本系列的第四章中，我们探讨了采用晶圆级芯片规模封装的eGaN器件的热机械可靠性。同样重要的是，我们需要了解有栅极偏置时，器件有可能发生的故障模式。本章探讨氮化镓（GaN）场效应晶体管的栅极在偏置电压时失效的物理原因。我们把eGaN FET的栅极控制电压提升至特定的最大极限值和极限值以上，从而分析该器件在失效前的性能。

Planet Analog
Chris Jakubiec
2016年11月29日
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