EPC2215：200 V、162 Aのエンハンスメント・モードGaNパワー・トランジスタ

VDS, 200 V
RDS(on), 8 mΩ
ID, 32 A
パルス ID, 162 A

EPC2215 Enhancement Mode GaN Power Transistor
チップ・サイズ： 4.6 mm x 1.6 mm

アプリケーション

  • DC-DCコンバータ
  • BLDCモーター駆動
  • AC-DCおよびDC-DCの同期整流
  • マルチレベルのAC-DC電源
  • ワイヤレス・パワー
  • 太陽光発電用マイクロインバータ
  • ロボット
  • D級オーディオ

特徴

  • スイッチング周波数の高速化： スイッチング損失の低減と駆動電力の低減
  • 高効率化： 導通損失とスイッチング損失の低減、逆回復損失なし
  • 実装面積の小型化： 電力密度の向上
ステータス:推奨
購入

代理店を探す
見積もりを請求する
Ask and EPC Engineer a Question FAQ

EPCのeGaN FETと
ICについて質問が
ありますか？
GaNエキスパートに聞く

データシート

評価基板

これらの低コストの評価オプションを使って、
今日から設計を初めてください：

EPC9099 200 V、15 Aのハーフブリッジ評価 ¥13,788

品質と信頼性

設計資料

アプリケーション・ノート

デバイス・モデル

設計ツール

製品変更告知PCN（製品変更告知PCN（Product Change Notice））