2014年5月12日
应用于功率转换领域的硅器件的性能已接近其理论极限。氮化镓（GaN）及碳化硅（SiC）将取代大部分市值120亿美元的硅功率MOSFET市场。目前已经有产品投产，其性能比硅器件的理论性能极限好5至10倍。
杂志：Bodo’s Power Systems 作者：Alex Lidow 2014年5月