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宜普公司的氮化镓场效应晶体管具卓越开关速度，为具非常高的共振频率的无线电源传送提高功率电子的效率
宜普宣布推出一个高效无线电源展示系统，内含具高频开关性能的氮化镓晶体管。使用宜普的氮化镓场效应晶体管是这种系统的一个理想解决方案，因为它所具备的性能可以在高频、高压及高功率情况下有效率地工作。
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EPC9102充分展示了EPC2001 eGaN FET及德州仪器LM5113 eGaN FET驱动器的组合所能达到的优异性能。
宜普电源转换公司宣布推出EPC9102演示板，这是一个全功能的八分之一砖转换器演示板。这块电路板就是一个36V-60V输入、12V输出、375kHz相移全桥(PSFB)式八分之一砖转换器，最大输出电流为17A。该演示板内含100V EPC2001 eGaN FET及德州仪器专为驱动eGaN FET而设的半桥栅极驱动器（LM5113）。
LM5113是业界首款能够最佳驱动增强型氮化镓FET、并且能够充分发挥这种FET优势的驱动器。EPC9102演示板展示了当eGaN FET配合德州仪器LM5113 eGaN FET驱动器，可以实现eGaN FET的高开关频率性能。
这种转换器的结构符合标准八分之一砖的外形尺寸和高度 (2.300" x 0.900" x 0.400")要求。尽管这个尺寸比较小，但整个电路板在36V输入电压、10A输出电流条件下，可以达到94.8%的峰值功效。
EPC9102演示电路的设计用于展示使用eGaN FET在375kHz工作时，能够实现得到的尺寸和性能，而设计本身并没有针对最大输出功率进行优化。其工作频率大约比类似商用的八分之一砖DC/DC电源转换器高出50%至100%。
EPC9102演示板的尺寸特别是过大的尺寸，这是方便电源系统设计工程师连接相关的评估平台。演示板上有许多探测点，便于测量简单波形和计算效率。
EPC9102演示板可用在低环境温度和强制空冷条件下的基准评估。随EPC9102演示板一起提供的，还有一份供用户参考和易于使用的快速入门指南： http://epc-co.com/epc/documents/guides/EPC9102_qsg.pdf。
EPC9102演示板单价为306.25美元，客户可以透过DigiKey公司在网上购买，网址为：http://digikey.com/Suppliers/us/Efficient-Power-Conversion.page?lang=en。
EPC eGaN FET 及 德州仪器的LM5113 设计工具指南
eGaN FET 设计信息及支持
宜普公司简介
宜普公司是基于增强型氮化镓的功率管理器件的领先供应商，为首家公司推出替代功率MOSFET的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管，其目标应用包括服务器、无线电源传送、包络跟踪、以太网供电、太阳能微型逆变器、能效照明及D类音频放大器，器件性能比最好的硅功率MOSFET高出很多倍。详情请浏览我们的网站www.epc-co.com 。
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商标
eGaN® 是Efficient Power Conversion Corporation宜普电源转换公司的注册商标。
媒体联络人
Winnie Wong ([email protected])
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Dr. Reusch will be creating benchmark power converter designs and assisting customers in the use of eGaN FETs® for high frequency, high performance power conversion systems
EL SEGUNDO, Calif.—May 2012 — Efficient Power Conversion Corporation (EPC) is proud to announce that Dr. David Reusch has joined the EPC engineering team as Director, Applications Engineering.
As a member of the EPC applications team, Dr. Reusch’s focus will be on designing lower loss and higher power density benchmark circuits that demonstrate the benefits of using gallium nitride transistors. His initial focus will be on their use in higher voltage DC-DC converters and resonant, soft-switching converters. Dr. Reusch’s research and experience in these applications will be shared with customers to accelerate their designs using high performance eGaN FETs. His designs will demonstrate GaN transistors’ superior performance over MOSFETs.
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EL SEGUNDO, Calif.—May, 2012 — Efficient Power Conversion Corporation (EPC) CEO Alex Lidow will speak at the private Credit Suisse investor conference in San Francisco on Tuesday, May 22, at 10:00 a.m. Pacific time. Dr. Lidow will discuss the growing market for gallium nitride transistors with a focus on EPC’s eGaN® FET technology and products. As a displacement technology, GaN FETs can be used in an array of current MOSFET applications in addition to enabling new high volume applications, such as wireless power and envelope tracking, a method for significant energy savings in communication devices.
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EL SEGUNDO, Calif. – April, 2012 - Efficient Power Conversion Corporation, (www.epc-co.com) the leader in enhancement mode gallium nitride FET technology, announces today that it has been recognized with inclusion in the EE Times Silicon 60 list of 60 Emerging Startups. Companies are selected by the editorial team at EE Times based on a mix of criteria including: technology, intended market, maturity, financial position, investment profile, and executive leadership.
