在这次网络研讨会中，高效电力转换（EPC）的首席执行官Alex Lidow详细介绍了GaN是如何跨越关键性能边界，现在在所有电压和所有拓扑结构中均优于最好的硅MOSFET。您将看到关于导通电阻、硬切换和软切换损失以及在人工智能、服务器和点负载转换器中的实际效率提升的具体数据 - 从数十伏降至低至1伏以下的电压。Lidow还预览了未来以集成为重点的几代产品，这些产品将GaN推向其理论极限。

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