雜談GaN技術

脈衝激光雷達系統通常使用 905 nm 或 1550 nm 激光進行光學發射。  在 1400 nm 以上時，眼睛的各種元素會吸收光線，阻止其到達並損害視網膜。  隨著激光功率的增加，並不是所有的光都被吸收，在某些情況下可能會發生視網膜損傷。  由於 905 nm 的光線不被吸收，它確實會到達視網膜，因此必須小心控制能量密度以防止損壞。

無刷直流 (BLDC) 馬達 越來越受歡迎，並且在機器人技術、電子移動和無人機中有著越來越多的應用。這些應用有特殊需求，例如輕量、小尺寸、低轉矩波動、低噪音和極高的精度控制。為了滿足這些需求，為馬達提供動力的變頻器需要以更高頻率運行，但同時需要先進技術來減少由此產生的較高功率損耗。增強模式氮化鎵 (eGaN ®) 晶體管和集成電路能夠在不產生顯著損耗的情況下以更高頻率運行。

GaN FETs 可以比 Si MOSFETs 切換得更快，這使得許多系統設計師會問−更快的切換速度如何影響 EMI？

親愛的 EPC 朋友、同事和合作夥伴：

這篇文章最初由 John Glaser 博士和 David Reusch 博士於 2016 年 6 月 13 日在 Power Systems Design 網站上發表。

矽已經存在夠久了。是時候讓一個更年輕且更具競爭力的挑戰者來接管半導體材料的主導地位了。

隨著馬達技術的進步，功率密度增加；馬達被製成更小的形式，設計速度更高，精度更高，這需要更高的電氣頻率。

這篇文章最初由 M. Di Paolo Emilio 發表於 Power Electronic News 網站。

eGaN® FET 基於的電力轉換系統比基於 Si 的替代方案具有更高的效率、更高的功率密度和更低的整體系統成本。這些優勢特性促進了越來越多的電力電子元件生態系統的出現，例如門驅動器、控制器和被動元件，專門增強eGaN FET的性能。圖1顯示了一些 eGaN FET 的範例。

計算和電信市場的迅速擴展對於中間匯流排轉換器的需求變得越來越小型化、高效和高功率密度。LLC諧振轉換器是一個提供高功率密度和高效率解決方案的出色候選者。eGaN® FETs 具有超低的導通電阻和寄生電容，能顯著降低使用矽MOSFET時的損耗，這對LLC諧振轉換器非常有利。使用eGaN FETs（如EPC2053 和 EPC2023）的48 V到6 V、900 W、1 MHz LLC DC到DC變壓器（DCX）轉換器，展示了峰值效率達98.1%，特定功率為48 W/cm2 (308 W/in2)，功率密度為69 W/cm3 (1133 W/in3)。