EPC9017:開発基板

EPC Development Board

VDS(最大値)、100 V
ID(最大実効値)、20 A
ハーフブリッジとドライバ

開発基板EPC9017は、ゲート駆動回路を搭載し、耐圧100V、最大出力電流20Aで動作するエンハンスメント・モード(eGaN®)電界効果トランジスタ(FET)のEPC2001をハーフブリッジ構成にして搭載しています。この開発基板の目的は、任意の既存のコンバータの中に容易に接続することができる単一基板の上に、すべての重要な部品を搭載することによって、eGaN FETであるEPC2001の評価プロセスを単純化することです。

ステータス:廃止
GaNのエキスパートたちは、新しい設計に EPC9097を提案しています。
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