作者：Maurizio Di Paolo Emilio，EPC市场传播总监

氮化镓（GaN）功率技术正进入一个新阶段。在快速充电器、汽车电源转换和其他较高电压应用中获得广泛采用之后，额定电压为40 V及以下的GaN器件正在开辟与硅MOSFET竞争的新战线。Omdia研究总监Paul Pickering表示，低电压GaN可能成为未来几年功率半导体领域最具颠覆性的技术发展之一。

在 GaN Talk 播客节目中，Omdia研究总监Paul Pickering解释说，这一市场机遇尤其重要，因为低电压GaN直接面向传统上由硅器件主导的应用领域。他表示：“40伏以下的低电压GaN有潜力成为近年来我们所见最具颠覆性的技术发展之一。”

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