Electronic Design雜誌編輯Don Tuite訪問Alex Lidow，內容涵蓋EPC公司的氮化鎵場效應電晶體（eGaN FET）的最新及新穎應用。

Electronic Design雜誌
2014年3月
觀看視頻

宜普公司David Reusch談論增強型氮化鎵器件及沒有使用封裝以減少損耗

Electronic Products
2013年10月
http://bcove.me/ukn7dtt1

在EEWeb Pulse 訪問裡，宜普公司首席執行長Alex Lidow討論如何推動氮化鎵器件的廣泛應用。

EEWeb Pulse
日期：2013年6月

作者 ：Alix Paultre
雜誌 ：Power Systems Design

這個podcast的內容是關於我們與宜普電源轉換公司Alex Lidow的談話內容，Alex主要分享全新氮化鎵器件的技術及它們對電源業界的影響。宜普公司是基於增強型氮化鎵的電源管理器件的領先供應商，為首家公司推出替代功率MOSFET的矽基增強型氮化鎵(eGaN)場效應電晶體，應用範圍包括負載點轉換器、以太網供 電、伺服器、電腦應用的直流-直流轉換器、LED高效照明、行動電話、射頻傳送、太陽能微型逆變器及D類音訊放大器,器件性能比最好的矽功率MOSFET高出很多倍。詳情請瀏覽http://www.powersystemsdesign.com/paultre-on-power---power-gan?a=1&c=6282。

研討會： 在2012年2月9日舉行的電力電子應用技術研討會（APEC）

演講者： Alex Lidow博士

內容： Lidow博士是電源轉換公司首席執行長，為這家公司的共同創辦人及現有 HEXFET功率MOSFET技術的共同發明者之一。Lidow博士將在這個研討會和 工程師討論增强型氮化鎵場效應電晶體(eGaN FET)如何在尺寸和器件表現方 面比矽功率MOSFET卓越很多。

Alex Lidow is interviewed by ECN's Editorial Director, Alix Paultre, on the Tinker's Toolbox, ECN's audio interview website.  The interview explores the attributes of GaN technology, applications opened as a result of GaN's superior performance to MOSFETs and reasons for the take-up of eGaN FET products over the past year.

Listen to Interview

MOSFET、IGBT可以休矣，即将成为过去，在这个250亿美元的市场取而代之的将是GaN功率器件——这是EPC首席执行官Alex Lidow日前在接受EDN China专访时的说法。Lidow博士之前在IR担任了12年CEO，在2007年他创立了宜普电源转换公司（Efficient Power Conversion Corporation，EPC），他在斯坦福大学的博士论文就是关于HEXFET功率MOSFET的，是相关专利的发明者之一。在HEXFET专利过期之前，相关版税已超过9亿美元。

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