VDS（最大値）、100 V
ID（最大実効値）、10 A
ハーフブリッジとドライバ
開発基板EPC9002は、面積2インチ×1.5インチで、テキサス・インスツルメンツ社のゲート・ドライバLM5113を使うハーフブリッジ構成の2個のGaN FET（EPC2001）を搭載しているだけでなく、電源回路とバイパス・コンデンサも搭載しています。この基板は、最適なスイッチング特性のために、すべての重要な部品を搭載し、レイアウトしてあります。簡単に波形を測定して、効率を計算できるように、さまざまなプローブ・ポイントも備えています。
ステータス:廃止
GaNのエキスパートたちは、新しい設計に EPC9097を提案しています。