現場演講 – C6 館,221 號展位
11 月 10 日,下午 2:00 – 2:30
抗輻射 GaN:從利基市場走向主流
Bel Lazar,EPC Space 執行長
在不到六年的時間裡,EPC Space 已在越來越多的太空電源應用中取代抗輻射矽 MOSFET。最初作為利基替代方案的技術,如今已成為新設計優先考慮的技術。EPC Space 估計,其已占據超過 35% 的抗輻射功率 FET 應用市場,而且幾乎每一項新的電源管理設計都已經採用我們的抗輻射 GaN FET、IC 或模組,或者正在積極評估這些產品。目前已有超過 500,000 顆 EPC Space 元件運行於 LEO、MEO 和 GEO 軌道。
11 月 11 日,上午 11:00 – 11:30
面向 AI 資料中心的 GaN 元件任務剖面可靠性
Shengke Zhang,可靠性與全球 FAE 副總裁
GaN 可為 AI 資料中心供電帶來顯著的效能優勢。在 AI 資料中心任務剖面下,GaN 元件的長期可靠性對於其廣泛採用至關重要。本演講將評估 GaN 中主要的內在磨耗機制,並基於經實驗驗證的可靠性模型提供壽命預測。結果顯示 EPC GaN 元件能夠滿足 AI 資料中心的長期可靠性要求。
11 月 11 日,下午 2:00 – 2:30
面向機器人和無人機的新型 100 V 半橋和三相 GaN IC
Marco Palma,EPC 馬達驅動市場與系統工程副總裁
Marco Palma 將介紹 EPC GaN IC 技術的最新進展,以及面向人形機器人和無人機馬達驅動的新元件。所展示的元件包括半橋功率級 IC 和緊湊型三相模組。與會者還將搶先瞭解面向機器人手部和小型無人機的未來單晶片三相逆變器。
11 月 12 日,上午 11:00 – 11:30
在多千瓦隔離式轉換器中利用低電壓 GaN FET 革新高電壓應用
Michael De Rooij,EPC GaN 應用專家
AI、資料伺服器和工業自動化等應用對電源提出了越來越高的小型化和高效率要求,因此需要創新解決方案。低電壓元件能夠改變高電壓隔離應用的實現方式,並同時提供高功率密度和高效率。演講將介紹穩壓 ISOP 配置 LLC 轉換器等多個實例,並展示針對 800 V/400 V 降壓至 12 V/50 V、功率範圍從 1.5 kW 到 12 kW 的不同配置和拓撲變化。
