EPC's chief executive, Alex Lidow, believes his GaN devices now beat silicon on performance and price, reports Rebecca Pool.

For EPC chief executive, Alex Lidow, this year's PCIM Europe 2019 has been all about applications. Presenting myriad enhanced-mode GaN FETs and ICs in end-products, the company is making a big play for 48 V DC-DC power conversion in advanced computing and automotives.

Compound Semiconductor
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宜普電源轉換公司（EPC）推出兩個全新100 V氮化鎵元件，可以支援伺服器及汽車應用的48 V轉換的要求。 我將在處理器、車用及能量存儲系統等方面探討48 V伺服器的功率轉換解決方案（可參考我的文章 “雙向DC/DC電源供電: 我們應該如何取向？”），未來將在EDN文章中看到。氮化鎵功率電晶體必需是這些不同架構的一部份 -- 我相信沒有其他更優越的元件可以替代氮化鎵元件了 。

Planet Analog
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New converter topologies and power transistors promise to reduce the size and boost the efficiency of supplies that will run next-generation Artificial Intelligence (AI) platforms. In all the topologies with 48 V_IN, the highest efficiency comes with using GaN devices. This is due to their lower capacitance and smaller size. With recent pricing declines in GaN power transistors, the cost comparison with silicon-based converters now strongly favors GaN in all the leading-edge solutions.

Power Electronic Tips
March, 2019
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With the power architecture transition from a 12 V to a 48 V bus power distribution in modern data centers, there is an increased demand to improve 48 V power conversion efficiency and power density. In this context, DC-DC converters designed using eGaN^® FETs and ICs provide a high efficiency and high power density solution. Additionally, with the advent of 48 V power systems in mild-hybrid, hybrid and plug-in hybrid electric vehicles, GaN transistors can provide a reduction in size, weight, and Bill of Materials (BOM) cost.

Power Systems Design
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在48 V匯流排架構出現後，我們可採用全新、基於氮化鎵（GaN）電晶體的混合式轉換器，以實現超過95%峰值效率及225 W/in³ 功率密度。對於節能的數據中心來說，輕負載效率非常重要。基於氮化鎵電晶體的轉換器在轉換至20%負載時，可保持高於90%的效率。

PowerPulse
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EPC2111氮化鎵半橋功率電晶體説明系統設計師實現具更高效率的負載點系統應用，在14 A、12 V轉至1.8 V、5 MHz開關時實現超過85%效率，及在10 MHz開關時實現超過80%效率。

宜普電源轉換公司（EPC）宣佈推出30 V的增強型單片式半橋氮化鎵電晶體（EPC2111）。透過整合兩個eGaN^®功率場效應電晶體形成單個元件，可以去除互連電感及節省印刷電路板上元件之間的空隙。這樣可以提高效率（尤其是在更高頻率時）及提高功率密度，而且同時降低終端用戶的功率轉換系統的組裝成本。EPC2111是高頻12 V轉至負載點DC/DC轉換的理想元件。

During last week's PCIM Europe event in Nuremberg, Germany, direct 48V-to-1V power conversion architectures were a significant topic. “The use of GaN switches in 48V-to-1V direct dc-dc converters can improve system performance by 30%, compared with today’s best silicon-based designs,” commented Alex Lidow, CEO of Efficient Power Conversion.

PowerPulse
May 31, 2017
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Max Smolaks歡迎於電源鏈(power chain)即將替代矽材料的全新氮化鎵材料。

在過去的35年裡，電源供電一直採用功率金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET) –利用電壓受控的矽元件進行開關及利用電場允許或阻止電流的流通。

Data Center Dynamics
2017年4月19日
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在深度學習盛行下，數據中心的功率密度再次備受關注，並且產生了全新的商業機遇，包括支援30 kW/rack 以上的設備內的專有雲端服務，以及為提高系統能效以解決功率密度問題的功率轉換公司提供機遇 。氮化鎵是電源轉換晶片的全新半導體材料，可替代矽元件、實現體積小很多、能效更高及開關速度快速很多的元件。

Data Center Knowledge
2017年2月
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在本投影片，EPC公司的Alexander Lidow分享他的公司如何帶領業界採用氮化鎵（GaN）技術，實現革命性的突破。

由於氮化鎵元件比矽元件高效，因此使數據中心節省大量能源，並且極具潛力可以推動電腦產業超越摩爾定律。

insideHPC
2016年7月20日
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資訊的數學基礎始於資訊理論之父Claude Shannon於1948的著作《通信的數學理論》。他把資訊通信簡化為1及0數位，實質上是二進位數字。該理論可以於現實世界中有雜訊的環境下，準確無誤地傳輸數據。Shannon在2016年4月30日本來是他的百年誕辰。

EDN Network
Steve Taranovich
2016年4月16日
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備受關注的議題諸如能源採集及無線電源傳輸將很大機會於下星期舉行的APEC會議亮相。與會者將關注並監控氮化鎵電晶體的發展。可是，持續提高數據中心的電能傳輸的效率將會是多家公司的“bread-and-butter”重要目標。

EE Times
半導體產業分析師、顧問Stephan Ohr
2016年3月16日
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The demand for information in our society is growing at an unprecedented rate. With emerging technologies, such as cloud computing and the Internet of Things, this trend for more and faster access to information is showing no signs of slowing. What makes the transfer of information at high rates of speed possible are racks and racks of servers, mostly located in centralized data.

EEWeb
Alex Lidow, Ph.D., David Reusch, Ph.D., and John Glaser, Ph.D.
March, 2016
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Improving low-voltage DC/DC converter performance with GaN transistors:
The emergence of commercially available and cost-effective gallium nitride (GaN) power transistors begins a new age in power electronics. There are significant benefits in using enhancement-mode gallium nitride FET (eGaN FET) devices in power converters for existing data center and telecommunications architectures centering around an input voltage of 48 VDC with load voltages as low as 1 VDC. High-performance GaN power transistors can enable new approaches to power data center and telecommunications systems with higher efficiency and higher power density than possible with previous Si MOSFET based architectures.

Power Systems Design
David Reusch, Ph.D., and John Glaser, Ph.D.
January, 25, 2016
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在2014年，美國的數據中心用上了1000億千瓦小時（KWh）能量。雪上加霜的是，這個快速增長的所需能量，大部份是由基於超過一世紀前設立的基建、非常低效的供電網路支持。浪費了的能量有多嚴重？供電網路為一個數字晶片提供150 W功率，而實際上，它可能只需要100 W。 此外，由於在電源轉換過程中，每一瓦功耗會轉化為熱量，因此實際上所浪費的能量更大。而我們必需利用昂貴及耗電的空調機來為伺服器群散熱。空調機大約需要1 W來除去1 W的功耗，這相等於已經低的能源轉換效率將再降低一倍。

全新半導體材料的出現可提高能源轉換效率，其成本也可以更低。在伺服器群中的功率結構的最後階段解決低效率的問題，可以實現每年節省70億千瓦小時的能量。如果一併計算空調機的能源成本，總成本倍增並佔了美國的所有伺服器的總能耗的14%。所能夠節省的成本也是非常巨大的。以每一千瓦小時的平均成本0.12美元來計算，每年可以節省的總成本高達17億美元，這還沒有包括由於採用更少數量的功率轉換器及空調機而得以額外節省的系統成本。

Datacenter Dynamics
2015年12月15日
作者：Alex Lidow
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