EPC2121：100 V、2.5 Aの双方向エンハンスメント・モードGaNパワー・トランジスタ

VDS, 100 V
標準オン抵抗RDS(on), 45 mΩ
ID, 2.5 A
パルスID, 18 A

EPC2121 100 V, 2.5 A Bidirectional Enhancement-Mode GaN Power Transistor
チップ・サイズ：0.9 mm×0.9 mm

アプリケーション

  • ソリッド・ステート・リレー
  • 交流スイッチング
  • バッテリー管理

利点

  • 双方向ブロッキング
  • 超小型面積
  • 低オン抵抗
ステータス: 推奨

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EPC9182 交流電圧（SSR）評価基板　　 $197.11

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