2016年10月31日
随着功率转换器需要更高的功率密度,晶体管必须配合不断在缩减的电路板面积。氮 化镓(GaN)功率晶体管除了可以提高电源效率外,它们也必须具备更高的热效率。在 这篇文章中,我们探讨采用芯片级封装的增强型氮化镓场效应晶体管(eGaN ®FET) 的热性能,并与最先进的Si MOSFET比较两种器件的电气性能和热性能。
Bodo's China 2016年10月 阅读全文