EPC2034C: 200 V, 213 Aのエンハンスメント・モードGaNパワー・トランジスタ

V_DS, 200 V
R_DS(on), 8 mΩ
I_D, 48 A
パルス I_D, 213 A
RoHS 6/6、ハロゲン・フリー

EPC2034C Enhancement Mode GaN Power Transistor

チップ・サイズ：4.6 mm x 2.6 mm

アプリケーション

DC-DCコンバータ
絶縁型DC-DCコンバータ
BLDCモーター駆動
AC-DCおよびDC-DCの同期整流
Multi-level AC/DC Power Supplies
Wireless Power
Solar Micro Inverters
Robotics
Class-D Audio

特徴

スイッチング周波数の高速化： スイッチング損失の低減と駆動電力の低減
高効率化： 導通損失とスイッチング損失の低減、逆回復損失なし
実装面積の小型化： 電力密度の向上

ステータス:新しいデバイスが提供されました（NDO）
GaNのエキスパートたちは、新しい設計に EPC2215を提案しています。NDO（新しいデバイスが提供されました）注：これは以前の世代のデバイスであり、完全にサポートされています。ただし、推奨するデバイスは、ほとんどのアプリケーションでより優れた価格と性能を提供します。

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