客户可以在我们的网页 注册 ，定期收取最新消息包括全新产品发布、应用文章及更多其它资讯。如果你错过了已发布的资料，你可浏览以下的文档。
EPC8010 100 V gallium nitride FET is optimized for high frequency applications with positive gain into the 3 GHz range.
EL SEGUNDO, Calif. – January 2014 – Efficient Power Conversion Corporation, the world’s leader in enhancement-mode gallium nitride on silicon (eGaN®) power FETs extends its family of high-speed, high performance transistors with the EPC8010 power transistor. Sold in die form, the EPC8010 is a mere 1.75 mm2 with 100 VDS. Optimized for high speed switching, the EPC8010 has a maximum RDS(on) of 160 milliohms and input gate charge in the hundreds of pico-coulombs.
阅读全文
EPC9013开发板内含100 V氮化镓场效应晶体管（eGaN®FET），是一种35 A最大输出电流并采用四个半桥式配置的电路设计及配备一个板载栅极驱动器。
宜普电源转换公司(EPC)宣布推出全新开发板 EPC9013 ，内含100 V增强型氮化镓场效应晶体管（EPC2001），使用四个半桥式并联配置及一个板载栅极驱动器，以降压模式工作在达35 A最大输出电流。这种创新设计可增加输出功率之同时并不会降低效率。
阅读全文
宜普电源转换公司的元件模型被纳入国家仪器公司最新推出的Multisim 13.0，已为数千工程師提供一個易於使用的環境，用以模擬採用EPC元件的功率转换系统，从而提高功率系统效率、缩小产品尺寸及降低设计功率转换系统的开发成本。
硅基增强型功率氮化镓场效应晶体管之全球领导厂商宜普电源转换公司宣布其增强型功率氮化镓场效应晶体管（eGaN® FET）SPICE模型被收纳入国家仪器（NI）最新推出的 Multisim 电路模拟及设计软件。Multisim提供全方位的電路分析工具，帮助工程师从先进功率转换系统的应用中易于计算、改变及查寻参数。
阅读全文
基于40Ｖ氮化镓场效应晶体管（EPC2014）的EPC9005开发板旨在帮助工程师于短时间内设计具备高频开关性能的电源转换系统
宜普公司宣布EPC9005开发板在中国荣获两个媒体颁发2013年度奖项，分别为今日电子杂志颁发2013年度十大电源产品奖的“优化开发奖”及EDN China杂志颁发2013年度中国创新奖的“优秀产品奖”。
“我们感到非常荣幸我司的产品得到今日电子杂志及EDN China杂志颁发2013年度奖项，表彰我们在技术创新方面所做出的努力。基于40 V氮化镓场效应晶体管（EPC2014）的EPC9005开发板可帮助工程师于短时间内设计具备高频开关性能的电源转换系统。EPC9005开发板是一种已制作好及易于连接的开发板，并备有完善归档的技术支持数据，使工程师可轻松地利用氮化镓场效应晶体管设计产品。在此我们再次感谢媒体朋友及工程师一直以来对我们的支持！”宜普公司首席执行官Alex Lidow说。
阅读全文
EPC9106 D类音频放大器参考设计使用具备高频开关性能的氮化镓功率晶体管，展示在提升效率、缩小产品尺寸及不需散热器之同时可实现具专业消费类水平的高质音响效果。
宜普电源转换公司推出150 W、8 Ω D类音频放大器的参考设计（EPC9106）。该演示板使用 Bridge-Tied-Load (BTL)设计，配置四个具接地连接的半桥输出级电路，为可升级及可拓展的设计。在这个基于氮化镓场效应晶体管的系统中，我们把所有可影响D类音频系统音质的元素减至最少或完全去除。
阅读全文
宜普公司的增强型氮化镓场效应晶体管备受推荐，其商用高铅含量的EPC2801、EPC2815及EPC2818器件现在可以在网上购买。
宜普公司（www.epc-co.com.cn）推出带高铅含量焊锡端子的器件，非常适合要求更高焊接温度的应用。EPC2801、EPC2815及EPC2818器件的焊接端子中的铅含量为95%，而锡含量为5%。
阅读全文
Power systems and RF designers now have access to high performance GaN power transistors capable of amplification into the low GHz range, enabling innovative designs not achievable with silicon.