"It is an honor to receive this recognition from EE Times as one of the hottest emerging electronics companies and as EE Times has noted, 'an emerging company worthy of tracking,'" commented Alex Lidow, CEO, Efficient Power Conversion Corporation.
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德州仪器公司发布了一个全新应用于高密度电源转换器、专门驱动MOSFET及氮化镓场效应晶体管的低侧栅极驱动器(LM5114)。 这个驱动器适用于低侧应用，包括同步整流器及经过功率因数较正的转换器。加上在2011年推出的业界第一个100V半桥氮化镓场效应晶体管驱动器(LM5113)，这个产品系列提供了完整的隔离DC/DC电源转换驱动器解决方案，专门驱动应用于高效电信、网络及数据中心的具大功率输出特性之氮化镓场效应晶体管及MOSFET。请浏览www.ti.com/gan 以取得详情、样片及评估板的资料。
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这本由业界专家撰写的“应用于高效电源转换系统的氮化镓晶体管”教科书，提供氮化镓晶体管的科技理论和应用教材。
宜普电源转换公司（www.epc-co.com ）宣布出版了旨在为电源系统设计工程师提供基本技术和应用资料，以怎样利用基于氮化镓的晶体管，设计出更高效的电源转换系统。
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1/3/2012
德州仪器推出的国半LM5113 驱动器荣获美国电子产品杂志(Electronic Products)之年度最佳产品奖。该著名行业杂志的读者皆为电子设计工程师，经过编辑评审过千于2011年发布的产品，选出于以下各方面表现优胜的产品：创新设计、于技术或应用方面取得重大发展及具成本和性能超卓优势。
德州仪器推出业界首款针对增强型氮化镓（GaN）功率场效应晶体管（FET）而优化的驱动器。与标准金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）相比，由于具有较低的导通电阻（Rdson）、栅极电荷（Qg）以及超小的体积，增强型GaN FET可以实现更高的效率和功率密度，但是要可靠地驱动这类器件也面临着新的重大挑战。国半的LM5113驱动集成电路化解了这些挑战，使电源设计人员能够在各种流行的电源拓扑结构中发挥GaN FET的优势。
“我们衷心祝贺德州仪器荣获这个殊荣。LM5113桥式驱动器为设计工程师提供一个确实的plug & play解决方案，加速业界采用eGaN ®FET及其普及化。LM5113释放了eGaN FET的效能优势，帮助设计工程师实现功率及系统密度方面的全新性能基准。”宜普电源转换公司首席执行官Alex Lidow 说。
http://www2.electronicproducts.com/Driving_GaN_FETs_becomes_reality-article-poypo_TI_NatSemi_jan2012-html.aspx
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EPC9101演示板使用具高频开关优势的eGaN功率晶体管，可减小降压电源转换器尺寸和提高效率
EPC9101是一款全功能的降压电源转换器演示电路，实现8V-19V输入、1.2V电压、18A最大电流输出及1MHz降压转换器，使用的器件包括EPC2014和EPC2015 eGaN FET，并配合德州仪器公司最近推出的国半100V半桥栅极驱动器（LM5113）。LM5113是业界首款专为增强型氮化镓场效应晶体管而设计的驱动器。EPC9101演示高开关频率eGaN FET与这个匹配的驱动器，可减小降压电源转换器尺寸和提高性能。
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宜普公司获得ISO认证其设计、开发、营销和销售氮化镓功率晶体管及功率管理器件
宜普电源转换公司（www.epc-co.com） 是基于节能增强型氮化镓晶体管的功率转换应用的领先供应商，其质量管理系统已经通过国际标准化组织的ISO9001:2008认证。
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EPC9006开发板可帮助设计工程师快速开发基于100V EPC2007的高频开关型电源转换系统。这是一种已制作好及宜于连接的开发板，并备有完善归档的技术支持资料。
宜普电源转换公司(EPC)宣布推出EPC9006开发板，这种开发板能使用户更方便地使用宜普100V增强型氮化镓(eGaN®)场效应晶体管设计产品。受益于eGaN FET性能的应用包括高速DC/DC电源、负载点转换器、D类音频放大器、硬开关和高频电路。
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EPC2007采用符合RoHS(有害物质限制)条例要求的无铅封装，以增强其高频开关性能。
宜普电源转换公司(www.epc-co.com)宣布推出第二代增强性能氮化镓场效应晶体管（eGaN® FET）系列中的最新成员——EPC2007。EPC2007具有环保特性、无铅、无卤化物以及符合RoHS(有害物质限制)条例要求。
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EPC9005开发板可帮助设计工程师快速开发基于40V EPC2014的高频开关型电源转换系统。这是一种已制作好及宜于连接的开发板，并备有完善归档的技术支持资料。
