面向大电流、高频的负载点应用的EPC9059开发板内含业界第一种单个半桥式增强型氮化镓(eGaN^®)集成电路，可实现更高功率密度。

宜普电源转换公司（EPC）推出半桥式开发板（EPC9059），专为大电流、高频的负载点（POL）应用而设，目的是利用氮化镓集成电路（eGaN IC）的优势，缩小功率转换系统的尺寸。该板具有30 V最高器件电压、50 A 最大输出电流。在这应用中，两个30 V 的eGaN IC（EPC2100）并联工作并配备板载驱动器，从而可以实现更高的输出电流。与硅基MOSFET相比，由于氮化镓器件具有卓越的均流能力，因此更适合并联操作。

宜普电源转换公司（EPC）推出由业界专家制作合共九个教程单元的高级教学视频系列，内容涵盖设计基础、DC/DC转换应用、无线充电应用、器件的可靠性及氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）及集成电路的各种其它应用。

宜普电源转换公司（EPC）增加合共九个教程单元的教学视频系列，扩大它的视频资源以拓展氮化镓技术的知识库，为功率系统设计工程师提供高级技术教程，包括应用范例，教授如何使用氮化镓晶体管及集成电路设计出更高效的功率转换系统。

宜普电源转换公司（EPC）的全新开发板帮助功率系统设计师容易并且快速地 对应用于E类放大器拓扑、电流模式D类放大器拓扑及push-pull 转换器的200 V氮化镓晶体管进行评估，其工作效率可以高达30 MHz。

宜普电源转换公司（EPC）宣布推出高频、基于氮化镓晶体管并采用差分模式的开发板，可以在高达30 MHz下工作。 推出开发板的目的是帮助功率系统设计师利用简易方法对氮化镓晶体管的优越性能进行评估，使得他们的产品可以快速量产。

Award Recognizes Innovation in Power Device Technology for Enabling the Commercialization of GaN

EL SEGUNDO, Calif, — January 2016 — Today, Efficient Power Conversion (EPC) announced that its CEO Alex Lidow was selected as the recipient of the 2015 SEMI Award for North America for the innovation of power device technology, enabling the commercialization of GaN. Dr. Lidow is being honored for his work in the area of Process and Technology Integration.

张远哲博士将为业界的包络跟踪应用创建设计基准及帮助客户利用氮化镓场效应晶体管（eGaN^® FET）实现高频、高性能的电源转换系统。

宜普电源转换公司（EPC）宣布张远哲（Yuanzhe Zhang）博士加入EPC的应用工程团队，担任应用工程总监。

氮化镓场效应晶体管--EPC2035/36被评选为《EDN》杂志2015年度最热门产品百强榜单。EPC2035/36氮化镓场效应晶体管的价格低、具备更高的性能、更小的尺寸及与等效硅基解决方案相比，其成本更低。这是5年内EPC氮化镓产品第3次荣登该杂志最热门产品百强榜单。

硅基增强型氮化镓场效应晶体管之全球领导厂商宜普电源转换公司(www.epc-co.com.cn) 宣布其高频、低价格的氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）- EPC203560 V）及EPC2036（100 V） 被评选为《EDN》杂志2015年度最热门产品百强之一。

《无线电源手册》第二版是全新增订本，旨在帮助工程师如何发挥氮化镓功率晶体管的卓越性能以设计出面向无线电源传送系统的高效放大器。

宜普电源转换公司（www.epc-co.com.cn）宣布推出《无线电源手册》第二版。出版本实用工程手册的目的是为功率系统设计工程师提供宝贵设计经验及参考数据以了解如何利用氮化镓晶体管设计出高效无线电源系统。

作为宜普电源转换公司的教科书《氮化镓晶体管—高效功率转换器件》的增刊及一本新增了内容的实用指南，本书提供详细分析如何逐步设计完成基于氮化镓晶体管的无线电源传送系统，内容涵盖如何比较组件，例如在放大器设计中，对氮化镓场效应晶体管（eGaN^®FET）与MOSFET进行比较，并配以实验证明于这种高性能的应用中，采用eGaN FET如何比采用MOSFET的放大器更为卓越。

