宜普电源转换公司推出EPC2102(60 V)及EPC2103(80 V)半桥式晶体管，进一步扩展其获奖的氮化镓功率晶体管产品系列。

宜普电源转换公司（EPC）宣布推出EPC2102(60 V)及EPC2103(80 V)增强型单片式氮化镓半桥器件。透过集成两个eGaN^®功率场效应晶体管而成为单个器件可以除去印刷电路板上器件之间的相连电感及空隙，使晶体管的占板面积减少50%。

宜普电源转换公司为功率系统设计师提供一款具备４奈秒上升时间特性的450 V氮化镓场效应功率晶体管(EPC2027 eGaN^® FET)并面向高频直流-直流转换器及医疗诊断仪器的应用。

宜普电源转换公司（EPC）宣布推出450 V并通常处于断开状态的增强型功率晶体管（EPC2027），可用于需要高频开关的应用，从而实现更高的效率及功率密度。受惠于采用高压并具备更快速开关特性的器件的应用包括超高频直流-直流转换器、医疗诊断仪器、太阳能功率逆变器及发光二极管照明等应用。

单晶片半桥式氮化镓功率晶体管EPC2100获得著名电子杂志颁发「年度产品大奖」，在竞争激烈的分立式半导体产品类别中被评选为极具创新性的产品。

宜普电源转换公司（EPC）的单片半桥式硅基氮化镓(eGaN^®)功率晶体管荣获《Electronic Products》杂志颁发2014年「年度产品大奖」。

EPC2101单片半桥式氮化镓功率晶体管为功率系统设计师提供增加效率及增加功率密度的解决方案。氮化镓器件可推动28 V转至1 V并在500kHz频率开关的全降压型转换器可以在14 A输出电流时实现接近87%系统效率，以及在30 A输出电流时可以实现超过82%效率。同时，与分立式解决方案相比，晶体管的占板面积减少50%。

宜普电源转换公司宣布推出60 V增强型单片半桥式氮化镓晶体管（EPC2101）。透过集成两个eGaN^®功率场效应晶体管而成为单个器件，可以除去互连电感及电路板上元件之间所需的空隙，使得晶体管的占板面积减少50%。结果是增加效率（尤其是在更高频率时）及提高功率密度并同时降低终端用户的功率转换系统的组装成本。EPC2101 最理想的应用领域是高频直流-直流转换。

EPC2105氮化镓半桥器件为系统设计师提供更高效及具有更高功率密度的解决方案--推动48 V转至12 V并在300kHz频率下开关的全降压型转换器系统可以在10 A输出电流时实现高达接近98%效率，以及推动48 V转至1 V并在300kHz频率下开关的全降压型转换器系统可以在14 A输出电流时实现84%效率。

宜普电源转换公司宣布推出80 V增强型单片式半桥氮化镓晶体管（EPC2105）。透过集成两个eGaN^®功率场效应晶体管而成为单个器件，可以除去互连电感及印刷电路板上的空隙、提高效率（尤其是在更高频率时）及提高功率密度并同时降低终端用户的功率转换系统的组装成本。EPC2105最理想应用于高频直流-直流转换及推动从48 V直接转至1 V系统负载的高效单级转换的应用。

EPC9118演示板展示采用具高频开关优势、电源电压在48 V或以上的氮化镓场效应晶体管（eGaN^® FET）可易于实现更小型及具更高效率的电源转换解决方案。

宜普电源转换公司推出全功能降压型功率转换演示电路-- EPC9118演示板，可支持30 V至60 V输入电压并转至5 V、 具20 A最高输出电流及400 kHz频率的降压转换器。它采用EPC2001 及EPC2015增强型氮化镓（eGaN^®)场效应晶体管（FET）及LTC3891降压控制器。这个降压转换器设计是电信、工业及医疗应用所需的配电解决方案的理想设计。

宜普公司为功率系统设计师提供一种上升时间为2奈秒(ns)并面向高频直流-直流转换器及医疗诊断仪器的300 V氮化镓场效应功率晶体管(EPC2025)。

宜普电源转换公司（EPC）宣布推出300 V功率晶体管（EPC2025），可用于需要高频开关的应用，从而实现更高效率及更高功率密度。受惠于更高开关速度的应用包括超高频直流-直流转换器、医疗应用的诊断仪器、功率逆变器及照明应用的发光二极管等。

EPC2100氮化镓功率晶体管为系统设计师提供具更高效率及功率密度的全降压转换器系统在500 kHz、12 V转1.2 V、10 A时实现接近93%峰值效率，以及在25 A时效率可高于90.5%。

宜普电源转换公司宣布推出EPC2100- 第一个可供商用的增强型单片式半桥氮化镓晶体管。透过集成两个eGaN功率场效应晶体管形成单一元件可以去除互连电感及印刷电路板上的空隙。这样可以提高效率（尤其是在更高频率时）及功率密度并同时降低终端用户的功率转换系统的组装成本。

On September 3^rd IEEE PELS will offer a webinar by Dr. Johan Strydom discussing the contribution of gallium nitride power transistors to meet the demanding system bandwidth requirements of envelope tracking applications.

EL SEGUNDO, Calif.— August 2014 — An Efficient Power Conversion Corporation (EPC) expert on the application of gallium nitride transistors in envelope tracking power circuit design will conduct a one-hour webinar sponsored by the IEEE Power Electronics Society (PELS) on September 3^rd from 11:00 AM to 12:00 AM (EDT).

由于氮化镓场效应晶体管（eGaN^® FET）具备卓越性能例如具低输出电容、低输入电容、低寄生电感及小尺寸，它是高度谐振并符合Rezence 无线充电联盟(A4WP)规格的无线电源传送系统的理想器件，可提高系统的效率。

宜普电源转换公司宣布推出无线电源转换演示套件。该套件备有40 V（EPC9111）及100 V(EPC9112)器件并包含以下三个组件：

氮化镓（eGaN^®）功率晶体管继续为电源转换应用设定业界领先的性能基准。由于氮化镓器件具有更低的导通电阻、更低的电容、更大的电流及卓越的热性能，因此使得功率转换器可实现超过98%的效率。

宜普电源转换公司宣布推出六个新一代功率晶体管及相关的开发板。这些由30 V至200 V的产品在很多应用可大大降低导通电阻（R_DS(on)）并可增强输出电流性能，例如具高功率密度的直流-直流转换器、负载点（POL）转换器、直流-直流及交流-直流转换器的同步整流器、马达驱动器、发光二极管照明及工业自动化等广阔应用。