アプリケーション・ブリーフ

GaN技術は、私たちの生き方を変え、次世代のパワー・システム設計に高性能の窒化ガリウムのFETとICを組み込みたいパワー・システムの設計エンジニアに挑戦しています。

EPCのeGaN® 技術を使ったアプリケーションの詳細については、下掲のアプリケーション・ブリーフをご覧ください:

ワイヤレス・パワー用 eGaN® FETとIC (AB001)

無線エネルギー伝送によって、私たちの日常生活に浸透してきた数えきれないほどの充電池駆動機器のリモート給電と充電が可能になります。

包絡線追跡用 eGaN FET とIC (AB002)

包絡線追跡は、現在の固定電力システムと比べて、電力需要を正確に追跡することによって、RF(無線周波数)パワー・アンプのエネルギー効率を向上させるための電源技術です。包絡線追跡の利用は、携帯電話の通話時間をより長くし、基地局では、エネルギー消費がはるかに少なく安価に動作する小型で安価なアンプを意味します。

D級オーディオ用eGaN FETとIC (AB003)

オーディオ・アンプによって再生される音質は、THD(全高調波歪み)、DF(ダンピング・ファクタ)、IMD(相互変調歪み)によって測定され、使われたパワー・トランジスタの特性の影響を受けます。

LiDAR向けのeGaN FETとIC (AB005)

LiDAR(光による検出と距離の測定)は、周囲の3次元画像または地図を迅速に作成するためにパルス・レーザーを使います。

ネットワーク用 POL コンバータ向けeGaN FETとIC (AB006)

小型、高効率、高速応答の POL(負荷点)コンバータへの継続的に拡大する需要が、より高速で、より高効率なパワー・スイッチへの需要を牽引しています。

拡張現実向けeGaN FETとIC (AB008)

LiDAR(光による検出と距離の測定)は、周辺の3次元画像や地図を生成するために、拡張現実(AR)に使われています

48 Vのバック・コンバータ用eGaN FETとIC (AB009)

データセンターは、膨大な電気エネルギーを消費します。これらのセンターを稼働する電力は、メガワットから数10メガワットへと推移しています。データセンターにおける電力変換の今日の設計は、エネルギー効率を改善し、運用コストを低減することに焦点を当てています。

医療技術向けeGaN FETとICy (AB010)

分解能は、超音波診断、CATスキャン(コンピュータX線体軸断層撮影法)、MRI(磁気共鳴画像)など、すべての医療用画像機器の重要な特性です。eGaN FETとICは、画像機器がスキャン測定を実施するときの速度と精度を向上させます。eGaN® FETは小型で高効率なので、収集されたデータの分解能が向上し、動作電力が下がるため、高速に画像を生成できます。

DC-DC変換用eGaN FETとIC (AB013)

最も小さく、最も費用対効果が高く、最も効率が高い48 V入力、12 V出力の非絶縁型コンバータは、EPC2045などのeGaN® FETの採用によって実現できるので、高性能コンピューティングや通信のアプリケーションに最適です。

高信頼性パワー・ソリューション向けeGaN FETとIC (AB015)

宇宙、高高度飛行、高信頼性が要求される軍事用途などの過酷な環境で使われる電力変換器は、放射線による損傷または誤動作に耐えなければなりません。

車載用DC-DC向けeGaN FETとIC (AB016)

車載用電子機器は今、エンハンスメント・モード窒化ガリウム(eGaN)・デバイスの高効率、高速、小型、低コストというメリットを最大限に活用できるようになりました。特に48 Vの入力ノードでは、成熟したシリコンMOSFETに比べて、GaNの大きな利点が生かせる大規模なアプリケーションがいくつか登場しています。

ブラシレスDC(BLDC)モーター向けeGaN FETとIC (AB017)

イーモビリティ、コボット(協働ロボット)やロボット、DCサーボ駆動、ドローン、自動車などの主要なアプリケーションでは、より小型・軽量で、より正確なモーター駆動を実現するためにGaNデバイスを使っています。

ドローン向けeGaN FETとIC(AB018)

GaN技術は、産業用ドローンで使われる複数のアプリケーション向けに、非常に高効率なソリューションを提供します。GaNは、性能を向上させ、サイズや重さを削減し、モーター駆動、DC-DC電源、産業用ドローンやUAV(無人飛行機)で使われるLidar(光による検出と距離の測定)/飛行時間(Time of Flight)システムのコストを節約できます。

USB-C PD急速充電器用eGaN FETとIC (AB019)

スマートフォンやノート・パソコン向けのUSB-C PDの急速充電器とアダプタには、高速充電と小型化のために最高の電力密度が要求されます。eGaN FETとICは、小型化、非常に高い効率、優れた熱特性を可能にします。

同期整流用eGaN® FETとIC (AB020)

同期整流、数kWのサーバー、ネット通信、通信のシステム向けAC / DC、LED(発光ダイオード)やOLED(有機エレクトロルミネッセンス)のテレビ向けアダプタやSMPS(スイッチング電源)、ホーム・シアター・システム、ゲームやグラフィックス用パソコン、コンピューティング、LED照明などの主要アプリケーション

1 kW〜3 kWの汎用入力の力率補正(PFC)向けeGaN FETとIC (AB021)

なぜPFCにGaNなのですか? 高効率(99%以上)、小型、低高調波歪み、4レベルのフライング・キャパシタ型マルチレベル(FCML)・トーテムポール・ブリッジレスPFC構成は200 VのGaNデバイスを利用

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