Easy Engineering媒体采访了宜普电源转换公司（EPC）的市场营销总监Renee Yawger，了解目前氮化镓器件应用的情况和氮化镓技术的未来。

Easy Engineering
2022年5月
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以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)材料为主流的宽带隙(WBG)半导体功率器件，在节能永续意识抬头的今日成为各种功率系统应用的宠儿。2022年Tech Taipei研讨会首度以WBG器件为题，邀请业界重量级业者，从设计、制造、测试等不同面向与现场超过400位听众分享最新技术与应用趋势...

EE Times Taiwan
2022年3月25日
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当数据中心的服务器转用48 V架构，氮化镓晶体管可以替代目前的硅MOSFET器件，性能得以进一步提升和成本可以更低。

Data Center Dynamics
2022年3月
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随着数据处理基础设施的持续快速增长，市场要求在最小的占板面积内提供更高的功率。

Power Systems Design
2021年9月
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根据预测，到2025年，我们的数据将会超过175 zettabyte。当发明了 5G并将最早于2020年在日本举行的奥运采用、以及通过人工智能（AI）及机器学习（ML）的发展，建立数据中心和其部署、以及提升目前较旧的数据中心的效能，将进入突飞猛进的时代。

我深信氮化镓（GaN）功率晶体管是数据中心功率架构的最理想元件，因为需要小型化、高效及快速开关的元件。氮化镓器件在具48 VIN的所有拓扑，都可以实现最高的效率。

EDN
2019年6月
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EPC's chief executive, Alex Lidow, believes his GaN devices now beat silicon on performance and price, reports Rebecca Pool.

For EPC chief executive, Alex Lidow, this year's PCIM Europe 2019 has been all about applications. Presenting myriad enhanced-mode GaN FETs and ICs in end-products, the company is making a big play for 48 V DC-DC power conversion in advanced computing and automotives.

Compound Semiconductor
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宜普电源转换公司（EPC）推出两个全新100 V氮化镓器件，可以支持服务器及汽车应用的48 V转换的要求。 我将在处理器、车用及能量存储系统等方面探讨48 V服务器的功率转换解决方案（可参考我的文章 “双向DC/DC电源供电: 我们应该如何取向？”），未来将在EDN文章中看到。氮化镓功率晶体管必需是这些不同架构的一部分 -- 我相信没有其它更优越的元件可以替代氮化镓器件了 。

Planet Analog
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New converter topologies and power transistors promise to reduce the size and boost the efficiency of supplies that will run next-generation Artificial Intelligence (AI) platforms. In all the topologies with 48 V_IN, the highest efficiency comes with using GaN devices. This is due to their lower capacitance and smaller size. With recent pricing declines in GaN power transistors, the cost comparison with silicon-based converters now strongly favors GaN in all the leading-edge solutions.

Power Electronic Tips
March, 2019
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With the power architecture transition from a 12 V to a 48 V bus power distribution in modern data centers, there is an increased demand to improve 48 V power conversion efficiency and power density. In this context, DC-DC converters designed using eGaN^® FETs and ICs provide a high efficiency and high power density solution. Additionally, with the advent of 48 V power systems in mild-hybrid, hybrid and plug-in hybrid electric vehicles, GaN transistors can provide a reduction in size, weight, and Bill of Materials (BOM) cost.

Power Systems Design
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在48 V总线架构出现后，我们可采用全新、基于氮化镓（GaN）晶体管的混合式转换器，以实现超过95%峰值效率及225 W/in³ 功率密度。对于节能的数据中心来说，轻负载效率非常重要。基于氮化镓晶体管的转换器在转换至20%负载时，可保持高于90%的效率。

PowerPulse
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During last week's PCIM Europe event in Nuremberg, Germany, direct 48V-to-1V power conversion architectures were a significant topic. “The use of GaN switches in 48V-to-1V direct dc-dc converters can improve system performance by 30%, compared with today’s best silicon-based designs,” commented Alex Lidow, CEO of Efficient Power Conversion.

