GaN（氮化镓）FET 正以优越的可靠性彻底改变电力电子技术，优于传统硅半导体。在 2025 年欧洲 PCIM 展会的视频中，EPC 首席执行官 Alex Lidow 解释了 GaN 技术在电源转换应用中的根本优势。了解为什么 GaN 器件能在 300°C 条件下运行，而硅会失效；理解 GaN FET 中不存在 Spirito 效应；并探索这些宽禁带半导体如何实现太空应用中的抗辐射能力。

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