2013年4月5日
与基于传统MOSFET的设计相比，基于氮化镓场效应晶体管的负载点降压转换器能够通过优化印刷电路板的版图而减少寄生电阻，从而提高效率、加快开关速度及减少器件的过冲电压。
详情请浏览http://powerelectronics.com/gan-transistors/egan-fet-silicon-power-shoot-out-vol-13-part-2-optimal-pcb-layout。