氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 已经彻底改变了电力电子行业，提供了比传统硅 MOSFET 更小的尺寸、更快的开关速度、更高的效率和更低的成本等优势。然而，GaN 技术的快速发展有时超越了专用 GaN 门驱动器和控制器的发展。因此，电路设计师经常转向为硅 MOSFET 设计的通用门驱动器，这需要仔细考虑各种因素以确保最佳性能。

Bodo 的电力系统
2024年2月
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