EPC2012：エンハンスメント・モード・パワー・トランジスタ

VDS, 200 V
RDS(on), 100 mΩ
ID, 3 A
RoHS 6/6、ハロゲン・フリー

EPC2012 Enhancement Mode GaN Power Transistor
チップ・サイズ：1.7 mm × 0.9 mm

アプリケーション

  • 高速DC-DC変換
  • 高周波のハード・スイッチングとソフト・スイッチング
  • パルス電流アプリケーション

特徴

  • スイッチング周波数の高速化： スイッチング損失の低減と駆動電力の低減
  • 高効率化： 導通損失とスイッチング損失の低減、逆回復損失なし
  • 実装面積の小型化： 電力密度の向上
ステータス:廃止
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