EL SEGUNDO, Calif. — September 2013 — Efficient Power Conversion Corporation, the world’s leader in enhancement-mode gallium nitride on silicon (eGaN®) power FETs extends its family of high-speed, high performance transistors with the EPC8000 family of products.
阅读全文
EPC2018 氮化镓功率晶体管于直流-直流功率转换及D类音频放大器的应用发挥卓越性能及实现高频开关
宜普电源转换公司2013年9月宣布推出增强型氮化镓功率晶体管系列产品中的最新成员- EPC2018。
阅读全文
EPC9010开发板采用专为驱动氮化镓场效应晶体管而设的栅极驱动器，帮助工程师利用100 V的EPC2016氮化镓场效应晶体管快速设计高频开关型电源转换系统。
宜普电源转换公司(EPC)在2013年3月宣布推出EPC9010开发板。这种开发板能使工程师更方便地使用宜普100 V增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管（FET）来设计产品。受益于eGaN FET性能的应用包括高速直流-直流电源、负载点转换器、D类音频放大器、硬开关和高频电路
EPC9010开发板是一种100 V峰值电压、7 A最大输出电流的半桥电路设计，内含EPC2016增强型氮化镓场效应晶体管，并同时配合板载栅极驱动器。推出EPC9010开发板的目的是简化评估氮化镓场效应晶体管的过程，因为板上集成了所有关键元件，因此易于与目前任何转换器连接。
EPC9010开发板尺寸为2英寸x1.5英寸，不仅包含了带栅极驱动器且采用半桥配置的两个EPC2016 氮化镓场效应晶体管及德州仪器的栅极驱动器（LM5113），而且包含电源和旁路电容。EPC9010开发板集成了所有关键元器件及布局，以实现最优开关性能。电路板上还备有多个探测点，以便测量简单的波形和计算效率。
随开发板一起提供的还有一份供用户参考的速查指南 http://epc-co.com/epc/documents/guides/EPC9010_qsg.pdf，使用户可以更容易使用开发板。
EPC9010开发板的单价为99.18美元，客户可以透过DigiKey公司在网上购买，网址为http://digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=en。
氮化镓场效应晶体管的设计资料及技术支持
宜普公司简介
宜普公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商，为首家公司推出替代功率MOSFET的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管，其目标应用包括服务器、无线电源传送、包络跟踪、射频传送、以太网供电、太阳能微型逆变器、高效照明及D类音频放大器，器件性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。详情请浏览我们的网站www.epc-co.com 。
客户在Twitter的网址http://twitter.com/#!/EPC_CORP 可以找到EPC，也可以在我们的网页http://bit.ly/EPCupdates注册，定期收取EPC公司的最新产品资讯。
商标
eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普电源转换公司的注册商标。
媒体联络人
Winnie Wong ([email protected])
阅读全文
EPC is honored to be recognized as a 2012 All Star by Constant Contact. This status is an annual designation that only 10% of Constant Contact customers achieve. It is awarded to companies making extra efforts to engage customers. We would like to thank all who have supported us. If you are not already receiving our newsletter please join our list @ http://bit.ly/qr28tu
阅读全文
宜普公司首席执行官及应用专家将于业界IEEE APEC2013年电力电子研讨会举行为期半天的关于氮化镓场效应晶体管的技术及应用研讨会。
增强型硅基氮化镓功率场效应晶体管的全球领先供应商宜普电源转换公司将于3月17日至21日在美国加州Long Beach举行的2013年APEC会议的学术研讨会及多个以应用为主题的技术论坛演讲。
