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The adoption of photovoltaic (PV) systems continues to grow, and the ever-present pressure on manufacturers drives innovation and the adoption of new technologies to reduce cost without compromising reliability. As renewable energy systems continue to evolve, the use of innovative technologies like GaN FETs will be key to driving further improvements in cost, performance, and reliability across the industry.
Bodo’s Power Systems
November 2024
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In this article we discuss an analysis of root cause failure mechanisms from drain and gate over-voltage stresses on p-GaN HEMT devices that are widely used in the industry. An exclusive interview with one of the authors of this study is presented in the conclusions.
Power Electronics News
October 2024
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世界は自動化の新しい時代を迎えており、ロボットは、ますます洗練され、かつては人間だけの領域と考えられていた作業を実行できるようになっています。この変革の最前線に、人体の形状と機能を模倣するように設計された人型ロボットがあります。
独Bodo’s Power Systems
2024年10月
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EPCの GaNのエキスパートたちが PCIM Asiaに参加し、AIサーバー、ロボットなど、実際のアプリケーションで使われている最新世代のGaN FETとICを紹介します。.
エンハンスメント・モード窒化ガリウム(GaN)のFETとICの世界的リーダーであるEPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は8月15日、PCIM Asia 2024に参加すると発表しました。このイベントは、8月28日~30日に中国の深圳で開催されます。参加する方は、ホール11、スタンドF01のEPCに立ち寄り、業界で最も包括的なGaN電力変換ソリューションのポートフォリオをご覧ください。
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高効率と信頼性を実現するように構築されたEPCのGaNベースの電力変換ソリューションのポートフォリオが、PCIM Europeで展示されました。
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米Electronic Design誌
2024年7月
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当局の勧告によって、EPC独自のGaN技術のコアがAI、衛星、人型ロボット、自動運転の迅速な開発を推進することが証明されました。
急成長を遂げている革新的企業であるEPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は7月8日、本日、この革新的な技術に対する当社の知的財産権が3か月間で3度も認められ、窒化ガリウム(GaN)・パワー半導体業界で卓越した地位を獲得することに一歩近づいたと発表しました。EPCが開発した次世代ワイド・バンドギャップ半導体は、人工知能(AI)、衛星、急速充電器、Lidar(光による検出と距離の測定)、人型ロボット、その他多くの変革的技術に不可欠です。
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ビデオ:Alex Lidow(アレックス・リドウ)が、PCIMの会議で紹介したパワー・エレクトロニクスの最新動向、GaN技術の進化、持続可能性とエネルギー・コストへの影響について説明します。技術面および規制面のハードルを克服するための洞察を紹介し、パワー・エレクトロニクス市場を形成する将来のイノベーションを予測します。
米Power Electronics News誌
2024年6月
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次世代のロボット、ドローン、電動工具などのバッテリー駆動のアプリケーションでは、スペースの削減と電気モーターを制御するための設計が求められています。大きさと部品を最適化することで、効率と性能を損なうことなく、小さなスペースに多くの機能を組み込んだ革新的なソリューションを実現できます。EPCのePower™ Stage IC技術は、高度なモーター制御用途におけるインバータ設計の単純化と改善に役立ちます。
独Bodo’s Power Systems
2024年6月
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1996年に発表された最初のユニバーサル・シリアル・バス(USB)仕様は、コンピューティングや通信の業界における電力供給と接続性の標準化を目的としていました [1]。当初は最大5 Aの電流(25 W)と最大12 Mビット/秒のデータ転送速度を備えた5 V電源バスをサポートしていましたが、電子機器の普及によって大幅に進化し、より高い電力能力が求められるようになりました。
独Bodo’s Power Systems
2024年5月
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EPCは、耐圧 50 V、オン抵抗8.5 mΩのGaN FETであるEPC2057を製品化し、1.5 mm×1.2 mmと小さな実装面積で、USB-C PD規格の充電用途向けに、より高い電力密度を実現します。
エンハンスメント・モード窒化ガリウム(GaN)のパワーFETとICの世界的リーダーであるEPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は6月11日、耐圧50 V、オン抵抗8.5 mΩの「EPC2057」を発売しました。このGaN FETは、民生用電子機器、車載充電器、イーモビリティなどで使われる高出力USB-C機器の進化するニーズを満たすように特別に設計されています。
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EPCのGaNのエキスパートたちは、PCIM Europeに参加し、さまざまな現実世界のアプリケーションにおける最新世代のGaN FETとICを紹介します。
エンハンスメント・モード窒化ガリウム(GaN)のFETとICの世界的リーダーであるEPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は5月14日、パワー・エレクトロニクス、インテリジェント・モーター、再生可能エネルギー、エネルギー管理に関する国際的に主要な展示会と会議であるPCIM Europeに参加すると発表しました。6月11日~13日にドイツのニュルンブルクで開催されるこのイベントには、業界の専門家や主導するリーダーが集まり、パワー・エレクトロニクスやモーター制御の最新の進歩を探ります。
