功率密度和高效率基準

EPC GaN FET與Analog Devices驅動器和控制器相結合,為客戶簡化氮化鎵基設計、提高其效率、降低散熱成本、助力運算、工業和消費類應用的DC/DC轉換器實現最高功率密度。

宜普電源轉換公司(EPC )宣佈推出採用EPC GaN FET和Analog Devices, Inc.(ADI)控制器的各種参考設計。

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EPC GaN FET可在數奈秒內驅動雷射二極體,實現75~231A脉衝電流、 支援先進的汽車自動化

EPC GaN FET可在數奈秒內驅動雷射二極體,實現75~231A脉衝電流、 支援先進的汽車自動化

宜普電源轉換公司(EPC)推出三款雷射驅動器電路板,這些板採用了符合AEC-Q101認證標準、快速轉換的GaN FET以實現具備卓越性能的光達系統。

EPC推出三款評估板,分別是EPC9179EPC9181EPC9180,它採用75 A、125 A、231 A脉衝電流雷射驅動器和通過車規級AEC-Q101認證的EPC GaN FET - EPC2252EPC2204AEPC2218A。它比前代氮化鎵元件的體積小30%和更具成本效益。這些電路板專為長距離和短距離車載光達系統而設計,通過可選的輸入和輸出值,加快評估氮化鎵基解決方案。

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宜普電源轉換公司將在CES 2024展示基於氮化鎵技術的消費電子應用– 智慧出行、無人機、機器人及其他應用

宜普電源轉換公司將在CES 2024展示基於氮化鎵技術的消費電子應用–  智慧出行、無人機、機器人及其他應用

EPC公司的氮化鎵專家將在國際消費電子展(CES)上分享氮化鎵技術如何增强消費電子產品的功能和性能

增强型氮化鎵(eGaN®)FET和IC領域的全球領導者宜普電源轉換公司(EPC)將在CES 2024展會展示其卓越的氮化鎵技術如何為消費電子產品在功能和性能方面做出貢獻 ,包括實現更高效率、更小尺寸和更低成本的解決方案。

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Advancements in GaN Motor Drive Inverters Revolutionize UAV Drones for Agricultural Applications

Advancements in GaN Motor Drive Inverters Revolutionize UAV Drones for Agricultural Applications

Modern agricultural techniques have been revolutionized by the integration of unmanned aerial- vehicle (UAV) drones, which are low-voltage battery-operated aircrafts. Smaller drones are utilized for terrain mapping and vegetation monitoring, while heavier, more robust variants are employed for tasks such as spraying and distributing fertilizers and insecticides as well as disseminating seeds and feed with payloads up to 50 kg loads. GaN-based inverters prove to be suitable for UAV agricultural drones since they extend the battery life by improving motor efficiency, courtesy of the higher PWM frequency with sinusoidal excitation. In addition to the efficiency considerations, the higher PWM frequency contributes to a reduction in the dimensions of the DC link, thereby reducing the size and weight of the inverter, which is vital in lightweight aircrafts.

Bodo’s Power Systems
December, 2023
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Efficient Energy Technology (EET) 的SolMate選用了EPC氮化鎵元件,使效率倍增和延長了產品使用壽命

Efficient Energy Technology (EET) 的SolMate選用了EPC氮化鎵元件,使效率倍增和延長了產品使用壽命

Efficient Energy Technology GmbH(EET)位於奧地利,是設計和生產創新、用於陽臺的小型發電廠的先驅。EET公司選用了宜普電源轉換公司(EPC)的增强型氮化鎵(eGaN®)功率電晶體(EPC2204), 用於其新型SolMate®綠色太陽能陽臺產品。EPC2204在低RDS(on)和低COSS之間實現了最佳折衷,這對於要求嚴格的硬開關應用至關重要,同時在緊凑的封裝中實現100 V的汲-源擊穿電壓。這種緊凑型設計顯著縮小了PCB的尺寸,保持較小的電流廻路和最大限度地減少EMI。

EET公司結合了EPC的氮化鎵元件和其SolMate MPPT充電轉換器,以實現多種優勢:效率損失半和整體效率從96%提高到98%。轉換器的體積縮減了70%、BOM和製造成本降低了 20%,而且同時降低了對散熱的要求。此外,由於開關頻率提高了10倍,因此無需使用易於引發問題的電解電容器,從而延長了轉換器的使用壽命。

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採用晶片級封裝的氮化鎵元件熱建模

採用晶片級封裝的氮化鎵元件熱建模

與採用傳統矽元件的轉換器相比,採用氮化鎵基高電子遷移率電晶體 (HEMT) 具有許多材料和性能優勢,已廣泛用於消費和工業用功率轉換領域。氮化鎵元件在更高的開關頻率下提高了功率轉換效率,進而實現更低的系統成本和更高的功率密度。隨著功率密度的增加,散熱分析和熱建模變得至關重要。我們將在本文分享EPC的熱量計算器。 EPC公司製造增强型 GaN HEMT 和集成電路,例如支持多種轉換器的半橋元件。

Power Electronics News
2023年11月
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GaN技術來自EPC Space展示出對太空任務的極端穩健性

GaN技術來自EPC Space展示出對太空任務的極端穩健性

太空探索一直需要尖端技術、可靠性和韌性。最新的電力電子技術突破──氮化鎵(GaN)技術,已成為太空系統的改變遊戲規則者,與傳統的矽MOSFET相比,它提供了卓越的抗輻射能力和無與倫比的電氣性能。在本文中,我們探討了為什麼GaN功率裝置是太空中功率轉換應用的最佳選擇,以及它們的抗輻射能力如何使其成為太空任務的極其強健解決方案。

電子元件
2023年10月
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EPC的100 V GaN FET助力實現更小的電機驅動器, 用於電動自行車、機器人和無人機

EPC的100 V GaN FET助力實現更小的電機驅動器, 用於電動自行車、機器人和無人機

基於氮化鎵元件的EPC9194逆变器参考設計顯着提高了馬達控制系統的效率、扭矩而同时使得單位重量功率(比功率)增加了一倍以上。該逆变器非常微型,可整合到電機外殼中,從而實現最低的電磁干擾、最高的密度和最輕的重量。

宜普電源轉換公司宣佈推出三相BLDC馬達控制逆變器參考設計(EPC9194)。它的工作輸入電源電壓範圍為14V~60V,可提供高達60 Apk(40 ARMS)的輸出電流。此電壓範圍和功率使該解決方案非常適合用於各種三相BLDC馬達控制器,包括電動自行車、電動滑板車、無人機、機器人和直流伺服馬達。

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GaN in Space: 解鎖衛星系統的效率和性能

GaN in Space: 解鎖衛星系統的效率和性能

太空產業正經歷一場向「新太空」轉變的變革,這是由於對無處不在的連接需求增加以及創新商業模式的出現所推動的。這一變革的關鍵要素之一是氮化鎵(GaN)技術在太空應用中的採用。由於其卓越的抗輻射性、高系統效率和輕量化特性,GaN 具有巨大的潛力。

在與 EE Times Europe 的討論中,Yole Intelligence(Yole Group 旗下)的技術和市場分析師 Taha Ayari 和 Aymen Ghorbel 解釋了新太空——低地球軌道(LEO)任務部分,典型的衛星壽命為三到五年,可靠性要求較低——如何成為 GaN 採用的焦點。因此,GaN 功率器件正被採用於各種衛星系統,包括 DC/DC 轉換器、負載點系統、電機驅動和離子推進器。

EE Times Europe
2023年10月
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