宜普电源转换公司(EPC)宣布推出EPC9005开发板，这种开发板能使用户更方便地使用宜普40V增强型氮化镓(eGaN®)场效应晶体管设计产品。受益于eGaN FET性能的应用包括高速DC/DC电源、负载点转换器、D类音频放大器、硬开关和高频电路。
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2011年8月23日星期二
宜普电源转换公司(EPC)推出第二代40V及16mΩ功率晶体管，进一步扩大其业界领先的增强型氮化镓(eGaN®) 场效应晶体管产品系列范围
EPC2014采用符合RoHS(有害物质限制)条例要求的无铅封装，以增强其高频开关性能。
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EPC2012采用符合RoHS(有害物质限制)条例的无铅封装，以增强其高频开关性能。
宜普电源转换公司(www.epc-co.com)宣布推出第二代增强性能氮化镓场效应晶体管（eGaN® FET）系列中的最新成员——EPC2012。EPC2012具有环保特性、无铅、无卤化物以及符合RoHS(有害物质限制)条例。
EPC2012 FET是一款面积为1.6平方毫米的200VDS器件，RDS(ON)最大值是100mΩ，栅极电压为5V。这种eGaN FET具有比第一代EPC1012 eGaN器件明显更高的性能优势。EPC2012的脉冲额定电流提高至15A(而EPC1012只有12A)，因此在较低栅极电压时，其性能得以全面增强，而且由于提高了QGD/QGS比率，EPC2012还具有优异的dv/dt抗干扰性能。
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EPC9004开发板可帮助设计工程师快速开发基于200V EPC2012的高频开关型电源转换系统。这是一种已制作好及宜于连接的开发板，并备有完善归档的技术支持资料。
宜普电源转换公司(EPC)宣布推出EPC9004开发板，这种开发板能使用户更方便地使用宜普200V增强型氮化镓(eGaN®)场效应晶体管设计产品，其应用范围广泛，如太阳能微型逆变器、D类音频放大器、以太网供电(PoE)系统和同步整流器。
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National Semiconductor Corp. (NYSE:NSM) today introduced the industry’s first 100V half-bridge gate driver optimized for use with enhancement-mode Gallium-Nitride (GaN) power field-effect transistors (FETs) in high-voltage power converters. Enhancement-mode GaN FETs enable new levels of efficiency and power density compared to standard metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) due to their low on-resistance (Rdson) and gate charge (Qg) as well as their ultra-small footprint, but driving them reliably presents significant new challenges. National’s LM5113 driver integrated circuit (IC) eliminates these challenges, enabling power designers to realize the benefits of GaN FETs in a variety of popular power topologies.
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宜普电源转换公司(www.epc-co.com) 宣布其硅基增强型氮化镓(eGaN®)功率FET系列器件获得声望很高的《电子工程专辑》颁发年度电子创新(ACE)奖项的能源技术大奖。ACE奖项旨在表彰在全球产业中展现领先和创新精神并使我们生活更加美好的技术创造者。
“我们非常荣幸能够获得ACE奖项。这个奖项证明宜普的增强型GaN功率晶体管为电源转换技术领域带来重大突破。我们相信硅基MOSFET的表现已经走到了尽头，eGaN技术将引领电源管理解决方案的表现持续改进。” 宜普公司合伙创始人、首席执行官Alex Lidow表示。
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Microsemi公司正在与宜普电源转换公司(www.epc-co.com)合作开发一系列用于高可靠性宇航与军事应用中的高性能FET产品。两家公司在2011年3月21至24日于佛罗里达州奥兰多市举行的政府微电路应用与关键技术会议(GOMAC)上发表了题为“在长期应力下的增强型氮化镓产品特性”的联合研究论文。这份研究报告提供了可靠性测试结果，并展示了在高温和暴露在辐射环境下器件的稳定性能。
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宜普电源转换公司(www.epc-co.com)宣布推出EPC2001和EPC2015两种无铅且符合RoHS(有害物质限制条例)要求的增强型氮化镓 (eGaN™) FET。
EPC2001 FET是一种100 VDS器件，RDS(ON) 最大值是7mΩ，栅极电压为5V。EPC2015是一种40 VDS器件，RDS(ON) 最大值是4mΩ。与同样先进的硅基功率MOSFET相比，这两种eGaN FET都具有更卓越的性能优势。两种器件都具有低导通电阻，体积比相同电阻的硅器件更小，并且具有卓越许多倍的开关性能。
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