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EPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は5月6日、中国国家知識産権局(「CNIPA」)がエンハンスメント・モードGaN半導体デバイス向けの「補償ゲートMISFETおよびその製造方法」というタイトルのEPCの特許(中国特許番号ZL201080015425.X)のクレームを有効にしたと発表しました。
2024年4月30日の決定は、「エンハンスメント・モードGaN HEMTデバイスおよびその製造方法」というタイトルのEPCの中国特許(中国特許番号ZL201080015388.2)の主要なクレームの有効性を確認した2024年4月2日のCNIPAの発表に続くものです。両方の EPCの特許は、中国Innoscience (Suzhou) Technology Co., Ltd.(「Innoscience」)によって異議を申し立てられました。
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D級オーディオのリファレンス・デザインEPC9192は、カスタマイズと高性能を実現するモジュラ設計で大出力と高効率を実現します。
EPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は4月9日、大出力で小型、高効率なD級オーディオ
アンプを実現するリファレンス デザイン「EPC9192」の製品化を発表しました。EPC9192は、グラウンド基準の分割デュアル電源シングルエンド(SE)設計における当社の200 VのEPC2307(eGaN FET)の能力を実証し、4 Ω負荷にチャネル当たり700 Wという驚異的な電力を供給します。
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当社の従業員は全員無事であり、当社の施設は徹底的に検査され、引き続き操業しても安全であると判断されました。
生産は中断されていません。当社のサプライチェーンも同様に査定され、混乱は発生していません。
ご質問やご不明な点がございましたら、お気軽にお近くの担当者までお問い合わせください。EPCのセールス担当
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根据国家知识产权局官网20204年4月2日的消息,宜普电源转换公司(Efficient Power Conversion Corporation, EPC,以下简称宜普公司)一件名为“增强型GaN高电子迁移率晶体管器件及其制备方法”的专利(专利号ZL201080015388.2)的核心权利要求6、9、10、13、14、17、18、22-26在无效程序(案件编号:4W116775)中被维持有效。该件专利的无效请求人是英诺赛科(苏州)科技有限公司(以下简称英诺赛科公司)。
2024年4月2日の中国国家知識産権局(CNIPA)の公式ウエブサイトの情報によると、申立人の中国Innoscience (Suzhou) Technology Co., Ltd.(「Innoscience」)が請求した無効手続き中(事件番号:4W116775)のEfficient Power Conversion Corp(以下「EPC」)が所有する「Enhancement mode GaN HEMT device and method for fabricating the same」(特許番号:ZL201080015388.2)というタイトルの中国特許の主要な請求項6、9、10、13、14、17、18、および22~26の有効性が担保されました。
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パワー半導体は、イーモビリティの多くの分野で使われており、電圧と電流の要件に応じて車両の各部分に適したさまざまな技術が使われると同時に、新しい技術によって、システムの小型化が可能になっています。GaNやSiCの技術が成熟し、価格が低下するにつれて採用が増えており、この技術は、イーモビリティのパワー・トレインや電源システムの設計と開発をますます支配的になっています。
英E-Mobility Engineering誌
2024年3月
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GaNベース・インバータのリファレンス・デザインであるEPC9193は、システム全体のコストを削減すると同時に、モーター・システムの性能、範囲、精度、トルクをすべて向上させます。
EPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は3月19日、eGaN® FETのEPC9193を使った3相BLDC モーター駆動用インバータ「EPC2619」を製品化したと発表しました。EPC9193は、14 V~65 Vと幅広い直流入力電圧範囲で動作し、標準版と大電流版の2つの構成があります:
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Efficient Power Conversion(EPC)は、GaNの信頼性とミッションの耐久性に関する広範な知識ベースに、新たに分かったことを加えたフェーズ16の信頼性レポートを公開します。
EPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は3月12日、フェーズ16の信頼性レポートを公表したと発表しました。このレポートでは、故障するまでのテスト手法を使った継続的な作業を文書化し、過電圧仕様や熱機械的信頼性の向上に関する具体的なガイドラインを追加しています。
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米Power Electronics News誌のこのビデオでは、半導体企業の著名な講演者たちが窒化ガリウムや炭化ケイ素ベースのパワー・デバイスの画期的な開発についての洞察を説明しています。
GaNの講演者たちは、ワイド・バンドギャップの将来を形作る2つの重要な質問に取り組みます:
- GaNベースのパワー・デバイスの基板材料選択の重要性。彼らは、この選択がデバイスの性能、信頼性、製造性にどのような影響を与えるかについて詳しく説明し、研究者が基板関連の課題にどのように取り組んでいるかについて議論します。
- GaNデバイスが従来のシリコン・ベースのソリューションを上回り、採用が加速され、それぞれの企業の技術の方向性が明らかになっている特定の市場分野。講演者は次のとおりです:
- Robert Taylor、米テキサス・インスツルメンツのアプリケーション・エンジニア/産業アプリケーション担当ゼネラル・マネージャ
- Michael de Rooij、EPCのアプリケーション・エンジニアリング部門バイス・プレジデント
- Balu Balakrishnan、米Power IntegrationsのCEO(最高経営責任者)
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EPCは、面積3 mm×5 mmの小型QFNパッケージに封止した耐圧100 V、オン抵抗1 mΩのGaN FETであるEPC2361を製品化し、DC-DC変換、高速充電、モーター駆動、ソーラーMPPT(最大電力点追従)に、高い電力密度を提供します。
エンハンスメント・モード窒化ガリウム(GaN)のパワーFETとICの世界的リーダーであるEPC(Efficient Power Conversion Corporation、本社:カリフォルニア州エルセグンド)は2月27日、耐圧100 V、オン抵抗1 mΩの「EPC2361」を製品したと発表しました。これは、市場で最も低いオン抵抗のGaN FETであり、当社の前世代品と比べて、電力密度が2倍になっています。
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