2014年11月13日
氮化镓（GaN）场效应晶体管随时准备在电压调节器及直流-直流电源应用替代硅功率器件。 与硅MOSFET器件相比，氮化镓晶体管的开关速度快很多及具有更低的导通电阻（RDS(on)），从而可以实现具有更高功效的功率电源，对我们来说是好的。如果你正在使用氮化镓器件设计功率电路，你必需理解器件的开关速度。
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