在功率电子应用响负盛名™的APEC会议专注功率电子的实用及应用方面，备受各界功率电子专家关注。APEC会议与在职工程师分享所有不同功率电子元件及设备的用途、设计、制造及推广，详情请浏览http://www.apec-conf.org/ 。
宜普公司创办人及首席执行官Alex Lidow说：“我们的专家非常荣幸获得2013年APEC会议技术评委会推荐我们在其学术研讨会演讲，并与工程师分享关于氮化镓的技术论 文。委员会对我们的支持进一步强化我们的信念 -- 功率系统设计工程师对具备卓越性能的氮化镓技术感到兴趣并且认同。”
学术研讨会： 实现高效电源转换的氮化镓晶体管
日期：3月17日（星期日）（S.7：下午2时30分至6时）
是次研讨会将讲解“氮化镓晶体管- 高效功率转换器件” 教科书所涵盖的议题，并阐释氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）的性能，以及讨论如何使用这些器件，包括解释在高性能、高频的电源转换应用中需要考虑驱动器、版图及热管理等因素。 为展示氮化镓技术在现实世界里的价值，我们将讨论多个应用包括高频包络跟踪（ET）、中间总线转换器（IBC）及无线电源传送。此外，我们将在研讨会的总结部分讨论这个崭露头角、替代MOSFET技术的未来发展。
宜普专家讨论关于氮化镓场效应晶体管的技术演讲
圆桌座谈会
专题讨论 ：宽带隙的半导体 - 时机成熟还是有待实现的承诺？
讲者 ：Alex Lidow
日期 ：3月19日（星期二）（Session 2：下午5时至6时30分）
技术研讨会
减小了寄生电感的高频及低损耗eGaN转换器设计
讲者 ：David Reusch 及 Johan Strydom
日期 ：3月20日（星期三）（直流-直流转换器 Session ：下午2时至5时30分）
在包络跟踪应用采用氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
讲者 ：Johan Strydom
日期 ：3月20日（星期三）（IS 2.2.4：上午8时30分至10时15分）
氮化镓场效应晶体管推动低功耗及高频无线能量转移转换器的应用
讲者 ：Michael de Rooij
日期 ：3月20日（星期三）（IS 2.2.3：上午8时30分至10时15分）
基于氮化镓场效应晶体管的谐振式高频电源转换器
讲者 ：David Reusch
日期 ：3月21日（星期四）（IS 1.4.5：上午8时30分至11时30分）
宜普公司简介
宜普电源转换公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商，为首家公司推出替代功率MOSFET的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管，其目标应用包括服务器、无线电源传送、包络跟踪、射频传送、以太网供电、太阳能微型逆变器、高效照明及D类音频放大器，器件性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。详情请浏览我们的网站www.epc-co.com 。
客户在Twitter的网址http://twitter.com/#!/EPC_CORP 可以找到EPC，也可以在我们的网页http://bit.ly/EPCupdates注册，定期收取EPC公司的最新产品资讯。
商标
eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普电源转换公司的注册商标
媒体联络人
Winnie Wong ([email protected])
阅读全文
EPC9004开发板内含氮化镓场效应晶体管及采用德州仪器公司专为驱动氮化镓场效应晶体管而设的栅极驱动器
宜普电源转换公司(EPC)在2013年2月5日宣布推出采用增强型氮化镓场效应晶体管的EPC9004开发板， 展示最新推出、专为驱动氮化镓场效应晶体管而优化的集成电路栅极驱动器，可帮助设计工程师简单地及以低成本从硅功率晶体管改为采用更高效的氮化镓场效应晶体管。
EPC9004开发板是一种200 V峰值电压、2 A最大输出电流的半桥电路设计，内含EPC2012氮化镓场效应晶体管，并同时配合德州仪器公司的快速栅极驱动器（UCC27611），从而缩短设计高频及高效功率系统的时间及减少设计的复杂性。
推出EPC9004开发板的目的是简化评估高效氮化镓场效应晶体管的过程，因为这种开发板是块2英寸x1.5英寸单板，板上集成了所有关键元件，因此易于与目前任何转换器连接。此外，电路板上还备有多个探测点，以便测量简单的波形和计算效率。随开发板一起提供的还有一份供用户参考的速查指南，使用户可以更容易使用开发板。
受益于200 V的EPC2012晶体管的应用包括无线电源充电、磁力共振扫描及具低射频的应用如智能仪表通信设备。
