部落格:氮化鎵技術如何擊敗矽技術

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GaN 在 2019 年的發展趨勢…

GaN 在 2019 年的發展趨勢…

一月 07, 2019

隨著新的一年開始,花幾分鐘回顧2018年的成功,並展望2019年的期望是值得的。

在過去的一年中,利用GaN卓越性能的應用繼續擴展,GaN使用者的知識基礎也不斷擴大。全球已經看到了由GaN驅動的自駕車在運行。隨著GaN FETs和ICs在高速度、節能包絡追蹤電源中的應用,數位通訊得到了極大改善。隨著大面積無線電力的出現,無線世界的夢想正在接近現實。

EPC晶片級封裝FETs和ICs

GaN技術在2018年繼續發展,EPC的最新一代FETs和新型集成電路能夠超越並在價格上與硅基產品競爭。這種卓越性能與具有競爭力的價格相結合,促使傳統上保守的設計工程師開始在應用中使用GaN產品,例如DC-DC轉換器、AC-DC轉換器和汽車。例如,2018年出現了一波新的48 VIN DC-DC電源,無論是隔離還是非隔離型,都採用了我們的第5代100 V eGaN FETs,用於高端計算和汽車應用。

2019年將從100 V、200 V和350 V系列的持續擴展開始,並延續到第一季度及以後。新產品的開發已經開始,將在2019年上半年推出,電壓範圍最低可達30 V。AEC產品線用於汽車市場,將在全年繼續擴展,提供新的產品以滿足LiDAR、動力系統和電機控制的需求。

GaN對電源轉換系統性能產生最大影響的機會來自於其內在的能力,即在同一基板上整合功率級和信號級設備。EPC過去幾年來一直在開發客戶特定的GaN ICs。2019年將推出更複雜的單片GaN解決方案,這將提供超越硅解決方案的電路內性能,並增強電源系統工程師的設計便利性。敬請期待更多相關資訊!

GaN Power IC
Figure 1: GaN Power IC

2019年上半年將提供多個機會來觀察GaN在實際應用中的表現,因為EPC將參加即將舉行的幾個貿易展覽。我們希望與您分享我們令人興奮的GaN產品,所以如果您將參加這些展會中的任何一個,請聯繫我們安排會議

EPC於CES 2019

一月:

在拉斯維加斯的CES上,我們將展示一個“無電源線的世界”,討論自駕車LiDAR感測器的未來,並聆聽GaN為Class-D音頻系統提供的優質音效。

EPC於GaN Con 2019

二月:

在米爾皮塔斯舉辦的首屆GaN Con會議上,功率GaN的領導者,包括設計師、製造商和終端用戶,將討論GaN市場、技術現狀及未來發展。

三月:

中三月在南加州舉行的APEC(應用電力電子會議)中,EPC將榮幸地發表多篇論文並參與其中一個教育研討會。在展會現場,EPC展位將展示GaN如何繼續在48 V應用中取代硅。

2019年將是GaN的關鍵之年。GaN-on-silicon的性能和成本優勢將使目前使用硅MOSFET的大多數應用轉向更小、更快、更便宜且更可靠的GaN技術。這將是GaN技術進一步創新和EPC GaN解決方案進一步普及的一年,這將使我們的客戶能夠開發出最優的終端產品。

與EPC聯繫,以獲取全年新產品開發的更新。

EPC團隊祝您2019年成功和繁榮!

Tags: CESeGaNGaN

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