採用全新100 V EPC2104半橋式元件的全降壓轉換器在48 V轉12 V、22 A輸出電流及300 kHz開關頻率下，系統效率可超過97%；而在22 A、500 kHz開關頻率下，系統效率則接近97%。
宜普電源轉換公司（EPC）宣佈推出EPC2104(100 V)增强型單片式氮化鎵半橋元件。透過集成兩個eGaN®功率場效應電晶體而成爲單個元件可以除去印刷電路板上元件之間的相連電感及所需的空隙，使電晶體的佔板面積減少50%。這樣可以提高效率（尤其是元件在更高頻工作時）及增加功率密度並同時减低終端用戶的功率轉換系統的組裝成本。
The EPC2104電晶體採用芯片規模封裝，可以加快開關速度及散熱性能，而且其尺寸只是6.05 毫米 x 2.3 毫米，功率密度更高。EPC2104是高頻DC/DC轉換及馬達驅動器應用的理想元件。
開發板
EPC推出2英寸乘2英寸的EPC9040開發板，內含EPC2104集成式半橋元件，採用德州儀器的栅極驅動器（LM5113）、電源及旁路電容。開發板的佈局設計可實現最優開關性能並設有多個探孔使得用戶可易於測量簡單的波形及計算效率。
産品價格及實時供貨詳情
EPC2104單片式半橋元件在批量爲一千片時的單價爲8.31美元，而EPC9040開發板的單價爲137.75美元，可以立即透過Digi-Key公司購買。
關於氮化鎵場效應電晶體（eGaN FET）的設計信息及技術支援
宜普電源轉換公司簡介
宜普電源轉換公司是基於增強型氮化鎵的功率管理器件的領先供應商，為首家公司推出替代功率MOSFET器件的矽基增強型氮化鎵(eGaN®)場效應電晶體，其目標應用包括直流-直流轉換器、 無線電源傳送、 波峰追蹤、射頻傳送、太陽能微型逆變器、 光學遙感技術（LiDAR） 及 D類音訊放大器等應用，器件性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍。詳情請訪問我們的網站www.epc-co.com.tw 。
商標
eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普電源轉換公司的註冊商標。
傳媒聯絡
Winnie Wong ( [email protected])