EPC9004开发板的单价为95美元，客户可以透过DigiKey公司在网上购买，网址为http://digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=en。
氮化镓场效应晶体管的设计资料及技术支持
宜普公司简介
宜普公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商，为首家公司推出替代功率MOSFET的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管，其目标应用包括服务器、无线电源传送、包络跟踪、射频传送、以太网供电、太阳能微型逆变器、高效照明及D类音频放大器，器件性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。详情请浏览我们的网站www.epc-co.com 。
客户在Twitter的网址http://twitter.com/#!/EPC_CORP 可以找到EPC，也可以在我们的网页http://bit.ly/EPCupdates注册，定期收取EPC公司的最新产品资讯。
商标
eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普电源转换公司的注册商标。
媒体联络人
Winnie Wong ([email protected])
阅读全文
无线充电将于2013年成为于电力电子业界增长迅猛的应用，其主要的发展步伐从2012年起开始加快。PowerPulse.Net编辑评选出十大发展以反映无线充电应用在2013年及之后的重要发展历程。
宜普在2012年8月宣布推出高效无线电源展示系统，它采用了具备高频开关性能的氮化镓晶体管（eGaN® FET），由于该晶体管可以在高频、高压及高功率条件下有效率地工作，所以非常适用于高效无线电源系统。该系统由宜普及WiTricity公司共同开发，为一个在工作频率为6.78 MHz的D类电源系统，能够向负载提供高达15W的功率。使用这个展示系统的作用是可以简化无线电源技术的评估流程。这个系统内的所有主要元件都是易于连接，可以展示无线电源传送如何对器件充电。
阅读全文
阅读全文
本书由业界专家编写，为工程师提供关于氮化镓晶体管的理论及其应用范围
宜普公司宣布出版了“氮化镓晶体管- 高效电源转换器件”的简中版教科书，旨在为功率系统设计工程师提供氮化镓晶体管的基本技术及相关应用的知识，从而帮助工程师使用氮化镓晶体管设计更高效的电源转换系统。
清华大学李永东教授评论这书时说“本书回顾了电力电子材料与器件的发展历程，并以新型氮化镓材料作为主要研究对象，深入地研究该类功率半导体材料的特点与应用。本书的分析缜密，内容新颖，论述详实，既具有很高的理论水平，又兼顾工程应用实例，具有大量详实的实验数据作为验证理论分析的依据。作为电力电子行业的读者，我觉得这是一本难得的，兼顾理论、实践与可读性的好书”。
阅读全文
宜普公司（www.epc-co.com） 宣布获得电子设计技术杂志颁发2012年度创新奖（电源器件与模块组别）之优秀产品奖。今年是电子设计技术杂志扎根中国第八个年头，它通过全球电子设计工程师网友及经理的投票与专家选评取得结果，为电子产业内最具影响力和权威的奖项。
宜普公司首席执行官Alex Lidow 说“我们非常荣幸获得电子设计技术杂志颁发奖项，并得到业界工程师的支持，作为在市场的主导产品，EPC2012是我们氮化镓场效应晶体管系列中成员之一，为客户所采用的更高性能并替代硅基MOSFET器件的产品”。
EPC2012器件为第二代200 V、具高频开关及增强性能的增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN® FET），并使用无铅以及符合RoHS(有害物质限制)条例的封装。
EPC2012 FET是一款面积为1.7 x 0.9 mm的200 VDS器件，RDS(ON)最大值是100 mΩ，栅极电压为5 V，脉冲额定电流为15 A，因此在较低栅极电压时，其性能得以全面增强。
与具有相同导通电阻的先进硅功率MOSFET相比，EPC2012体积小很多，而开关性能却高出许多倍。受益于eGaN FET性能的应用包括高速DC/DC电源、无线电源传送、射频包络跟踪、负载点转换器、D类音频放大器、硬开关和高频电路。
eGaN FET 的设计信息及支持
关于电子设计技术杂志（EDN China）
全球70多家公司的128项产品参加了本届电子设计技术杂志2012年度创新奖“最佳产品奖”的角逐，技术分类包括9 大技术类别 ：电源器件与模块、嵌入式系统、微处理器与 DSP、可编程器件、模拟与混合信号 IC、测试与测量、开发工具 与软件、无源器件与传感器，以及通讯与网络IC。此外还颁发了“工程师最喜爱的分销商奖”、“本土创新公司奖”和“创新工程师”奖项。电子设计技术杂志于超过20年前始创为国内第一本专注电子设计及知识交流的平台，目前其网站拥有超过400,000注册用户。详情请浏览www.ednchina.com.