Cataldo先生带领宜普电源转换公司（EPC）的销售及市场营销团队，帮助客户采用氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）及集成电路实现领先的功率转换系统。

宜普电源转换公司（EPC）宣布Nick Cataldo加入EPC的管理团队，担任全球销售及市场营销高级副总裁职位，以配合宜普公司正在加速发展的步伐。Cataldo先生在半导体业界拥有超过35年的市场营销及销售营运的经验。他的主要职责是制定及执行销售及市场营销策略，从而达到公司的全球销售目标。

EPC2037增强型氮化镓功率晶体管（100 V、1 A、550 mΩ）由一个数字驱动器直接驱动，于采用D类及E类放大器拓扑的无线充电应用中可以实现高频开关及特别优越的性能。

宜普电源转换公司(www.epc-co.com.cn )推出增强型氮化镓功率晶体管（eGaN^® FET）系列的最新成员 -- EPC2037。

EPC2037（100 V_DS、1 A）非常小型（1.82 mm²）及在栅极上施加5 V电压时的最大导通阻抗为 550 mΩ。 由于它具备超高开关频率、低导通阻抗值、异常低Q_G值及采用超小型封装，因此它在电源转换系统具备高性能优势。EPC2037由一个数字逻辑集成电路直接驱动，因此不需额外及高成本的驱动器集成电路。

宜普公司的《DC/DC转换手册》与工程师分享如何在数据通信设备及其它功率转换应用中利用氮化镓（GaN）功率晶体管提高效率及功率密度。

现今世界对信息的需求史无前例地快速增长，而社会对通信、计算及下载技术的渴求进一步驱使我们对信息的需求量上升。新兴技术诸如云端运算及物联网的出现，加上全球每分钟估计有高达300小时的录像被上载至YouTube平台，可见要求更多、更快速的信息存取的趨势不会慢下来。这个挑战推动了我们编撰这本实用工程知识手册--《DC/DC转换-《氮化镓晶体管—高效功率转换器件》的增刊 》。

本书阐述功率转换系统如何持续改善，从而跟上正在快速提升的运算能力的发展步伐，以及应对社会对高效数据中心的需求。此外，本书的焦点是如何发挥高效氮化镓技术并逐步分析如何利用氮化镓器件设计出高效的功率转换解决方案。该分析对用于功率转换系统中的传统先进硅功率晶体管和氮化镓晶体管进行比较。

双路增强型120 V、60 mΩ氮化镓集成电路（EPC2110）可实现超高频开关，从而推动采用E类放大器拓扑的无线电源传送应用实现优越性能。

宜普电源转换公司(www.epc-co.com.cn)推出增强型氮化镓IC系列的最新成员-- EPC2110。

EPC2110是一种具有120 V_DS、20 A的双路共源极器件，它采用非常纤薄的封装（1.35 mm x 1.35 mm），于栅极施加5 V电压时的最高R_DS(on) 为 60 mΩ。由于EPC2110具备超高开关频率、超低R_DS(on)、异常低的Q_G及采用非常纤薄的封装，因此这种氮化镓IC可以实现高性能。

全新eGaN^® FET (EPC2039)具备优越性能、大功率及采用超小型封装的优势，其价格也可以支付得起。

宜普电源转换公司宣布推出EPC2039功率晶体管。该产品是一种具备高功率密度的增强型氮化镓（(eGaN^®)功率晶体管，其尺寸只是1.82 mm²、80 V_DS、6.8 A及在栅极上施加5 V电压时的最大阻抗为 22 mΩ。 由于它在超小型封装内具备高开关性能，因此它在电源转换系统具备高性能优势。

氮化镓功率晶体管 -- EPC2106为功率系统设计师提供的解决方案可以在2 MHz以上频率开关，从而不会干扰AM频段及降低过滤成本，因此是具备低失真性能的D类音频放大器的理想选择。

宜普电源转换公司宣布推出单片半桥式增强型氮化镓晶体管 --EPC2106。通过集成两个eGaN^®功率场效应晶体管而成为一个集成电路可以去除互感及PCB板上器件之间所需的间隙空间，从而提高效率（尤其是在更高频时）及提高功率密度而同时降低终端用户的功率转换系统的组装成本。

eGaN^®功率晶体管在功率转换领域继续实现更高的性能。该晶体管系列具备更低的导通电阻、更低的电容、更大的电流及优越的散热性能，从而实现具备更高的功率密度的转换器。

