硅功率MOSFE追不上目前功率电子业界的演进步伐 -- 业界需要具备高效、高功率密度及细小的外型尺寸的器件。业界看到硅MOSFET已经达到它的理论极限，从而需要找出全新器件。氮化镓（GaN）是一种HEMT器件，具备附加增值的优势，被证明为可以支持全新应用的要求。

Power Electronics News
2020年3月25日
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