宜普公司简介
宜普公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商，为首家公司推出替代功率MOSFET的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管，其目标应用包括服务器、无线电源传送、包络跟踪、射频传送、以太网供电、太阳能微型逆变器、高效LED照明及D类音频放大器，器件性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。详情请浏览我们的网站www.epc-co.com 。
客户在Twitter的网址http://twitter.com/#!/EPC_CORP可以找到EPC，也可以在我们的网页http://bit.ly/EPCupdates申请定期收取EPC最新产品资讯。
商标
eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普电源转换公司的注册商标。
媒体联系人
Winnie Wong ([email protected])
阅读全文
增强型氮化镓场效应晶体管技术的领先供应商 宜普电源转换公司被评选为“电子工程专辑 Silicon 60”高新科技新创企业之一。这些公司是电子工程专辑的编辑团队根据各公司所发展的技术、目标市场、成熟度、财政状况、投资规模和行政人员的领导才能等多种考量标准而评选出来的。
宜普公司首席执行官Alex Lidow说非常荣幸被评选为最热门的新兴电子公司之一，及感谢电子工程专辑对宜普公司的评价为“一家值得关注的新兴企业”。
与先进的 硅功率MOSFET相比，宜普氮化镓场效应晶体管的尺寸更小及器件的开关性能高出很多倍。受惠于氮化镓场效应晶体管的增强性能的應用包括射频包络跟踪、无线电源传送、高效直流-直流电源、负载点转换器及D类音频放大器。宜普也发布了氮化镓技术的成本将低于硅功率MOSFET及可以替代日益受限、价值几十亿美元的功率MOSFET和IGBT市场的进程。
如欲取得宜普公司氮化镓场效应晶体管产品系列的详尽资料，请浏览 http://epc-co.com/epc/products/gan-fets-and-ics。
宜普公司简介
宜普公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商，为首家公司推出替代功率MOSFET的硅基增强型氮化镓场效应晶体管，其目标应用包括服务器、无线电源传送、包络跟踪、射频传送、以太网供电、微型逆变器、高效照明及D类音频放大器，器件性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。详情请浏览我们的网站www.epc-co.com 。
客户在Twitter的网址http://twitter.com/#!/EPC_CORP 可以找到EPC，也可以在我们的网页http://bit.ly/EPCupdates注册，以定期收取EPC的最新产品资讯。
商标
eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普电源转换公司的注册商标。
媒体联络人
Winnie Wong ([email protected])
阅读全文
宜普电源转换公司（www.epc-co.com）宣布EPC9102荣获今日电子杂志十大电源产品技术突破奖 。
EPC9102 是一个全功能八分之一砖式转换器演示板。这块电路板是一个36 V-60 V 输入、12 V输出、375 KHz相移全桥式（PSFB）八分之一砖式转换器，最大输出电流为17A。EPC9102演示板展示了基于氮化镓场效应晶体管的直流-直流转换器可帮助工程师在业界基准砖式转换器的外形尺寸限制下提高输出功率及功率密度，
阅读全文
氮化镓场效应晶体管具有正温度系数， 因而在安全工作区域的电压及电流等条件的范围下，它具有更卓越的性能而能够解决硅MOSFET器件在性能上的限制。
宜普公司将发布所有氮化镓场效应晶体管在安全工作区域的数据。该器件具有正温度系数， 因而在安全工作区域范围内只有一个小区域受限于器件的平均温度。
安全工作区域的数据可以显示器件在具阻抗的结点的散热能力，其散热能力越高，器件越具更低的热阻，并使器件在安全工作区域的电压及电流等条件的范围下，具有更卓越的性能而不会发生故障。
与功率MOSFET相比，宜普的氮化镓场效应晶体管在目前的高效应用中具有更卓越的优势，它具有优异的RDS(ON)阻抗值及正温度系数，防止在芯片内产生发热点，致使氮化镓场效应晶体管可以在安全工作区域工作时具有更卓越的性能而不会发生故障。
宜普的氮化镓场效应晶体管的安全工作区域的应用手册刊载于: http://epc-co.com/epc/documents/product-training/SafeOperatingArea.pdf 。 此外，宜普公司将更新产品的数据表，包括列明每一个器件在安全工作区域内的性能的曲线图。
请浏览宜普其它产品的应用及设计资讯：
宜普公司简介
宜普公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商，为首家公司推出替代功率MOSFET的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管，其目标应用包括服务器、无线电源传送、包络跟踪、以太网供电、太阳能微型逆变器、能效照明及D类音频放大器，器件性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。详情请浏览我们的网站www.epc-co.com 。
客户在Twitter的网址 http://twitter.com/#!/EPC_CORP 可以找到EPC，也可以在我们的网页 http://bit.ly/EPCupdates 注册定期收取EPC最新产品资讯。
商标
eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普电源转换公司的注册商标。
媒体联络人
Winnie Wong ([email protected])
阅读全文