宜普电源转换公司宣布推出两个可以提高电源转换效率的eGaN FET。这些产品的工作温度最高达150°C。150 V的EPC2033的脉冲电流为260 A及200 V的EPC2034)的脉冲电流为140 A。应用范围包括DC/DC转换器、DC/DC与AC/DC转换器的同步整流应用、马达驱动器、LED照明及工业自动化等应用。

Integrated Device Technology, Inc. ((IDT^®) (美国纳斯达克上市代号: IDTI)宣布与宜普电源转换公司（EPC）合作开发基于氮化镓（GaN）技术的全新方案。氮化镓被公认为在速度及效率方面极具优势的一种半导体材料。这合作谋求探索结合两家公司的技术——EPC的eGaN^®技术及IDT领先业界的解决方案。

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宜普电源转换公司(EPC)推出采用高性能、宽间距的芯片规模封装的全新氮化镓(eGaN^®)功率晶体管，进一步扩大其功率晶体管系列、易于实现高产量并与成熟的制造工艺及组装生产线兼容。

宜普电源转换公司宣布推出3个采用具有更宽间距连接的布局的氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）。这些产品采用具有1 mm间距的焊球，进一步扩大EPC的“宽间距”器件系列。更宽阔的间距可在器件的底部放置额外及较大的通孔，使得器件以超小型尺寸（2.6 mm x 4.6 mm）实现大电流承载能力。

全新eGaN^®功率晶体管系列以MOSFET器件的价格实现更优越的性能、更小的尺寸及高可靠性。

宜普电源转换公司宣布推出EPC2035（60 V）及EPC2036EPC2036 （100 V）eGaN功率晶体管，专为在价格方面竞争而设计并且在性能上超越硅器件。 价格是封阻可替代硅MOSFET器件的氮化镓（GaN）晶体管的普及化的最后一个壁垒，而价格已经下降。这些全新产品可以替代硅半导体及为业界续写摩尔定律的辉煌。

采用全新100 V EPC2104 半桥式器件的全降压转换器在48 V转12 V、22 A输出电流及300 kHz开关频率下，系统效率可超过97%；而在22 A、500 kHz开关频率下，系统效率则接近97%。

宜普电源转换公司（EPC）宣布推出EPC2104(100 V)增强型单片式氮化镓半桥器件。透过集成两个eGaN^®功率场效应晶体管而成为单个器件可以除去印刷电路板上器件之间的相连电感及所需的空隙，使晶体管的占板面积减少50%。这样可以提高效率（尤其是器件在更高频工作时）及增加功率密度并同时减低终端用户的功率转换系统的组装成本。

全新氮化镓(eGaN^®)功率晶体管（EPC2029）进一步扩大宜普电源转换公司的功率晶体管系列 – EPC2029 氮化镓晶体管使用高效、具有宽间距的芯片规模封装，可易于实现高产量并与成熟的制造工艺及组装生产线兼容。

宜普电源转换公司宣布推出采用更宽间距连接的布局的氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）-- 80 V、31 A并具有1 mm间距的焊球的EPC2029晶体管是这种全新产品系列的首个晶体管。更宽阔的间距可在元件的底部放置额外及较大的通孔，使得小尺寸（2.6 mm x 4.6 mm）的元件可以具备大电流承载能力。

EPC9201（30 V、40 A）及EPC9203（80 V、20 A）DrGaNPLUS评估板展示出采用具备高频开关性能的eGaN®功率晶体管可大大缩减电源转换系统的尺寸及提高效率。

普电源转换公司为功率系统设计工程师扩大简单易用的DrGaNPLUS评估板系列，使工程师非常容易对他们所设计并采用卓越的氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）的功率系统进行评估，进而快速实现量产。这些评估板是概念性验证的设计，它把所有半桥式电路所需的元件整合在单块、超小型及基于PCB的模组内，可以随时直接表面贴装在PCB板上，展示出采用氮化镓晶体管的卓越功率转换解决方案。