PowerPulse
May 31, 2017
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Max Smolaks欢迎于电源链（power chain）即将替代硅材料的全新氮化镓材料。

在过去的35年里，电源供电一直采用功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) –利用电压受控的硅器件进行开关及利用电场允许或阻止电流的流通。

Data Center Dynamics
2017年4月19日
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在深度学习盛行下，数据中心的功率密度再次备受关注，并且产生了全新的商业机遇，包括支持30 kW/rack 以上的设备内的专有云端服务，以及为提高系统能效以解决功率密度问题的功率转换公司提供机遇 。氮化镓是功率转换晶片的全新半导体材料，可替代硅器件、实现体积小很多、能效更高及开关速度快速很多的器件。

Data Center Knowledge
2017年2月
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通信的数学基础始于信息论的创始人Claude Shannon于1948的著作《通信的数学理论》。他把信息通信简化为1及0数字，实质上是二进制数字。该理论可以于现实世界中有噪声的环境下，准确无误地传输数据。Shannon在2016年4月30日本来是他的百年诞辰。

EDN Network
Steve Taranovich
2016年4月16日
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备受关注的议题诸如能量收集及无线电源传输将很大机会於下星期举行的APEC会议亮相。与会者将关注并监控氮化镓晶体管的发展。可是，持续提高数据中心的电能传输的效率将会是多家公司的“bread-and-butter”重要目标。

EE Times
半导体产业分析师、顾问Stephan Ohr
2016年3月16日
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The demand for information in our society is growing at an unprecedented rate. With emerging technologies, such as cloud computing and the Internet of Things, this trend for more and faster access to information is showing no signs of slowing. What makes the transfer of information at high rates of speed possible are racks and racks of servers, mostly located in centralized data.

EEWeb
Alex Lidow, Ph.D., David Reusch, Ph.D., and John Glaser, Ph.D.
March, 2016
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Improving low-voltage DC/DC converter performance with GaN transistors:
The emergence of commercially available and cost-effective gallium nitride (GaN) power transistors begins a new age in power electronics. There are significant benefits in using enhancement-mode gallium nitride FET (eGaN FET) devices in power converters for existing data center and telecommunications architectures centering around an input voltage of 48 VDC with load voltages as low as 1 VDC. High-performance GaN power transistors can enable new approaches to power data center and telecommunications systems with higher efficiency and higher power density than possible with previous Si MOSFET based architectures.

Power Systems Design
David Reusch, Ph.D., and John Glaser, Ph.D.
January, 25, 2016
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在2014年，美国的数据中心用上了1000亿千瓦小时（KWh）能量。雪上加霜的是，这个快速增长的所需能量，大部分是由基于超过一世纪前设立的基建、非常低效的供电网路支持。浪费了的能量有多严重？供电网路为一个数字晶片提供150 W功率，而实际上，它可能只需要100 W。 此外，由于在电源转换过程中，每一瓦功耗会转化为热量，因此实际上所浪费的能量更大。而我们必需利用昂贵及耗电的空调机来为伺服器群散热。空调机大约需要1 W来除去1 W的功耗，这相等于已经低的能源转换效率将再降低一倍。

全新半导体材料的出现可提高能源转换效率，其成本也可以更低。在伺服器群中的功率结构的最后阶段解决低效率的问题，可以实现每年节省70亿千瓦小时的能量。如果一并计算空调机的能源成本，总成本倍增并占了美国的所有伺服器的总能耗的14%。所能够节省的成本也是非常巨大的。以每一千瓦小时的平均成本0.12美元来计算，每年可以节省的总成本高达17亿美元，这还没有包括由于采用更少数量的功率转换器及空调机而得以额外节省的系统成本。

Datacenter Dynamics
2015年12月15日
作者：Alex Lidow
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