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In this episode of PowerUP featuring Alex Lidow, CEO of EPC, we delve into an examination of the revolutionary implications of GaN technology across a range of applications, with a specific focus on motor control and LiDAR systems.
Power Electronics News
February, 2024
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In this interview from electronica 2022, Alex Lidow talks about technology during these 50 years of EE Times, the next challenges for our industry, and the growth of GaN. “Below 650 volts, where the MOSFET is dominant that will be written over by GaN”.
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宜普电源转换公司(EPC)的两个车规级氮化镓晶体管(EPC2202及EPC2203)成功通过了国际汽车电子协会所制定的AEC Q101分立器件应力测试认证,推动一系列面向车用及其它严峻环境的应用的发展。
宜普電源轉換公司(EPC)的第一批通過國際汽車電子協會所制定的AEC Q101分立器件應力測試認證的氮化鎵場效應電晶體(EPC2202及EPC2203),榮獲《今日電子》雜誌與21IC中國電子網頒發2018年度“Top-10電源產品獎—技術突破獎”。該獎項在2018年9月13日於北京舉行的21iC電源技術研討會上頒發。
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Spirit公司的Marti McCurdy及EPC公司首席執行長Alex Lidow分享氮化鎵元件如何在性能及成本方面比矽元件優越,以及分享全球領導廠商如何與EPC公司合作,利用氮化鎵元件的優勢,開發出他們新一代的技術。
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Alex Lidow與他的團隊隊員Michael de Rooij、David Reusch及John Glaser於今天早上的專業研討會上,與專業工程師(PE)分享實用的議題 -- “發揮氮化鎵場效應電晶體及積體電路的最高性能,不僅僅替代MOSFET器件”,使得整個教室被擠得水泄不通。
Planet Analog
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Nextbigfuture訪問了EPC公司的首席執行長Alex Lidow。 EPC公司是製造氮化鎵電晶體的領導廠商,目前帶領業界開啟無線充電新時代。在5至10年內,我們將有可能看到全屋或辦公大樓從採用昂貴的電源線改為在廣泛地方採用無線充電解決方案。
NextBigFuture
2017年9月9日
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從本年的APEC研討會的各個討論題目顯然可以看到,氮化鎵功率技術的相關知識備受關注的程度,是前所未有的。採用氮化鎵技術的產品路演、全新產品及技術發佈、全體會議對氮化鎵技術的關注及其他討論題目都讓與會者感到氮化鎵功率元件已經來臨,而氮化鎵技術正在進駐市場。而且討論重點也稍微改變,從討論氮化鎵元件可以做什麼,改為討論需要其他什麼資源及支援,才可以實現基於氮化鎵功率電晶體的全新產品開發方案。
How2Power Today
David Morrison
2016年4月1日
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宜普電源轉換公司將於國際著名2016年APEC®功率電子與應用研討會展示面向廣闊應用領域並基於卓越氮化鎵技術的20多種演示電路。氮化鎵技術切實改變了我們的生活方式。我們的技術專家將以最新技術為主題,舉行合共六場演講。
宜普電源轉換公司的團隊將於2016年3月20日至24日在美國加州Long Beach舉行的2016年APEC研討會,舉行以氮化鎵(GaN)技術及應用為主題的六場演講。此外,EPC將展示最新的eGaN® FET及積體電路,以及分享客戶的基於eGaN技術的最終產品。 在探究各個應用領域的發展之同時,即場演示包括與Qi及AirFuel標準相容並支援多模式解決方案的無線電源系統、單級48 V轉1 V DC/DC轉換器、利用LiDAR技術製作即時3D圖像的照相機及與LTE相容的波峰追蹤電源。歡迎蒞臨我們的展位(#2244)參觀。
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The future is clear, but, when that future is going to happen and who is going to benefit? That's not clear. I think the adoption rate is anybody's guess.
Investors Business Daily
November 17, 2015
By: Allison Gatlin
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矽谷有賴矽材料而得以蓬勃發展。但該材料的性能已經達到最高極限。有些人預見,未來將是氮化鎵材料的世界。什麼是氮化鎵?這意味著什麼?
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The combination of lower on-resistance, faster switching speeds, lower thermal impedance, and smaller physical size of eGaN FETs continues to raise the bar for power transistor performance. As GaN technology matures, not only does the performance of these transistors rapidly improve, but significant reductions in cost are also realized. Not only will GaN devices continue to enable new applications, they will replace silicon power transistors in cost-sensitive applications as well. As a matter of fact, the first signs of this happening are already here.
Power Systems Design
By: Johan Strydom, Ph.D.
September 26, 2015
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